Продукція > IPI

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI020N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI020N06NAKSA1

товар відсутній

IPI023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPI023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI023NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 5746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	157.52 грн

Мінімальне замовлення: 143

IPI023NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI024N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI024N06N3 G E8174

MOSFET

товар відсутній

IPI024N06N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPI024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 23500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	125.59 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI024N06N3GXKSA1

товар відсутній

IPI024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.3 грн
10+	194.44 грн
25+	105.59 грн
500+	104.9 грн
1000+	98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI028N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPI029N06N

MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3

на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.47 грн
10+	137.3 грн
100+	95.24 грн
250+	90.41 грн
500+	76.6 грн
1000+	68.05 грн
2500+	64.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	174.94 грн
85+	141.38 грн
100+	132.22 грн
200+	126.52 грн
500+	104.44 грн

Мінімальне замовлення: 69

IPI029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 11500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	80.42 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.93 грн
10+	133.93 грн
100+	101.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	128.42 грн
107+	112 грн
127+	94.52 грн
250+	88.69 грн

Мінімальне замовлення: 94

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	130.63 грн
10+	113.93 грн
100+	96.15 грн
250+	90.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPI029N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.47 грн
10+	132.54 грн
100+	105.59 грн
250+	95.24 грн
500+	77.98 грн
1000+	64.18 грн
5000+	62.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI029N06NAKSA1

товар відсутній

IPI030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI030N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI030N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	597.42 грн
10+	530.16 грн
100+	376.81 грн

IPI030N10N3GXKSA1

товар відсутній

IPI030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI030N10N3GXKSA1

товар відсутній

IPI032N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI032N06N3 G
Код товару: 110398

товар відсутній

IPI032N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.61 грн
10+	195.24 грн
100+	139.41 грн
500+	118.01 грн
1000+	99.38 грн
2500+	94.55 грн
5000+	90.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI032N06N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI032N06N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	109.74 грн

Мінімальне замовлення: 192

IPI032N06N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.61 грн
10+	195.24 грн
100+	139.41 грн
500+	110.42 грн
1000+	97.31 грн
2500+	95.24 грн
5000+	93.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI032N06N3GAKSA1

товар відсутній

IPI032N06N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI032N06N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI032N06N3GE8214AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI034NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPI034NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI034NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

на замовлення 5434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

262+	85.85 грн

Мінімальне замовлення: 262

IPI034NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI037N06L3GXK

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI037N08N3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI037N08N3 G E8174

MOSFET

товар відсутній

IPI037N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI037N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPI037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A I2PAK-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPI03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 103 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	95.69 грн
4+	81.52 грн
10+	69.88 грн
16+	66.43 грн
43+	62.11 грн
250+	60.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPI040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	151.55 грн
10+	121.35 грн
100+	96.59 грн
500+	76.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI040N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.64 грн
10+	132.54 грн
100+	92.48 грн
250+	88.34 грн
500+	77.29 грн
1000+	62.8 грн
5000+	60.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI040N06N3GXKSA1

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.74 грн
6+	65.42 грн
10+	58.23 грн
16+	55.35 грн
43+	51.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPI041N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.33 грн
10+	379.36 грн
25+	311.25 грн
100+	267.08 грн
250+	251.9 грн
500+	236.02 грн
1000+	202.21 грн

IPI041N12N3G

Description: IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 28500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	244.38 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPI041N12N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI041N12N3GAKSA1

товар відсутній

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	443.04 грн
10+	370.3 грн
100+	298.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI041N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.31 грн
10+	337.45 грн
100+	273 грн
500+	227.73 грн

IPI041N12N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI041N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	477.12 грн
31+	398.78 грн
100+	321 грн

Мінімальне замовлення: 26

IPI045N10N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI045N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281 грн
10+	232.54 грн
25+	190.48 грн
100+	163.56 грн
250+	154.59 грн
500+	142.17 грн
1000+	129.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI045N10N3GXK

Description: MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI045N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	269.78 грн
50+	240.9 грн
100+	196.55 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPI045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	262.78 грн
50+	200.54 грн
100+	171.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.41 грн
10+	245.04 грн
100+	199.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPI045N10N3GXKSA1

товар відсутній

IPI04CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

товар відсутній

IPI04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPI051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI051N15N5AKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товар відсутній

IPI051N15N5AKSA1

150V N-Channel MOSFET

товар відсутній

IPI051N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	576.49 грн
10+	487.3 грн
25+	384.4 грн
100+	353.35 грн
250+	332.64 грн
500+	310.56 грн
1000+	279.5 грн

IPI052NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI052NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPI052NE7N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	57.32 грн

Мінімальне замовлення: 396

IPI052NE7N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI057N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товар відсутній

IPI057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPI06N03LA

MOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS

товар відсутній

IPI070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI070N06NG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPI070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

товар відсутній

IPI072N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.21 грн
10+	222.22 грн
100+	158.04 грн
500+	135.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI072N10N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	111.23 грн

Мінімальне замовлення: 202

IPI072N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI072N10N3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

313+	71.67 грн

Мінімальне замовлення: 313

IPI072N10N3GXK

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI075N15N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPI075N15N3 G

08+ PLUS26..

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPI075N15N3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPI075N15N3G

Infineon technologies

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPI075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPI075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	392.43 грн
10+	342.53 грн
100+	288.42 грн
500+	250.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	466.58 грн
50+	356.48 грн
100+	305.55 грн

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	385.81 грн
36+	336.75 грн
100+	283.56 грн
500+	246.65 грн

Мінімальне замовлення: 32

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI075N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI075N15N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	500 грн
10+	442.06 грн
25+	278.81 грн
100+	253.97 грн
250+	253.28 грн
500+	252.59 грн
1000+	208.42 грн

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 394000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	267.24 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPI075N15N3GXKSA1

товар відсутній

IPI076N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPI076N12N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	235.32 грн
57+	210.17 грн
100+	171.48 грн
500+	139.9 грн

Мінімальне замовлення: 51

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	239.36 грн
10+	213.78 грн
100+	174.42 грн
500+	142.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI076N12N3GAKSA1

товар відсутній

IPI076N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	131.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPI076N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.96 грн
10+	181.3 грн
100+	146.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	446.7 грн
10+	334.45 грн
100+	270.96 грн
500+	223.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI076N15N5AKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.24 грн
50+	289.55 грн
100+	248.19 грн

IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	260.49 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPI076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI076N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

1+	406.6 грн
10+	370.63 грн
25+	276.74 грн
100+	236.71 грн
500+	210.49 грн

IPI084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI084N06L3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPI084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 1027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

594+	35.65 грн

Мінімальне замовлення: 594

IPI086N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.04 грн
10+	103.17 грн
100+	72.46 грн
250+	68.05 грн
500+	61.08 грн
1000+	52.79 грн
2500+	49.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI086N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.43 грн
50+	94.86 грн
100+	78.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	110.87 грн
118+	101.41 грн
145+	82.59 грн
200+	74.44 грн

Мінімальне замовлення: 108

IPI086N10N3GXKSA1

товар відсутній

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144 грн
10+	104.51 грн
100+	76.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPI086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	63.02 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPI08CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

товар відсутній

IPI08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3

товар відсутній

IPI09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPI09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPI100N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T

товар відсутній

IPI100N04S3-03

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

363+	59.76 грн

Мінімальне замовлення: 363

IPI100N04S3-03

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI100N04S3-03M

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3

товар відсутній

IPI100N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3

товар відсутній

IPI100N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI100N04S303MATMA2

OPTIMOS-T POWER-TRANSISTOR

товар відсутній

IPI100N04S303MATMA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товар відсутній

IPI100N04S4-H2

MOSFET N-Ch 40V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI100N04S4H2AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

524+	41.04 грн

Мінімальне замовлення: 524

IPI100N04S4H2AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI100N04S4H2AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3

товар відсутній

IPI100N06S3-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI100N06S3-03

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI100N06S3-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI100N06S3-04

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI100N06S3L-03

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI100N06S3L-03

на замовлення 2442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	88.07 грн

Мінімальне замовлення: 239

IPI100N06S3L-04

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI100N06S3L04XK

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.58 грн
50+	65.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPI100N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товар відсутній

IPI100N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI100N08S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI100N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI100N10S3-05

MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI100N10S305AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI100N10S305AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	131.41 грн

Мінімальне замовлення: 160

IPI100N10S305AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI100N12S305AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI100P03P3L-04

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI110N20N3 G

MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	648.95 грн
10+	577.78 грн
100+	416.15 грн
500+	362.32 грн

IPI110N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI110N20N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 63A; 300W; PG-TO262-3
Mounting: THT
On-state resistance: 10.7mΩ
Case: PG-TO262-3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: OptiMOS™ 3
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 63A

товар відсутній

IPI110N20N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI111N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI111N15N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

товар відсутній

IPI111N15N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI111N15N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI111N15N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

товар відсутній

IPI111N15N3GAKSA1

MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI111N15N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI111N15N3GAKSA1

товар відсутній

IPI11N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

товар відсутній

IPI11N60C3A

1 channel N-Channel MOSFET

товар відсутній

IPI11N60C3AAKSA2

Description: MOSFET N-CH I2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

на замовлення 21902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	247.1 грн

Мінімальне замовлення: 91

IPI11N60C3AAKSA2

Description: MOSFET N-CH I2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete

товар відсутній

IPI120N04S3-02

MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T

товар відсутній

IPI120N04S302AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V

на замовлення 50600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	218.35 грн

Мінімальне замовлення: 94

IPI120N04S302AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N04S302AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI120N04S4-01

MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.09 грн
10+	218.25 грн
25+	179.43 грн
100+	153.9 грн
250+	151.83 грн
500+	128.36 грн
1000+	116.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI120N04S4-01M

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube

товар відсутній

IPI120N04S4-02

MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.05 грн
10+	187.3 грн
25+	153.9 грн
100+	132.51 грн
250+	124.22 грн
500+	117.32 грн
1000+	94.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI120N04S401AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N04S401AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.13 грн
10+	195.03 грн
100+	157.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI120N04S402AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 120A; 158W
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ T2
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI120N04S402AKSA1

товар відсутній

IPI120N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N04S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.76 грн
10+	171.53 грн
100+	138.77 грн
500+	115.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI120N06S4-02

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N06S4-03

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI120N06S4-H1

MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI120N06S4-H1

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPI120N06S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI120N06S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N06S402AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI120N06S402AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.34 грн
10+	224.6 грн
25+	184.26 грн
100+	158.04 грн
250+	149.07 грн
500+	140.1 грн
1000+	120.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI120N06S402AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N06S402AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V

на замовлення 10400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	135.11 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPI120N06S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N06S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI120N06S403AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI120N06S4H1AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI120N06S4H1AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N06S4H1AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI120N08S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N08S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPI120N08S403AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

товар відсутній

IPI120N08S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPI120N08S404AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI120N08S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N10S403AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI120N10S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N10S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPI120N10S405AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI120N10S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPI120N10S405AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI120P04P404AKSA1

Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3

товар відсутній

IPI120P04P4L-03

MOSFET P-Ch -40V -120A I2PAK-3 OptiMOS-P2

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI120P04P4L03AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товар відсутній

IPI120P04P4L03AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI126N10N3 G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI126N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 58A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI126N10N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI126N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI126N10N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

433+	46.96 грн

Мінімальне замовлення: 433

IPI12CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI12CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

товар відсутній

IPI139N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

товар відсутній

IPI147N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.57 грн
10+	162.7 грн
100+	113.18 грн
500+	93.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI147N12N3G

Description: IPI147N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

на замовлення 14603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	73.16 грн

Мінімальне замовлення: 307

IPI147N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

на замовлення 14155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI147N12N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

товар відсутній

IPI147N12N3GAKSA1

IPI147N12N3GAKSA1 THT N channel transistors

товар відсутній

IPI147N12N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI14N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPI14N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3

товар відсутній

IPI16CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3

товар відсутній

IPI16CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3

товар відсутній

IPI180N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 43A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI180N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.71 грн
6+	69.73 грн
18+	48.88 грн
48+	46.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPI180N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI180N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI180N10N3GXKSA1

на замовлення 484 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	104.05 грн
5+	86.9 грн
18+	58.66 грн
48+	55.21 грн
1000+	54.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI200N15N3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V

товар відсутній

IPI200N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI200N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI200N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI200N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3

товар відсутній

IPI200N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI200N25N3 G

MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI200N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

товар відсутній

IPI200N25N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 88A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI200N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

товар відсутній

IPI200N25N3GAKSA1

товар відсутній

IPI200N25N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI22N03S4L-15

MOSFET N-Ch 30V 22A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI22N03S4L-15

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI22N03S4L-15

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI22N03S4L15AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI22N03S4L15AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

IPI22N03S4L15AKSA1

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

903+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 903

IPI25N06S3-25

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI25N06S3-25

Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI25N06S3L-22

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI25N06S3L-22

Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI26CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI26CN10NG

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPI26CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

товар відсутній

IPI320N203G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	132.41 грн

Мінімальне замовлення: 161

IPI320N20N3 G

MOSFET N-Ch 200V 34A I2PAK-3 OptiMOS 3

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.63 грн
10+	253.97 грн
100+	180.81 грн
500+	153.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI320N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	132.41 грн

Мінімальне замовлення: 161

IPI320N20N3GAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO262-3
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 34A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

товар відсутній

IPI320N20N3GAKSA1

товар відсутній

IPI320N20N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI320N20N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI35CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI45N06S3-16

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI45N06S3-16

Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI45N06S3L-13

Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI45N06S3L-13

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI45N06S4-09AKSA2

Description: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

на замовлення 97500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

359+	59.48 грн

Мінімальне замовлення: 359

IPI45N06S409AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI45N06S409AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI45N06S409AKSA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

799+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 799

IPI45N06S409AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI45N06S409AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.43 грн
10+	97.84 грн
100+	77.86 грн
500+	61.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI45N06S409AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.29 грн
10+	114.29 грн
100+	78.67 грн
250+	73.15 грн
500+	66.11 грн
1000+	57 грн
2500+	54.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI45N06S4L-08

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI45N06S4L08AKSA1

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI45N06S4L08AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI45N06S4L08AKSA2

MOSFET MOSFET

товар відсутній

IPI45N06S4L08AKSA2

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

742+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 742

IPI45N06S4L08AKSA3

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI45N06S4L08AKSA3

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V

на замовлення 30216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

730+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 730

IPI45N06S4L08AKSA3

Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI45N06S4L08AKSA3

MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI45P03P4L-11

MOSFET P-Ch -30V -45A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI45P03P4L11AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI47N10S-33

MOSFET N-Ch 100V 33A I2PAK-3 SIPMOS

товар відсутній

IPI47N10S33AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI47N10SL-26

MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS

товар відсутній

IPI47N10SL26AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI47N10SL26AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

IPI50CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3

товар відсутній

IPI50N10S3L-16

MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.48 грн
10+	164.29 грн
100+	113.87 грн
250+	105.59 грн
500+	95.93 грн
1000+	81.44 грн
2500+	77.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI50N10S3L16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V

на замовлення 13050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	89.62 грн

Мінімальне замовлення: 231

IPI50N10S3L16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI50N10S3L16AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI50N12S3L15AKSA1

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI50N12S3L15AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI50R140CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI50R140CP

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3

товар відсутній

IPI50R140CP

MOSFET N-Ch 500V 23A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI50R140CPXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI50R140CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

на замовлення 20374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

144+	142.61 грн

Мінімальне замовлення: 144

IPI50R140CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI50R140CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI50R140CPXKSA1

товар відсутній

IPI50R199CP

MOSFET N-Ch 550V 17A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI50R199CPXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI50R199CPXKSA1

товар відсутній

IPI50R199CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI50R250CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	82.87 грн

Мінімальне замовлення: 270

IPI50R250CP

MOSFET N-Ch 550V 13A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI50R250CPXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

товар відсутній

IPI50R250CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI50R250CPXKSA1

товар відсутній

IPI50R250CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	76.52 грн

Мінімальне замовлення: 270

IPI50R250CPXKSA1

товар відсутній

IPI50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 9978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	63.36 грн

Мінімальне замовлення: 341

IPI50R299CP

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPI50R299CPXK

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPI50R299CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI50R299CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI50R350CP

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.86 грн
10+	203.17 грн
100+	140.79 грн
500+	115.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI50R350CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI50R350CPXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 89W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI50R350CPXKSA1

товар відсутній

IPI50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPI50R399CP

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI50R399CPXKSA1

IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors

товар відсутній

IPI50R399CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

товар відсутній

IPI50R399CPXKSA1

MOSFET N-Ch 560V 9A I2PAK-3

товар відсутній

IPI50R399CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI50R399CPXKSA2

IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors

товар відсутній

IPI50R399CPXKSA2

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

товар відсутній

IPI50R399CPXKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPI50R399CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI530N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.91 грн
10+	154.76 грн
100+	107.66 грн
500+	88.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI530N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Drain current: 21A
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI530N15N3GXKSA1

Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM,

товар відсутній

IPI530N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

на замовлення 823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.91 грн
10+	154.76 грн
100+	107.66 грн
500+	88.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI530N15N3GXKSA1

товар відсутній

IPI530N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

товар відсутній

IPI600N25N3 G

MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPI600N25N3GAKSA1

Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI600N25N3GAKSA1

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

товар відсутній

IPI60R099CP
Код товару: 124116

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

IPI60R099CP

Description: PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPI60R099CP

MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	607.89 грн
10+	511.9 грн
25+	377.5 грн
100+	336.78 грн
250+	336.09 грн
500+	309.18 грн
1000+	283.64 грн

IPI60R099CPA

MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	806.76 грн
10+	719.05 грн
100+	517.6 грн
500+	484.47 грн

IPI60R099CPAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R099CPAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	368.11 грн

Мінімальне замовлення: 57

IPI60R099CPAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI60R099CPXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO262-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO262-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт

товар відсутній

IPI60R099CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	562.14 грн
10+	464.4 грн
100+	387.02 грн
500+	320.48 грн

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	643.52 грн
22+	547.95 грн
100+	453.5 грн
500+	382.62 грн
1000+	318.38 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	339.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI60R099CPXKSA1

товар відсутній

IPI60R099CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	597.55 грн
10+	508.81 грн
100+	421.11 грн
500+	355.29 грн
1000+	295.63 грн

IPI60R125CP

MOSFET N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPI60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R125CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.23 грн
10+	359.44 грн
100+	299.5 грн
500+	248 грн

IPI60R125CPXKSA1

IPI60R125CPXKSA1 THT N channel transistors

товар відсутній

IPI60R125CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R165CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R165CPAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI60R165CPAKSA1

товар відсутній

IPI60R165CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R165CPXKSA1

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.69 грн
10+	272.1 грн
100+	220.09 грн
500+	183.6 грн

IPI60R165CPXKSA1

MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3

товар відсутній

IPI60R165CPXKSA1

CoolMOS Power Transistors

товар відсутній

IPI60R190C6

MOSFET N-Ch 650V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 1378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.74 грн
10+	198.41 грн
25+	162.87 грн
100+	140.1 грн
250+	132.51 грн
500+	114.56 грн
1000+	100.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI60R190C6

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R190C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 27 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	321.44 грн
3+	266.07 грн
6+	177.71 грн
16+	168.22 грн

IPI60R190C6XKSA1

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.87 грн
3+	213.51 грн
6+	148.09 грн
16+	140.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R190C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.71 грн
10+	181.66 грн
100+	146.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI60R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	99.6 грн
10+	89.17 грн
50+	82.71 грн
100+	78.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPI60R199CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPI60R199CP

MOSFET N-Ch 650V 16A I2PAK-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPI60R199CP
Код товару: 132999

товар відсутній

IPI60R199CPXKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPI60R199CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R199CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R199CPXKSA2

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.72 грн
10+	222.42 грн
100+	179.94 грн
500+	150.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI60R199CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI60R199CPXKSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 16A

товар відсутній

IPI60R199CPXKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPI60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPI60R250CP

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	116.68 грн

Мінімальне замовлення: 176

IPI60R250CPAKSA1

MOSFET N-Ch 650V 12A I2PAK-3

товар відсутній

IPI60R250CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262

товар відсутній

IPI60R250CPAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI60R250CPAKSA1

товар відсутній

IPI60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	102.45 грн

Мінімальне замовлення: 202

IPI60R280C6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI60R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R280C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI60R280C6XKSA1

товар відсутній

IPI60R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 19621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	102.45 грн

Мінімальне замовлення: 202

IPI60R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	89.58 грн

Мінімальне замовлення: 251

IPI60R299CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R299CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R299CPXKSA1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	89.62 грн

Мінімальне замовлення: 231

IPI60R380C6

MOSFET N-Ch 650V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6

товар відсутній

IPI60R380C6

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R380C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R380C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI60R380C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI60R380C6XKSA1

товар відсутній

IPI60R385CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

на замовлення 78346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 293

IPI60R385CP

MOSFET N-Ch 650V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.99 грн
10+	165.08 грн
100+	115.25 грн
500+	93.86 грн
1000+	77.98 грн
2500+	72.46 грн
5000+	70.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI60R385CP (6R385P) Транзистор
Код товару: 192857

товар відсутній

IPI60R385CPXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	72 грн

Мінімальне замовлення: 293

IPI60R385CPXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R385CPXKSA1

товар відсутній

IPI60R520CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262

товар відсутній

IPI60R600CP

Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI60R600CP

MOSFET N-Ch 600V 6.1A I2PAK-3 CoolMOS CP

товар відсутній

IPI60R600CPAKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R099C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R099C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R099C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI65R099C6XKSA1

товар відсутній

IPI65R099C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI65R099C6XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 38A I2PAK-3

товар відсутній

IPI65R110CFD

MOSFET N-Ch 700V 31.2A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI65R110CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	189.62 грн

Мінімальне замовлення: 119

IPI65R110CFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI65R110CFDXKSA1

товар відсутній

IPI65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI65R110CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R150CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

на замовлення 17139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	112.58 грн

Мінімальне замовлення: 189

IPI65R150CFDXKSA1

MOSFET N-Ch 700V 72A I2PAK-3

товар відсутній

IPI65R150CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3

на замовлення 12959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI65R150CFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI65R150CFDXKSA1

товар відсутній

IPI65R150CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3

товар відсутній

IPI65R190C

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	138.11 грн

Мінімальне замовлення: 163

IPI65R190C6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.48 грн
10+	216.67 грн
25+	178.74 грн
100+	152.52 грн
250+	148.38 грн
500+	135.27 грн
1000+	109.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI65R190C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI65R190C6XKSA1

IPI65R190C6XKSA1 THT N channel transistors

товар відсутній

IPI65R190C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.13 грн
50+	184.12 грн
100+	157.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.96 грн
10+	270.63 грн
100+	193.24 грн
500+	163.56 грн
1000+	155.28 грн
3000+	151.14 грн
5000+	145.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI65R190CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R190CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI65R190CFDXKSA1

IPI65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors

товар відсутній

IPI65R190CFDXKSA1
Код товару: 156343

товар відсутній

IPI65R190CFDXKSA2

650V Power Transistor

товар відсутній

IPI65R190CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R190CFDXKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товар відсутній

IPI65R280C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

260+	79.76 грн

Мінімальне замовлення: 260

IPI65R280C6

MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI65R280C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPI65R280C6XKSA1

товар відсутній

IPI65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

260+	80.38 грн

Мінімальне замовлення: 260

IPI65R280E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R280E6XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3

товар відсутній

IPI65R280E6XKSA1

товар відсутній

IPI65R280E6XKSA1

товар відсутній

IPI65R310CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 10696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

336+	66.44 грн

Мінімальне замовлення: 336

IPI65R310CFD

MOSFET N-Ch 650V 11.4A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

товар відсутній

IPI65R310CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

товар відсутній

IPI65R310CFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO262-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104.2W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPI65R310CFDXKSA1

товар відсутній

IPI65R310CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

336+	64.08 грн

Мінімальне замовлення: 336

IPI65R310CFDXKSA1700

Description: IPI65R310 - 650V AND 700V COOLMO

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

336+	67.07 грн

Мінімальне замовлення: 336

IPI65R380C6

MOSFET N-Ch 700V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.26 грн
10+	161.9 грн
100+	111.8 грн
250+	103.52 грн
500+	96.62 грн
1000+	77.29 грн
2500+	75.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI65R380C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.73 грн
50+	128.03 грн
100+	105.35 грн
500+	83.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI65R380C6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPI65R380C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI65R380C6XKSA1

товар відсутній

IPI65R420CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 10945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

395+	55.63 грн

Мінімальне замовлення: 395

IPI65R420CFD

MOSFET N-Ch 650V 8.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

на замовлення 448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI65R420CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262

товар відсутній

IPI65R420CFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO262-3
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
On-state resistance: 0.42Ω
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPI65R420CFDXKSA1

товар відсутній

IPI65R600C6

MOSFET N-Ch 700V 7.3A I2PAK-3 CoolMOS C6

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI65R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R600C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI65R600C6XKSA1

IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors

товар відсутній

IPI65R600C6XKSA1

Description: IPI65R600 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R600C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A I2PAK-3 CoolMOS CFD2

товар відсутній

IPI65R660CFD

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 10483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

424+	53 грн

Мінімальне замовлення: 424

IPI65R660CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI65R660CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI70N04S3-07

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI70N04S3-07

MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

товар відсутній

IPI70N04S307AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI70N04S4-06

MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.17 грн
10+	124.6 грн
100+	86.27 грн
250+	79.36 грн
500+	72.46 грн
1000+	59.08 грн
5000+	57.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI70N04S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.59 грн
10+	114.16 грн
100+	90.86 грн
500+	72.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI70N04S406AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI70N10S3-12

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI70N10S312AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin TO-262 Tube

товар відсутній

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

товар відсутній

IPI70N10S312AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI70N10S3L-12

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI70N10S3L-12

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI70N10S3L12AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	45.5 грн

Мінімальне замовлення: 452

IPI70N10S3L12AKSA1

товар відсутній

IPI70N10S3L12AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI70N10SL-16

MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 SIPMOS

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI70N10SL16AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI70N10SL16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	116.03 грн

Мінімальне замовлення: 181

IPI70N10SL16AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI70N12S311AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

товар відсутній

IPI70N12S311AKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO262-3

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI70N12S3L12AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 100+

товар відсутній

IPI70P04P4-09

MOSFET P-Ch -40V -70A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI70P04P409AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3

товар відсутній

IPI70R950CEXKSA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.62 грн
10+	85.71 грн
100+	57.76 грн
500+	47.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPI70R950CEXKSA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI77N06S3-09

Description: MOSFET N-CH 55V 77A TO-262

товар відсутній

IPI80CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

товар відсутній

IPI80N03S4L-03

MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.85 грн
10+	117.46 грн
100+	84.2 грн
500+	65.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI80N03S4L-03

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N03S4L-03

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N03S4L-04

MOSFET N-Ch 30V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI80N03S4L-04

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N03S4L-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPI80N03S4L03AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.78 грн
11+	58.6 грн
25+	56.58 грн
50+	53.41 грн
100+	47.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPI80N03S4L03AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товар відсутній

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	63.11 грн
197+	60.93 грн
201+	59.65 грн
207+	55.78 грн

Мінімальне замовлення: 190

IPI80N03S4L03AKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N03S4L04AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товар відсутній

IPI80N03S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N04S2-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	75.61 грн

Мінімальне замовлення: 296

IPI80N04S2-H4

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS

товар відсутній

IPI80N04S204AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI80N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N04S204AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	74.79 грн

Мінімальне замовлення: 296

IPI80N04S2H4AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N04S2H4AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S2H4AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товар відсутній

IPI80N04S2H4AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

товар відсутній

IPI80N04S2H4AKSA2

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 273

IPI80N04S2H4AKSA2

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S3-03

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	85.5 грн

Мінімальне замовлення: 248

IPI80N04S3-03

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товар відсутній

IPI80N04S3-04

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S3-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товар відсутній

IPI80N04S3-04

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

IPI80N04S3-06

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

670+	31.45 грн

Мінімальне замовлення: 670

IPI80N04S3-06

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товар відсутній

IPI80N04S3-H4

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T

товар відсутній

IPI80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N04S303AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 172000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	83.88 грн

Мінімальне замовлення: 251

IPI80N04S303AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S304AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N04S306AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S306AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N04S3H4AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S3H4AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N04S4-03

Description: IPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

350+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 350

IPI80N04S4-03

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI80N04S4-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.45 грн
10+	133.33 грн
100+	92.48 грн
250+	85.58 грн
500+	77.98 грн
1000+	66.11 грн
2500+	63.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI80N04S403AKSA1

Description: INFINEON - IPI80N04S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.29 грн
10+	147.87 грн
100+	108.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPI80N04S403AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.2 грн
10+	138.67 грн
100+	110.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI80N04S403AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S403BAKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V TO263

товар відсутній

IPI80N04S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V

на замовлення 281182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	78.29 грн

Мінімальне замовлення: 268

IPI80N04S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N04S4L-04

MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

товар відсутній

IPI80N04S4L-04

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S4L04AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N04S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 650

IPI80N04S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S2-07

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S2-08

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	57.32 грн

Мінімальне замовлення: 365

IPI80N06S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S207AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S207AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S207AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товар відсутній

IPI80N06S207AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	121.62 грн

Мінімальне замовлення: 173

IPI80N06S208AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI80N06S208AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N06S208AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S208AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N06S208AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

товар відсутній

IPI80N06S2L05AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S2L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N06S2L05AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80N06S2L05AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S2L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	133.51 грн

Мінімальне замовлення: 157

IPI80N06S2L11AKSA1

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI80N06S2L11AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N06S2L11AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S2L11AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V

на замовлення 40500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	67.1 грн

Мінімальне замовлення: 314

IPI80N06S2L11AKSA2

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80N06S3-05

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10760 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S3-07

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7768 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S3L-05

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13060 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S3L-06

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

товар відсутній

IPI80N06S3L-08

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6475 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S3L06XK

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N06S4-05

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S4-07

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80N06S4-07

Infineon

на замовлення 156500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPI80N06S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N06S405AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S405AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPI80N06S405AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	75.49 грн

Мінімальне замовлення: 278

IPI80N06S405AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S405AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.67 грн
10+	136.51 грн
100+	94.55 грн
250+	86.96 грн
500+	78.67 грн
1000+	68.05 грн
2500+	64.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI80N06S407AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S407AKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI80N06S407AKSA2

Infineon

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 IPI80N06S407AKSA2 TIPI80N06S4-07
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	47.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPI80N06S407AKSA2

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.05 грн
9+	102.08 грн
23+	96.33 грн
50+	95.61 грн
250+	92.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI80N06S407AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.6 грн
10+	111.86 грн
100+	89.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI80N06S407AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.76 грн
10+	122.22 грн
100+	84.89 грн
250+	83.51 грн
500+	70.39 грн
1000+	57.9 грн
5000+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI80N06S407AKSA2

на замовлення 418 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	171.87 грн
3+	149.61 грн
9+	122.5 грн
23+	115.6 грн
50+	114.73 грн
250+	111.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI80N06S407AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S4L-05

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80N06S4L-05

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S4L-07

MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80N06S4L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V

на замовлення 11300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

359+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 359

IPI80N06S4L05AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S4L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH TO262-3

товар відсутній

IPI80N06S4L07AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

товар відсутній

IPI80N06S4L07AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S4L07AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.23 грн
10+	142.86 грн
100+	99.38 грн
500+	82.82 грн
1000+	67.49 грн
2500+	65.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPI80N06S4L07AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N06S4L07AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V

на замовлення 9057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

347+	60.81 грн

Мінімальне замовлення: 347

IPI80N06S4L07AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N07S4-05

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPI80N07S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Part Status: Obsolete

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	89.16 грн

Мінімальне замовлення: 229

IPI80N07S405AKSA1

Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

IPI80N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80N08S207AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N08S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPI80N08S406AKSA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

товар відсутній

IPI80N08S406AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80N08S406AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	220.18 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPI80P03P4-05

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80P03P4-05

P2 Power-Transistor Automotive AEC-Q101

товар відсутній

IPI80P03P4-05AKSA1

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

378+	58.98 грн

Мінімальне замовлення: 378

IPI80P03P405AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPI80P03P405AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80P03P4L-04

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80P03P4L-04

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI80P03P4L-07

MOSFET P-Ch -30V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI80P03P4L-07

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80P03P4L04AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80P03P4L04AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80P03P4L07AKSA1

Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80P03P4L07AKSA1

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI80P04P4-05

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI80P04P4-07

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI80P04P405AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товар відсутній

IPI80P04P407AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товар відсутній

IPI80P04P4L-04

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI80P04P4L-06

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI80P04P4L-08

MOSFET P-Ch -40V -80A I2PAK-3 OptiMOS-P2

товар відсутній

IPI80P04P4L04AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товар відсутній

IPI80P04P4L04AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80P04P4L06AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI80P04P4L06AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товар відсутній

IPI80P04P4L08AKSA1

Description: MOSFET P-CH TO262-3

товар відсутній

IPI80P04P4L08AKSA1

Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90N04S4-02

MOSFET N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219 грн
10+	196.03 грн
25+	148.38 грн
100+	126.98 грн
250+	125.6 грн
500+	110.42 грн
1000+	90.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI90N04S402AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPI90N04S402AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.8 грн
50+	155.52 грн
100+	133.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI90N04S402BSAKSA1

Customer specific part: IPI90N04S4-02 for Brose

товар відсутній

IPI90N04S402BSAKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V TO263

товар відсутній

IPI90N04S402TATMA1

Description: MOSFET

товар відсутній

IPI90N06S4-04

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90N06S404AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90N06S404AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI90N06S404AKSA2

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	90.3 грн

Мінімальне замовлення: 229

IPI90N06S404AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90N06S4L-04

MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI90N06S4L04AKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90N06S4L04AKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI90N06S4L04AKSA2

MOSFET MOSFET

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.55 грн
10+	214.29 грн
100+	152.52 грн
500+	127.67 грн
1000+	119.39 грн
2500+	113.18 грн
5000+	112.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI90N06S4L04AKSA2

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90N06S4L04AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

на замовлення 36830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	99.96 грн

Мінімальне замовлення: 208

IPI90N06S4L04AKSA2

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

товар відсутній

IPI90R1K0C3

MOSFET N-Ch 900V 5.7A I2PAK-3 CoolMOS C3

товар відсутній

IPI90R1K0C3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPI90R1K0C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3

товар відсутній

IPI90R1K2C3

MOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3

на замовлення 847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI90R1K2C3
Код товару: 101850

товар відсутній

IPI90R1K2C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

440+	49.77 грн

Мінімальне замовлення: 440

IPI90R1K2C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90R1K2C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262

товар відсутній

IPI90R1K2C3XKSA2

Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.42 грн
10+	134.71 грн
100+	107.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPI90R1K2C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI90R1K2C3XKSA2

Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90R1K2C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	61.51 грн

Мінімальне замовлення: 341

IPI90R1K2C3XKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPI90R340C3

MOSFET N-Ch 900V 15A I2PAK-3 CoolMOS C3

товар відсутній

IPI90R340C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3

товар відсутній

IPI90R340C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90R340C3XKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPI90R340C3XKSA2

Power Mosfet

товар відсутній

IPI90R340C3XKSA2

Power Mosfet

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI90R340C3XKSA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

товар відсутній

IPI90R340C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.45 грн
10+	312.86 грн
100+	253.12 грн

IPI90R500C3

MOSFET N-Ch 900V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3

на замовлення 344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI90R500C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3

товар відсутній

IPI90R500C3XKSA2

Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.85 грн
10+	200.57 грн
100+	162.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPI90R500C3XKSA2

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPI90R800C3

Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI90R800C3

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90R800C3

MOSFET N-Ch 900V 6.9A I2PAK-3 CoolMOS C3

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPI90R800C3XKSA1

Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

товар відсутній

IPI90R800C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

товар відсутній

IPI90R800C3XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 404 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	79.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPI90R800C3XKSA1