Продукція > ISG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ISG0505AXP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
товар відсутній
ISG0505AXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товар відсутній
ISG0505A-TRXP PowerIsolated DC/DC Converters DC-DC, 1W SURFACE MOUNT, REGULATED
товар відсутній
ISG0613N04NM6HATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.78 грн
10+ 229.36 грн
25+ 188.41 грн
100+ 161.49 грн
250+ 152.52 грн
500+ 143.55 грн
1000+ 122.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0613N04NM6HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.52 грн
10+ 247.62 грн
25+ 203.59 грн
100+ 174.6 грн
250+ 164.94 грн
500+ 154.59 грн
1000+ 133.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товар відсутній
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesSP005575180
товар відсутній
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.83 грн
10+ 237.3 грн
25+ 194.62 грн
100+ 166.32 грн
250+ 157.35 грн
500+ 147.69 грн
1000+ 126.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0614N06NM5HATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товар відсутній
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товар відсутній
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.81 грн
10+ 260.32 грн
25+ 213.94 грн
100+ 182.88 грн
250+ 173.22 грн
500+ 162.87 грн
1000+ 139.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISG0614N06NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
товар відсутній
ISG0616N10NM5HSCInfineon TechnologiesISG0616N10NM5HSC
товар відсутній
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.22 грн
10+ 286.51 грн
25+ 234.64 грн
100+ 201.52 грн
250+ 190.48 грн
500+ 178.74 грн
1000+ 153.21 грн
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+157.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ISG0616N10NM5HSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324 грн
10+ 261.67 грн
100+ 211.7 грн
500+ 176.6 грн
1000+ 151.22 грн
ISG1411IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISG2B422FP-08
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISG4100IMAGIS BGA 13+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISG4A442FJ-7A1
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ISGAL22LV10C-7LJ
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)