Продукція > IXT

MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

товар відсутній

IXT-1-1N100S1 T/R

- 8-Pin SOIC

товар відсутній

IXT-1-1N100S1-TR

MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

товар відсутній

IXT-1-1N100S1-TR

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V

товар відсутній

IXT-705AT

Planet

Description: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23739.82 грн

IXTA02N250

Description: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

товар відсутній

IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1061.58 грн
10+	952.8 грн
25+	943.43 грн
50+	858.97 грн
100+	686.28 грн

IXTA02N250HV

Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	839.11 грн
50+	653.87 грн
100+	615.41 грн

IXTA02N250HV

MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	880.84 грн
10+	785.71 грн
25+	649.41 грн
50+	628.02 грн
100+	588.68 грн
500+	562.46 грн
1000+	489.3 грн

IXTA02N250HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 1.5µs
Drain-source voltage: 2.5kV
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 450Ω

товар відсутній

IXTA02N250HV

товар відсутній

IXTA02N250HV

Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	891.09 грн
10+	818.31 грн
50+	754.06 грн
100+	641.25 грн
250+	579.98 грн

IXTA02N250HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV T/R

товар відсутній

IXTA02N450HV

Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA02N450HV

Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA05N100

MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds

товар відсутній

IXTA05N100

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 710ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IXTA05N100

товар відсутній

IXTA05N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	303.93 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

MOSFET IXTA05N100 TRL

товар відсутній

IXTA05N100HV

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	180.35 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA05N100HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Reverse recovery time: 710ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	320.51 грн
3+	278.61 грн
5+	213.08 грн
14+	201.86 грн

IXTA05N100HV

MOSFET High Voltage Power MOSFET

на замовлення 1699 шт:

термін постачання 612-621 дні (днів)

1+	358.29 грн
10+	254.76 грн
50+	209.11 грн
100+	181.5 грн
250+	172.53 грн
500+	163.56 грн
1000+	159.42 грн

IXTA05N100HV

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.09 грн
3+	223.57 грн
5+	177.56 грн
14+	168.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA05N100HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

MOSFET IXTA05N100HV TRL

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

High Voltage Power MOSFET

товар відсутній

IXTA06N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	307.57 грн
50+	234.79 грн
100+	201.25 грн

IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA06N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 42W
Case: TO263
On-state resistance: 34Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA06N120P

Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.25 грн
10+	329.03 грн
25+	304.25 грн
50+	260.96 грн
100+	205.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA06N120P

товар відсутній

IXTA06N120P

MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	334.94 грн
10+	329.36 грн
50+	227.05 грн

IXTA06N120P TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

MOSFET IXTA06N120P TRL

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA08N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.84 грн
4+	110.71 грн
10+	88.42 грн
26+	83.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA08N100D2

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.84 грн
10+	211.35 грн
25+	195.87 грн
50+	167.5 грн
100+	132.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IXTA08N100D2

на замовлення 184 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	157 грн
3+	137.96 грн
10+	106.11 грн
26+	100.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

на замовлення 548 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

2+	214.98 грн
10+	177.78 грн
50+	145.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 2933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.82 грн
50+	153.05 грн
100+	131.18 грн
500+	109.43 грн
1000+	93.7 грн
2000+	88.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2-TRL

MOSFET IXTA08N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2-TRL

Description: IXTA08N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	322.87 грн
10+	267.46 грн
50+	204.28 грн
100+	184.26 грн
250+	176.67 грн

IXTA08N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	235.13 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.9 грн
10+	206.71 грн
100+	171.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

IXTA08N100D2HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

MOSFET IXTA08N100D2HV TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA08N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA08N100P

MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds

товар відсутній

IXTA08N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IXTA08N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

товар відсутній

IXTA08N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N100P

товар відсутній

IXTA08N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N120P

MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.71 грн
10+	269.84 грн
50+	229.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N120P

товар відсутній

IXTA08N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.72 грн
50+	209.63 грн
100+	179.69 грн
500+	149.89 грн
1000+	128.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	128.15 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA08N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.76 грн
10+	184.13 грн
50+	140.1 грн
100+	118.01 грн
250+	114.56 грн
500+	107.66 грн
1000+	95.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns

товар відсутній

IXTA08N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.82 грн
50+	153.05 грн
100+	131.18 грн
500+	109.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA08N50D2

товар відсутній

IXTA08N50D2
Код товару: 118357

товар відсутній

IXTA100N04T2

MOSFET 100 Amps 40V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219 грн
10+	180.16 грн
100+	132.51 грн
250+	122.84 грн
500+	114.56 грн
1000+	102.14 грн
2500+	96.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA100N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns

товар відсутній

IXTA100N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263

товар відсутній

IXTA100N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA100N04T2

товар відсутній

IXTA100N04T2-TRL

MOSFET IXTA100N04T2 TRL

товар відсутній

IXTA100N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	775.36 грн
10+	654.76 грн
50+	528.64 грн
100+	464.46 грн
250+	443.75 грн

IXTA100N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	692.78 грн
50+	532.38 грн
100+	476.34 грн
500+	394.43 грн
1000+	354.99 грн

IXTA102N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	332.95 грн
10+	287.99 грн
100+	235.94 грн
500+	188.49 грн

IXTA102N15T

MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.85 грн
10+	300.79 грн
50+	252.59 грн
100+	212.56 грн
250+	206.35 грн
500+	197.38 грн

IXTA102N15T-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA10N60P

MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA10N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P15T

MOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

MOSFET IXTA10P15T TRL

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	531.92 грн
27+	452.55 грн
50+	432.61 грн
100+	396.51 грн

Мінімальне замовлення: 23

IXTA10P50P

MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.44 грн
10+	426.98 грн
50+	364.39 грн

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	501.46 грн
10+	430.92 грн
25+	430.77 грн
50+	407.55 грн
100+	377.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA10P50P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	476.12 грн
10+	408.77 грн
50+	374.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	493.53 грн
29+	423.96 грн
50+	401.11 грн
100+	371.32 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	432.77 грн
3+	361.6 грн
4+	275.33 грн
9+	260.24 грн

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	640.61 грн
25+	611.04 грн
50+	586.44 грн
100+	545.57 грн
250+	489.48 грн

Мінімальне замовлення: 19

IXTA10P50P

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	493.93 грн
10+	424.44 грн
25+	420.22 грн
50+	401.71 грн
100+	368.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

на замовлення 287 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	519.32 грн
3+	450.61 грн
4+	330.4 грн
9+	312.28 грн

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	521.79 грн
27+	443.93 грн
30+	411.3 грн
100+	350.69 грн
250+	316.38 грн
500+	241.5 грн

Мінімальне замовлення: 23

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

на замовлення 32800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	291.69 грн
1600+	252.8 грн
2400+	236.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	484.52 грн
10+	412.22 грн
25+	381.93 грн
100+	325.64 грн
250+	293.78 грн
500+	224.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	306.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

MOSFET MSFT P-CH POLAR

на замовлення 1304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.97 грн
10+	418.25 грн
25+	340.23 грн
100+	303.66 грн
250+	294 грн
500+	271.91 грн
800+	247.07 грн

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	259.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

на замовлення 33519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.85 грн
10+	382.02 грн
100+	318.34 грн

IXTA10P50P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	517.93 грн
10+	443.61 грн
25+	419.61 грн
50+	365.91 грн
100+	316.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055P

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns

товар відсутній

IXTA110N055T2

MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.51 грн
10+	181.75 грн
100+	124.22 грн
250+	118.01 грн
500+	110.42 грн
1000+	95.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055T2

товар відсутній

IXTA110N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.83 грн
50+	150.94 грн
100+	129.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA110N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	119.42 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA110N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA110N055T2-TRL

MOSFET IXTA110N055T2 TRL

товар відсутній

IXTA110N055T7

MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds

товар відсутній

IXTA110N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 110A
Power dissipation: 517W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 64ns

товар відсутній

IXTA110N12T2

товар відсутній

IXTA120N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	125.59 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA120N04T2

MOSFET 120 Amps 40V

товар відсутній

IXTA120N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 35ns

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA120N04T2

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	190.45 грн
3+	167.52 грн
8+	128.54 грн
22+	121.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA120N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 50ns

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.03 грн
3+	194.82 грн
6+	155.28 грн
15+	146.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA120N075T2

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	279.64 грн
3+	242.77 грн
6+	186.34 грн
15+	175.98 грн

IXTA120N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	265.95 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA120N075T2

MOSFET 120 Amps 75V

товар відсутній

IXTA120P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA120P065T

MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

на замовлення 7797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.26 грн
10+	426.98 грн
100+	307.11 грн
250+	298.14 грн
500+	270.53 грн

IXTA120P065T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	389.41 грн
3+	324.94 грн
4+	258.8 грн
9+	245.14 грн

IXTA120P065T

на замовлення 295 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	467.3 грн
3+	404.92 грн
4+	310.56 грн
9+	294.17 грн

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	239.94 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA120P065T-TRL

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA120P065T-TRL

MOSFET IXTA120P065T TRL

товар відсутній

IXTA120P065TTRL

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA12N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA12N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns

товар відсутній

IXTA12N50P

товар відсутній

IXTA12N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.51 грн
50+	203.36 грн
100+	174.31 грн
500+	145.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA12N50P

MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.08 грн
10+	265.87 грн
50+	202.9 грн
100+	170.46 грн
500+	154.59 грн
1000+	131.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA12N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA12N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA12N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns

товар відсутній

IXTA12N65X2

товар відсутній

IXTA12N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

IXTA12N70X2

MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2

товар відсутній

IXTA130N065T2

Trans MOSFET N-CH 65V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA130N065T2

MOSFET 130 Amps 65V

товар відсутній

IXTA130N065T2

Description: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA130N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

товар відсутній

IXTA130N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

MOSFET IXTA130N10T TRL

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	380.03 грн
10+	315.08 грн
25+	258.8 грн
100+	222.22 грн
250+	209.11 грн
500+	206.35 грн
800+	171.84 грн

IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

товар відсутній

IXTA130N10T7

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

товар відсутній

IXTA130N10T7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10T7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA130N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	291.04 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA130N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA130N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	781.62 грн
50+	601.28 грн
100+	537.99 грн
500+	445.48 грн
1000+	400.94 грн

IXTA130N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1004.02 грн
10+	893.65 грн
50+	741.2 грн
100+	643.2 грн

IXTA130N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	781.62 грн
50+	601.28 грн
100+	537.99 грн
500+	445.48 грн
1000+	400.94 грн

IXTA130N15X4-7

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	892.11 грн
10+	793.65 грн
50+	658.38 грн
100+	570.74 грн

IXTA140N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	137.46 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA140N055T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA140N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Power dissipation: 577W
Case: TO263
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 65ns

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	390.19 грн
3+	326.37 грн
4+	246.58 грн

IXTA140N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	358.96 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA140N12T2

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	468.23 грн
3+	406.71 грн
4+	295.89 грн
10+	279.5 грн

IXTA140N12T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA140N12T2

Power MOSFET

товар відсутній

IXTA140P05T

MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	557.97 грн
10+	476.19 грн
50+	389.92 грн
100+	363.01 грн
250+	355.42 грн
500+	340.23 грн

IXTA140P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA140P05T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns

товар відсутній

IXTA140P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.55 грн
10+	436.29 грн
100+	363.59 грн
500+	301.08 грн

IXTA140P05T

товар відсутній

IXTA140P05T-TRL

Description: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA140P05T-TRL

MOSFET MOSFET DISCRETE

товар відсутній

IXTA14N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.92 грн
50+	177.82 грн
100+	152.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA14N60P

MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA14N60P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V

товар відсутній

IXTA14N60P

товар відсутній

IXTA14N60PTRL

IXTA14N60PTRL

товар відсутній

IXTA150N15X4

X4-Class Power MOSFET

товар відсутній

IXTA150N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	651.73 грн
50+	526.14 грн

IXTA150N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	992.75 грн
10+	873.81 грн
50+	686.68 грн

IXTA150N15X4-7

X4-Class Power MOSFET

товар відсутній

IXTA150N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA150N15X4-7

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

товар відсутній

IXTA152N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263

товар відсутній

IXTA152N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7

товар відсутній

IXTA15N50L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1012.08 грн
10+	879.36 грн
25+	743.96 грн
50+	701.17 грн
100+	665.29 грн

IXTA15N50L2

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	945.11 грн
50+	736.47 грн
100+	693.15 грн

IXTA15N50L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA15N50L2

товар відсутній

IXTA15N50L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA15N50L2-TRL

MOSFET IXTA15N50L2 TRL

товар відсутній

IXTA15N50L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA15P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA15P15T

MOSFET TenchP Power MOSFET

товар відсутній

IXTA15P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263

товар відсутній

IXTA15P15T

IXTA15P15T SMD P channel transistors

товар відсутній

IXTA15P15T-A2

MOSFET -150V -15A

товар відсутній

IXTA160N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 44 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	279.64 грн
3+	242.77 грн
6+	185.47 грн
15+	175.98 грн

IXTA160N04T2

MOSFET 160Amps 40V

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.01 грн
10+	271.43 грн
50+	200.14 грн
100+	182.19 грн
250+	160.8 грн
500+	155.28 грн
1000+	149.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N04T2

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.03 грн
3+	194.82 грн
6+	154.56 грн
15+	146.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N075T

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

товар відсутній

IXTA160N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N075T7

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

товар відсутній

IXTA160N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N10T

MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

товар відсутній

IXTA160N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA160N10T7

MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

товар відсутній

IXTA160N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA16N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns

товар відсутній

IXTA16N50P

MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.07 грн
10+	303.17 грн
50+	223.6 грн
100+	199.45 грн
250+	187.03 грн
500+	181.5 грн
1000+	171.15 грн

IXTA16N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	207.76 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA16N50P

товар відсутній

IXTA16N50P-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA16N50P-TRL

MOSFET IXTA16N50P TRL

товар відсутній

IXTA16N50PTRL

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA170N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA170N075T2

MOSFET 170 Amps 75V

товар відсутній

IXTA170N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO263

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA170N075T2

товар відсутній

IXTA180N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263

товар відсутній

IXTA180N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	394.83 грн
3+	343.11 грн
4+	263.11 грн
11+	248.45 грн

IXTA180N10T

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.44 грн
10+	372.22 грн
50+	270.53 грн
100+	240.86 грн
250+	231.88 грн
500+	224.98 грн
1000+	222.91 грн

IXTA180N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA180N10T

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.03 грн
3+	275.33 грн
4+	219.26 грн
11+	207.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA180N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA180N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

на замовлення 538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	412.09 грн
10+	333.35 грн
100+	269.65 грн

IXTA180N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T-TRL

MOSFET IXTA180N10T TRL

на замовлення 645 шт:

термін постачання 210-219 дні (днів)

1+	441.22 грн
10+	365.08 грн
25+	299.52 грн
100+	256.73 грн
250+	242.93 грн
500+	228.43 грн
800+	207.73 грн

IXTA180N10T7

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

товар відсутній

IXTA180N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T7

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA180N10T7-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T7-TRL

MOSFET IXTA180N10T7 TRL

товар відсутній

IXTA180N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA182N055T

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

товар відсутній

IXTA182N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA182N055T7

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

товар відсутній

IXTA182N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA18P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

товар відсутній

IXTA18P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA18P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA18P10T

MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds

товар відсутній

IXTA18P10T

товар відсутній

IXTA1970-TRL

Littelfuse IXTA1970 TRL

товар відсутній

IXTA1970-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IXTA1970TRL

TRENCHT2 POWER MOSFET

товар відсутній

IXTA1N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	308.32 грн
10+	266.35 грн
100+	218.21 грн
500+	174.33 грн

IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1N100P

товар відсутній

IXTA1N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1N100P

MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds

на замовлення 300 шт:

термін постачання 491-500 дні (днів)

2+	209.34 грн
10+	172.22 грн
100+	118.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.55 грн
10+	176.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N100P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA1N120P

MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.64 грн
10+	316.67 грн
50+	223.6 грн
100+	202.21 грн

IXTA1N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.14 грн
10+	280.72 грн
100+	227.08 грн

IXTA1N120P

товар відсутній

IXTA1N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263

товар відсутній

IXTA1N170DHV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-STD

на замовлення 2437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1600.64 грн
10+	1488.89 грн
25+	1276.74 грн
50+	1093.17 грн
100+	1063.49 грн
250+	1037.96 грн
500+	991.72 грн

IXTA1N170DHV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 290W
Case: TO263HV
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 30ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1486.35 грн
50+	1186.41 грн
100+	1112.25 грн

IXTA1N170DHV

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHV-TRL

Littelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHVTRL

IXTA1N170DHVTRL

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 2.3µs
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	704.51 грн
10+	646.03 грн
50+	446.51 грн
100+	396.82 грн
250+	391.3 грн
500+	368.53 грн

IXTA1N200P3HV

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N200P3HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA1N200P3HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1N200P3HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1N200P3HV.

Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 27373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	735.48 грн
25+	632.51 грн
100+	526.45 грн
250+	459.37 грн
500+	397.49 грн
1000+	357.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA1N80

Description: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

товар відсутній

IXTA1R4N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1R4N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.23 грн
50+	167.7 грн
100+	143.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R4N100P

MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.13 грн
10+	197.62 грн
50+	161.49 грн
100+	138.72 грн
250+	131.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R4N100P

товар відсутній

IXTA1R4N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R4N100PTRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1R4N100PTRL

MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR

товар відсутній

IXTA1R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.89 грн
50+	306.1 грн
100+	262.37 грн

IXTA1R4N120P

MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	429.95 грн
10+	355.56 грн
50+	211.87 грн
100+	211.18 грн
500+	207.04 грн
1000+	191.86 грн

IXTA1R4N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 24.8nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1R4N120P

товар відсутній

IXTA1R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R4N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	275.47 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA1R6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.81 грн
50+	196.23 грн
100+	168.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	208.35 грн
100+	170.73 грн

Мінімальне замовлення: 58

IXTA1R6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.39 грн
10+	237.3 грн
50+	174.6 грн
500+	157.35 грн
1000+	129.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA1R6N100D2-TRL

MOSFET IXTA1R6N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA1R6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1R6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 970ns

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.24 грн
50+	289.31 грн
100+	247.98 грн

IXTA1R6N100D2HV

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.24 грн
10+	351.59 грн
50+	279.5 грн
100+	239.48 грн
250+	231.19 грн
500+	227.05 грн

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV-TRL

IXTA1R6N100D2HV-TRL

товар відсутній

IXTA1R6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.81 грн
50+	196.23 грн
100+	168.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.14 грн
10+	241.27 грн
50+	198.07 грн
100+	171.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA200N055T2

MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds

товар відсутній

IXTA200N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA200N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA200N055T2

товар відсутній

IXTA200N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA200N055T2-7

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

MOSFET IXTA200N055T2 TRL

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA200N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

товар відсутній

IXTA200N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

товар відсутній

IXTA200N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263

товар відсутній

IXTA200N085T

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

товар відсутній

IXTA200N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7

товар відсутній

IXTA200N085T7

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

товар відсутній

IXTA20N65X

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA20N65X

товар відсутній

IXTA20N65X

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA20N65X

MOSFET 650V/9A Power MOSFET

товар відсутній

IXTA20N65X-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA20N65X-TRL

MOSFET IXTA20N65X TRL

товар відсутній

IXTA20N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA20N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	418.99 грн
3+	363.71 грн
4+	278.64 грн
10+	263.97 грн

IXTA20N65X2

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	349.16 грн
3+	291.87 грн
4+	232.2 грн
10+	219.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA20N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA220N04T2

товар відсутній

IXTA220N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

товар відсутній

IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA220N04T2 TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

товар відсутній

IXTA220N04T2-7TRL

IXTA220N04T2-7TRL

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

MOSFET IXTA220N04T2 TRL

товар відсутній

IXTA220N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263

товар відсутній

IXTA220N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7

товар відсутній

IXTA230N04T4

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

товар відсутній

IXTA230N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO263
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA230N04T4

товар відсутній

IXTA230N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA230N075T2

MOSFET 230 Amps 75V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA230N075T2

IXTA230N075T2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA230N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	485.99 грн
10+	422.85 грн
100+	350.1 грн

IXTA230N075T2

Trans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA230N075T2-7

MOSFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA230N075T2-7

IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA230N075T2-7

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263

товар відсутній

IXTA240N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA240N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA24N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA24N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns

товар відсутній

IXTA24N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA24N65X2

товар відсутній

IXTA24N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA24N65X2TRL

IXTA24N65X2TRL

товар відсутній

IXTA24P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.63 грн
50+	142.56 грн
100+	122.17 грн
500+	101.92 грн
1000+	87.27 грн
2000+	82.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA24P085T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 83W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -85V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 40ns

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.28 грн
9+	100.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA24P085T

MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA24P085T

на замовлення 22 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	191.38 грн
3+	164.84 грн
9+	120.77 грн
23+	113.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA260N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V

товар відсутній

IXTA260N055T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA260N055T2

товар відсутній

IXTA260N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

MOSFET 260 Amps 55V

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA26P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA26P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263

товар відсутній

IXTA26P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns

товар відсутній

IXTA26P10T

MOSFET TenchP Power MOSFET

товар відсутній

IXTA26P10T

товар відсутній

IXTA26P20P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.87 грн
3+	301.21 грн
8+	284.68 грн

IXTA26P20P

MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.44 грн
10+	448.41 грн
50+	346.45 грн
100+	316.08 грн

IXTA26P20P

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	551.84 грн
3+	375.36 грн
8+	341.61 грн

IXTA26P20P
Код товару: 162385

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA26P20P

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.85 грн
50+	355.78 грн
100+	318.34 грн

IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA26P20P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.99 грн
5+	479.99 грн
10+	455.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA26P20P TRL

IXTA26P20P TRL

товар відсутній

IXTA26P20P-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

на замовлення 1219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.85 грн
10+	382.02 грн
100+	318.34 грн

IXTA26P20P-TRL

MOSFET IXTA26P20P TRL

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.97 грн
10+	419.05 грн
25+	330.57 грн
100+	303.66 грн
250+	286.4 грн
500+	268.46 грн
800+	247.07 грн

IXTA270N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 270A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA270N04T4

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA270N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns

товар відсутній

IXTA270N04T4

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

товар відсутній

IXTA27N20T

Description: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263

товар відсутній

IXTA27N20T

MOSFET 27 Amps 200V 100 Rds

товар відсутній

IXTA28P065T

IXTA28P065T SMD P channel transistors

на замовлення 54 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.8 грн
9+	123.36 грн
23+	116.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA28P065T

MOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds

товар відсутній

IXTA28P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA2N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

товар відсутній

IXTA2N100

MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds

товар відсутній

IXTA2N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.65 грн
7+	132.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA2N100P

MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds

товар відсутній

IXTA2N100P

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	215.53 грн
3+	182.75 грн
7+	159.59 грн
18+	150.97 грн
50+	148.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA2N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

товар відсутній

IXTA2N100P-TRL

MOSFET IXTA2N100P TRL

товар відсутній

IXTA2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA2N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA2R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	477.04 грн
10+	414.87 грн

IXTA2R4N120P

MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	514.49 грн
10+	480.16 грн
50+	351.97 грн
100+	315.39 грн
250+	302.28 грн
500+	278.12 грн
1000+	251.21 грн

IXTA2R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

товар відсутній

IXTA2R4N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA300N04T2

MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds

товар відсутній

IXTA300N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA300N04T2

товар відсутній

IXTA300N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA300N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	262.59 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA300N04T2-7

MOSFET 300 Amps 40V

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.44 грн
10+	368.25 грн
50+	301.59 грн
100+	259.49 грн

IXTA30N25L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	832.53 грн
10+	723.02 грн
25+	611.46 грн
50+	589.37 грн
250+	561.08 грн

IXTA30N65X2

MOSFET MOSFET DISCRETE

товар відсутній

IXTA32N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns

товар відсутній

IXTA32N20T

MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds

товар відсутній

IXTA32N20T

товар відсутній

IXTA32N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32P05T

MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds

на замовлення 311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.9 грн
10+	176.19 грн
50+	129.74 грн
100+	118.01 грн
250+	111.11 грн
500+	100.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

IXTA32P05T SMD P channel transistors

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.8 грн
9+	120.77 грн
23+	113.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.63 грн
50+	142.56 грн
100+	122.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA32P05T-TRL

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA32P05T-TRL

MOSFET IXTA32P05T TRL

товар відсутній

IXTA32P05TTRL

IXYS/Littelfuse

P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220

на замовлення 794 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

33+	19.41 грн
35+	18.11 грн
100+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 33

IXTA32P20T

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32P20T

MOSFET TenchP Power MOSFET

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	662.64 грн
10+	559.52 грн
50+	392.68 грн
100+	369.22 грн
250+	366.46 грн

IXTA32P20T

Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	761.8 грн
5+	724.64 грн
10+	687.48 грн
50+	583.74 грн
100+	487.74 грн
250+	477.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P20T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA32P20T

товар відсутній

IXTA32P20T

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	371.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA32P20T-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

MOSFET IXTA32P20T TRL

товар відсутній

IXTA340N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA340N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.66 грн
10+	319.83 грн
100+	258.76 грн

IXTA340N04T4

товар відсутній

IXTA340N04T4

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

товар відсутній

IXTA340N04T4-7TRL

IXTA340N04T4-7TRL

товар відсутній

IXTA340N04T4-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IXTA34N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA34N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA34N65X2

товар відсутній

IXTA34N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA34N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA34N65X2-TRL

MOSFET IXTA34N65X2 TRL

товар відсутній

IXTA34N65X2-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA34N65X2TRL

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263

товар відсутній

IXTA36N20T

MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds

товар відсутній

IXTA36N30P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 254 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	312.15 грн
3+	266.07 грн
5+	219.12 грн
13+	207.9 грн

IXTA36N30P
Код товару: 52904

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	237.3 грн
2250+	217.88 грн
4500+	203.79 грн
6750+	186.34 грн

Мінімальне замовлення: 51

IXTA36N30P

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.13 грн
3+	213.51 грн
5+	182.6 грн
13+	173.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA36N30P

MOSFET MOSFET N-CH 300V 36A

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.56 грн
10+	306.35 грн
50+	231.19 грн
100+	202.21 грн
250+	197.38 грн
500+	186.34 грн
1000+	164.94 грн

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	229.51 грн
500+	216.24 грн
1000+	179.46 грн
2000+	170.59 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA36N30P

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 2060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.42 грн
50+	259.95 грн
100+	222.82 грн
500+	185.87 грн
1000+	159.15 грн
2000+	149.86 грн

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	186.8 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA36N30P-PDP

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	203.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA36N30P-TRL

MOSFET IXTA36N30P TRL

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30PTRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263

товар відсутній

IXTA36N30T

MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds

товар відсутній

IXTA36P15P

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 2235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	456.13 грн
50+	350.89 грн
100+	313.95 грн
500+	259.97 грн
1000+	233.97 грн
2000+	219.24 грн

IXTA36P15P

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA36P15P

IXTA36P15P SMD P channel transistors

на замовлення 75 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	467.3 грн
3+	339.03 грн
9+	320.91 грн

IXTA36P15P

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36P15P TRL

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	580.51 грн
10+	516.67 грн
25+	428.57 грн
100+	371.98 грн
500+	324.36 грн
800+	275.36 грн
2400+	265.7 грн

IXTA36P15P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	517.93 грн
10+	443.61 грн
25+	419.61 грн
50+	365.91 грн
100+	316.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36P15P-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

товар відсутній

IXTA380N036T4-7-TR

MOSFET IXTA380N036T4-7 TRL

товар відсутній

IXTA380N036T4-7-TR

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA38N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

товар відсутній

IXTA3N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns

товар відсутній

IXTA3N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.54 грн
10+	377.78 грн
50+	204.28 грн

IXTA3N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2

товар відсутній

IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

MOSFET IXTA3N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	402.58 грн
10+	362.32 грн
100+	296.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 200 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

1+	475.84 грн
10+	394.44 грн
50+	323.67 грн
100+	283.64 грн

IXTA3N100D2HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

MOSFET IXTA3N100D2HV TRL

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds

товар відсутній

IXTA3N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	367.4 грн
10+	327.96 грн
25+	324.73 грн
50+	293.01 грн
100+	233.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N100P-TRL

MOSFET IXTA3N100P TRL

товар відсутній

IXTA3N100P-TRL

Description: IXTA3N100P TRL

товар відсутній

IXTA3N110

MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

товар відсутній

IXTA3N110

Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

товар відсутній

IXTA3N110-TRL

Description: IXTA3N110 TRL

товар відсутній

IXTA3N120

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	583.74 грн
5+	542.7 грн
10+	500.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120
Код товару: 190833

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds

на замовлення 4656 шт:

термін постачання 570-579 дні (днів)

1+	608.7 грн
10+	514.29 грн
50+	405.8 грн

IXTA3N120-TRL

High Voltage Power MOSFET

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

MOSFET IXTA3N120 TRL

на замовлення 1580 шт:

термін постачання 306-315 дні (днів)

1+	620.77 грн
10+	521.43 грн
25+	447.2 грн
100+	376.81 грн
250+	372.67 грн
500+	329.19 грн

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	653.41 грн
10+	590.7 грн
25+	555.86 грн
50+	485.25 грн
100+	419.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120-TRR

MOSFET IXTA3N120 TRR

товар відсутній

IXTA3N120-TRR

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N120HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	593.03 грн
5+	565.15 грн
10+	535.74 грн
50+	455.05 грн
100+	379.57 грн
250+	372.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

товар відсутній

IXTA3N120HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	536.76 грн
50+	413.01 грн
100+	369.54 грн

IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 629-638 дні (днів)

1+	589.37 грн
10+	497.62 грн
25+	392.68 грн
100+	360.94 грн
250+	339.54 грн
500+	318.15 грн
800+	293.31 грн

IXTA3N120HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N120HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	757.15 грн
2+	502.5 грн
5+	475.18 грн

IXTA3N150HV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	908.58 грн
2+	626.19 грн
5+	570.22 грн

IXTA3N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N150HV

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

на замовлення 336 шт:

термін постачання 487-496 дні (днів)

1+	805.15 грн
10+	792.86 грн

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

MOSFET IXTA3N150HV TRL

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.98 грн
10+	308.73 грн
50+	232.57 грн
100+	209.11 грн
250+	200.14 грн

IXTA3N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.67 грн
10+	274.61 грн
100+	222.16 грн

IXTA3N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N50D2

товар відсутній

IXTA3N50D2-TRL

MOSFET IXTA3N50D2 TRL

товар відсутній

IXTA3N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N50P

MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA3N50P
Код товару: 131345

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA3N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK

товар відсутній

IXTA3N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	93.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

IXTA3N50P

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	112.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA3N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO263

товар відсутній

IXTA3N60P

MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA42N15T

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.13 грн
10+	207.14 грн
50+	152.52 грн
100+	138.72 грн
250+	131.12 грн
500+	123.53 грн
1000+	112.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA42N25P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 42A; 300W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 42A
On-state resistance: 84mΩ

товар відсутній

IXTA42N25P

товар відсутній

IXTA42N25P

Description: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

товар відсутній

IXTA42N25P

MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds

товар відсутній

IXTA42N25P-TRL

Trans MOSFET N-CH 250V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA42N28P

09+

на замовлення 322 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXTA44N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263

товар відсутній

IXTA44N25T

MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds

товар відсутній

IXTA44N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

товар відсутній

IXTA44N30T

MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds

товар відсутній

IXTA44N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO263

товар відсутній

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T

IXTA44P15T SMD P channel transistors

на замовлення 82 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	442.21 грн
4+	312.28 грн
9+	295.03 грн

IXTA44P15T

MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds

товар відсутній

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.47 грн
50+	336.57 грн
100+	301.14 грн
500+	249.36 грн
1000+	224.42 грн
2000+	210.29 грн

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 22400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	275.93 грн
1600+	239.14 грн
2400+	224.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA44P15T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.8 грн
5+	418.06 грн
10+	385.54 грн
50+	328.53 грн
100+	275.39 грн
250+	270.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

MOSFET MOSFET 150 V

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.6 грн
10+	415.08 грн
25+	338.85 грн
100+	298.83 грн
250+	292.62 грн
500+	257.42 грн
800+	233.95 грн

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 22790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.47 грн
10+	361.38 грн
100+	301.14 грн

IXTA44P15T-TRL

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	385.54 грн
50+	328.53 грн
100+	275.39 грн
250+	270.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

IXTA44P15T-TRL.

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.99 грн
10+	454.45 грн
25+	428.12 грн
50+	373.1 грн
100+	322.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15TTRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA460P2

Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.02 грн
10+	369.15 грн
100+	302.44 грн
500+	241.61 грн

IXTA460P2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA460P2

товар відсутній

IXTA460P2

MOSFET PolarP2 Power MOSFET

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.24 грн
10+	341.27 грн
50+	287.09 грн
100+	236.71 грн
250+	231.19 грн
500+	211.18 грн
1000+	182.19 грн

IXTA48N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 250W
Reverse recovery time: 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 60nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet

товар відсутній

IXTA48N20T

MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds

товар відсутній

IXTA48N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.63 грн
10+	239.53 грн
100+	193.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA48N20T

товар відсутній

IXTA48P05T

MOSFET TenchP Power MOSFET

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	327.7 грн
10+	272.22 грн
50+	222.91 грн
100+	187.72 грн
250+	181.5 грн

IXTA48P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V

на замовлення 3439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	301.6 грн
50+	230.6 грн
100+	197.65 грн
500+	164.88 грн
1000+	141.18 грн
2000+	132.94 грн

IXTA48P05T

IXTA48P05T SMD P channel transistors

товар відсутній

IXTA48P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA48P05T-TRL

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263

товар відсутній

IXTA4N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Drain current: 4A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 44.5nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA4N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N150HV

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2083.73 грн

IXTA4N150HV

товар відсутній

IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

MOSFET IXTA4N150HV TRL

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N150HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263

товар відсутній

IXTA4N60P

MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA4N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA4N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.39 грн
4+	109.27 грн
9+	97.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA4N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

на замовлення 270 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

2+	219 грн
10+	171.43 грн
100+	122.15 грн
250+	119.39 грн
500+	106.97 грн
1000+	89.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N65X2

на замовлення 12 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	158.86 грн
3+	136.17 грн
9+	117.32 грн
24+	111.28 грн
50+	109.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N65X2TRL

IXTA4N65X2TRL

товар відсутній

IXTA4N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.28 грн
7+	124.37 грн
19+	117.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA4N70X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA4N70X2

на замовлення 46 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	222.04 грн
3+	193.5 грн
7+	149.24 грн
19+	140.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N70X2

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA4N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N80P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns

товар відсутній

IXTA4N80P

MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds

товар відсутній

IXTA4N80P

товар відсутній

IXTA4N80P-TRL

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N80P-TRL

MOSFET IXTA4N80P TRL

товар відсутній

IXTA50N20P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns

товар відсутній

IXTA50N20P

товар відсутній

IXTA50N20P

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.42 грн
10+	275.41 грн
100+	222.82 грн
500+	185.87 грн
1000+	159.15 грн

IXTA50N20P

MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.56 грн
10+	306.35 грн
50+	257.42 грн
100+	215.32 грн
250+	208.42 грн
500+	193.24 грн

IXTA50N20P

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

MOSFET IXTA50N20P TRL

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA50N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA50N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA50N25T

товар відсутній

IXTA50N25T

MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.02 грн
10+	338.89 грн
50+	277.43 грн
100+	242.24 грн

IXTA50N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263

товар відсутній

IXTA50N25T-TRL

MOSFET IXTA50N25T TRL

товар відсутній

IXTA50N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263

товар відсутній

IXTA52P10P

MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.97 грн
10+	437.3 грн
50+	365.08 грн
100+	314.7 грн
250+	299.52 грн
500+	276.74 грн
1000+	271.91 грн

IXTA52P10P

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.85 грн
50+	355.78 грн
100+	318.34 грн
500+	263.6 грн
1000+	237.24 грн

IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA52P10P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	432.77 грн
3+	361.6 грн
4+	278.21 грн
9+	263.11 грн

IXTA52P10P

на замовлення 308 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	519.32 грн
3+	450.61 грн
4+	333.85 грн
9+	315.73 грн

IXTA52P10P

Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	517.93 грн
25+	443.61 грн
100+	369.29 грн
250+	323.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 2161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA52P10P-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA52P10P-TRL

MOSFET IXTA52P10P TRL

на замовлення 800 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

1+	495.97 грн
10+	418.25 грн
25+	329.88 грн
100+	302.97 грн
250+	285.71 грн
500+	267.77 грн
800+	247.07 грн

IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA54N30T

MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds

товар відсутній

IXTA54N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263

товар відсутній

IXTA56N15T

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA56N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO263

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	198.02 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA5N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263

товар відсутній

IXTA5N50P

MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds

товар відсутній

IXTA5N60P

MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA5N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA5N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO263

товар відсутній

IXTA60N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC

товар відсутній

IXTA60N10T

MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.12 грн
10+	169.05 грн
100+	114.56 грн
250+	103.52 грн
500+	94.55 грн
1000+	89.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA60N10T

товар відсутній

IXTA60N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T
Код товару: 148376

товар відсутній

IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 6399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.12 грн
10+	108.12 грн
100+	86.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA60N10T-TRL

MOSFET IXTA60N10T TRL

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.12 грн
10+	169.05 грн
100+	116.63 грн
250+	112.49 грн
500+	98 грн
800+	84.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	80.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA60N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA60N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA60N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA60N20T

MOSFET 60 Amps 200V

товар відсутній

IXTA60N20T
Код товару: 108659

товар відсутній

IXTA60N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.29 грн
3+	268.14 грн
4+	214.23 грн
11+	202.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N20T

на замовлення 14 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	385.54 грн
3+	334.15 грн
4+	257.07 грн
11+	242.41 грн

IXTA60N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA60N20T-TRL

MOSFET IXTA60N20T TRL

товар відсутній

IXTA60N20X4

Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

на замовлення 1667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	764.45 грн
50+	587.6 грн
100+	525.74 грн
500+	435.35 грн
1000+	391.81 грн

IXTA60N20X4

MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

на замовлення 947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	830.11 грн
10+	721.43 грн
50+	532.78 грн
100+	507.94 грн
250+	478.26 грн
500+	447.89 грн
1000+	403.04 грн

IXTA62N15P

MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.56 грн
10+	342.86 грн
50+	225.67 грн
100+	201.52 грн

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA62N15P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns

товар відсутній

IXTA62N15P

Description: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA62N15P

товар відсутній

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	335.38 грн
10+	300.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA62N15P

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.42 грн
50+	259.95 грн
100+	222.82 грн

IXTA62N15P-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA62N15P-TRL

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	205.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA62N15P-TRL

MOSFET IXTA62N15P TRL

товар відсутній

IXTA62N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

товар відсутній

IXTA62N25T

MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds

товар відсутній

IXTA64N10L2

Description: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA64N10L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA64N10L2

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA

товар відсутній

IXTA64N10L2

товар відсутній

IXTA64N10L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	987.12 грн
10+	876.98 грн
25+	730.16 грн
50+	703.93 грн
100+	659.07 грн
250+	646.65 грн
500+	605.93 грн

IXTA64N10L2

Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263

товар відсутній

IXTA64N10L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263

товар відсутній

IXTA64N10L2-TRL

MOSFET IXTA64N10L2 TRL

товар відсутній

IXTA6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

на замовлення 3300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	700.48 грн
10+	592.06 грн
50+	467.91 грн
100+	428.57 грн
250+	420.29 грн
500+	386.47 грн
1000+	349.21 грн

IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 41ns

товар відсутній

IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N100D2

товар відсутній

IXTA6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	636.79 грн
10+	525.94 грн
100+	438.32 грн

IXTA6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA6N100D2-TRL

MOSFET IXTA6N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 295 шт:

термін постачання 573-582 дні (днів)

1+	1123.19 грн
10+	853.17 грн
500+	727.4 грн
1000+	710.83 грн

IXTA6N100D2HV

High Voltage MOSFET

товар відсутній

IXTA6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	636.38 грн
2+	424.86 грн
6+	401.86 грн

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	763.66 грн
2+	529.44 грн
6+	482.23 грн

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	653.96 грн
50+	503.11 грн
100+	450.14 грн
500+	372.75 грн
1000+	335.47 грн

IXTA6N50D2

Description: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 1212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	740.12 грн
25+	634.06 грн
100+	527.99 грн
250+	462.96 грн
500+	400.14 грн
1000+	359.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	714.98 грн
10+	690.48 грн
50+	480.33 грн

IXTA6N50D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	218.3 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	412.46 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA6N50D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N50D2-TRL

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 800 шт:

термін постачання 456-465 дні (днів)

1+	700.48 грн
10+	592.86 грн
25+	488.61 грн
100+	429.26 грн
250+	415.46 грн
500+	379.57 грн
800+	363.01 грн

IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	653.96 грн
10+	540.17 грн
100+	450.14 грн

IXTA6N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK

товар відсутній

IXTA6N50P

MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA70N075T2

MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds

товар відсутній

IXTA70N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns

товар відсутній

IXTA70N075T2

товар відсутній

IXTA70N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA70N075T2-TRL

MOSFET IXTA70N075T2 TRL

товар відсутній

IXTA70N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA70N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA70N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA72N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263

товар відсутній

IXTA72N20T

MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds

товар відсутній

IXTA74N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263

товар відсутній

IXTA75N10P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns

товар відсутній

IXTA75N10P

MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	406.6 грн
10+	360.32 грн
50+	296.07 грн
100+	256.04 грн
500+	218.77 грн

IXTA75N10P

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA75N10P

товар відсутній

IXTA75N10P

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA75N10P-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263

товар відсутній

IXTA75N10P-TRL

MOSFET IXTA75N10P TRL

товар відсутній

IXTA76N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA76N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA76N25T

MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds

товар відсутній

IXTA76N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.51 грн
10+	346.43 грн
100+	280.3 грн
500+	233.82 грн
1000+	200.21 грн
2000+	188.52 грн

IXTA76N25T

товар відсутній

IXTA76N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA76N25T-TRL

MOSFET IXTA76N25T TRL

товар відсутній

IXTA76N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	258.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	457.63 грн
10+	403.18 грн
25+	398.81 грн
50+	354.29 грн
100+	262.17 грн
1000+	216.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 1523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	433.54 грн
5+	402.58 грн
10+	371.61 грн
50+	316.31 грн
100+	265.43 грн
250+	260.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns

товар відсутній

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	492.83 грн
28+	429.49 грн
50+	381.54 грн
100+	282.34 грн
1000+	233.23 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA76P10T

товар відсутній

IXTA76P10T
Код товару: 198462

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

IXTA76P10T

MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

на замовлення 2034 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.6 грн
10+	430.16 грн
50+	312.63 грн
100+	287.09 грн
250+	274.67 грн
500+	268.46 грн

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA76P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 3475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.47 грн
50+	336.57 грн
100+	301.14 грн
500+	249.36 грн
1000+	224.42 грн
2000+	210.29 грн

IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	264.92 грн
4000+	262.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76P10T-TRL

MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

товар відсутній

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	379.7 грн
10+	339.93 грн
25+	319.41 грн
100+	283.79 грн
250+	255.16 грн
500+	222.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	408.91 грн
33+	366.07 грн
35+	343.98 грн
100+	305.62 грн
250+	274.79 грн
500+	239.11 грн

Мінімальне замовлення: 30

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	246 грн
4000+	243.56 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA7N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

IXTA80N075L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 357W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1198.44 грн
2+	802.67 грн
4+	730.68 грн

IXTA80N075L2

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	913.76 грн
50+	712.21 грн
100+	670.32 грн
500+	570.1 грн

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N075L2

Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1047.47 грн
5+	985.54 грн
10+	922.05 грн
25+	799.4 грн
100+	684.82 грн

IXTA80N075L2

MOSFET MOSFET N CHANNEL

на замовлення 3777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1001.61 грн
10+	870.63 грн
25+	748.79 грн
50+	720.5 грн
100+	654.93 грн
500+	652.86 грн

IXTA80N075L2

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	998.7 грн
2+	644.12 грн
4+	608.9 грн

IXTA80N075L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA80N075L2-TRL

MOSFET IXTA80N075L2 TRL

товар відсутній

IXTA80N075L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA80N10T

MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

на замовлення 4020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.05 грн
50+	197.71 грн
100+	169.46 грн
500+	141.36 грн
1000+	121.04 грн
2000+	113.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA80N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns

товар відсутній

IXTA80N10T

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA80N10T-TRL

MOSFET IXTA80N10T TRL

товар відсутній

IXTA80N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7

товар відсутній

IXTA80N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Power dissipation: 325W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263

товар відсутній

IXTA80N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263

товар відсутній

IXTA80N12T2

MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs

товар відсутній

IXTA80N12T2

товар відсутній

IXTA86N20T

IXTA86N20T SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA86N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	482.26 грн
10+	417.24 грн
100+	341.87 грн
500+	273.12 грн
1000+	230.34 грн

IXTA86N20T

MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds

товар відсутній

IXTA86N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263

товар відсутній

IXTA86N20T-TRL

MOSFET IXTA86N20T TRL

товар відсутній

IXTA86N20X4

Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 4649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	783.86 грн
50+	610.92 грн
100+	574.99 грн
500+	489.02 грн
1000+	448.55 грн

IXTA86N20X4

MOSFET MSFT 86A 200V X4

на замовлення 2403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	851.05 грн
10+	739.68 грн
25+	625.95 грн
50+	616.98 грн

IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4-TRL

Littelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4-TRL

IXTA86N20X4-TRL

товар відсутній

IXTA88N085T

Trans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA88N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263

товар відсутній

IXTA88N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7

товар відсутній

IXTA8N50P
Код товару: 99415

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA8N50P

MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA8N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA8N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns

товар відсутній

IXTA8N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA8N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.56 грн
8+	118.62 грн
10+	117.9 грн
20+	112.15 грн
50+	109.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA8N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.21 грн
50+	170.05 грн
100+	145.75 грн
500+	121.58 грн
1000+	104.11 грн
2000+	98.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2

на замовлення 56 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	191.38 грн
3+	163.94 грн
8+	142.34 грн
10+	141.48 грн
20+	134.58 грн
50+	131.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.13 грн
10+	215.08 грн
50+	161.49 грн
100+	142.17 грн
250+	136.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA8N65X2TRL

IXTA8N65X2TRL

товар відсутній

IXTA8N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA8N70X2

MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

товар відсутній

IXTA8N70X2

товар відсутній

IXTA8N70X2TRL

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

товар відсутній

IXTA8PN50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

товар відсутній

IXTA90N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N055T2

MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219 грн
10+	180.16 грн
100+	123.53 грн
250+	119.39 грн
500+	111.8 грн
1000+	109.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

товар відсутній

IXTA90N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns

товар відсутній

IXTA90N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA90N055T2

товар відсутній

IXTA90N075T2

MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.53 грн
10+	176.98 грн
50+	149.76 грн
100+	126.29 грн
250+	123.53 грн
500+	118.01 грн
1000+	110.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N075T2-TRL

MOSFET IXTA90N075T2 TRL

товар відсутній

IXTA90N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA90N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO-263

товар відсутній

IXTA90N20X3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 124ns

товар відсутній

IXTA90N20X3

товар відсутній

IXTA90N20X3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Tube

товар відсутній

IXTA90N20X3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N20X3

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

товар відсутній

IXTA90N20X3

Power MOSFET

товар відсутній

IXTA94N20X4

Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA94N20X4

Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V

на замовлення 1142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	605.44 грн
50+	488.55 грн

IXTA94N20X4

MOSFET MSFT 94A 200V X4

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	648.15 грн
50+	598.41 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	492.83 грн
29+	421.04 грн
50+	380.08 грн
100+	304.2 грн
500+	227.08 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA96P085T

MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds

на замовлення 9254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	469.4 грн
10+	448.41 грн
50+	331.26 грн
100+	287.09 грн
500+	269.84 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	467.19 грн
30+	399.03 грн
50+	360.16 грн
100+	288.3 грн

Мінімальне замовлення: 26

IXTA96P085T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	433.54 грн
5+	402.58 грн
10+	371.61 грн
50+	316.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	471.85 грн
27+	451.57 грн
50+	434.37 грн
100+	404.65 грн
250+	363.3 грн

Мінімальне замовлення: 26

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.54 грн
3+	327.81 грн
4+	261.67 грн
9+	247.3 грн

IXTA96P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	431.5 грн
50+	331.94 грн
100+	296.99 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	467.84 грн
10+	402.53 грн
25+	399.58 грн
50+	360.66 грн
100+	288.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	457.63 грн
10+	393.78 грн
25+	390.96 грн
50+	352.93 грн
100+	282.47 грн
500+	210.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

на замовлення 289 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	491.45 грн
3+	408.5 грн
4+	314.01 грн
9+	296.76 грн

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	396.39 грн
35+	350.52 грн
45+	266.52 грн

Мінімальне замовлення: 31

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	368.07 грн
10+	325.48 грн
25+	247.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	371.61 грн
50+	316.31 грн
100+	265.43 грн
250+	260.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.81 грн
10+	302.07 грн
25+	299.11 грн
100+	258.21 грн
250+	236.64 грн
500+	212.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	433.54 грн
5+	402.58 грн
10+	371.61 грн
50+	316.31 грн
100+	265.43 грн
250+	260.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T-TRL

MOSFET IXTA96P085T TRL

на замовлення 3483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	425.93 грн
10+	365.08 грн
25+	305.04 грн
100+	269.84 грн
250+	262.25 грн
500+	240.17 грн
800+	227.05 грн

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	358.42 грн
37+	325.31 грн
38+	322.12 грн
100+	278.08 грн
250+	254.84 грн
500+	228.44 грн

Мінімальне замовлення: 34

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 4598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA98N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263

товар відсутній

IXTA98N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7

товар відсутній

IXTB1909

Description: POWER MOSFET 500V 100AMP

на замовлення 19470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1739.43 грн
10+	1545.17 грн
100+	1319.44 грн
500+	1124.2 грн

IXTB30N100L

MOSFET 30 Amps 1000V

товар відсутній

IXTB30N100L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 1µs
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet

товар відсутній

IXTB30N100L

Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

товар відсутній

IXTB30N100L

Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264

товар відсутній

IXTB30N100L

товар відсутній

IXTB62N50L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 550nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 11 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	4149.01 грн
25+	3931.85 грн

IXTB62N50L

MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4698.06 грн
10+	4349.2 грн
25+	3659.76 грн

IXTB62N50L

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3457.51 грн

IXTB62N50L

Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4137.3 грн
10+	3742.88 грн

IXTC102N20T

Description: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC102N25T