Продукція > MJD

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD112

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112

TO-252

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112 TO252 SMD
Код товару: 202522

товар відсутній

MJD112 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: TO252
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	20.44 грн
25+	11.91 грн
100+	10.09 грн
275+	9.66 грн
500+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD112 TO252 SMD

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	17.03 грн
40+	9.56 грн
100+	8.41 грн
275+	8.05 грн
500+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD112-001

на замовлення 6325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112-001

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD112-1G

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.39 грн
8+	50.47 грн
21+	41.26 грн
57+	39.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112-1G

на замовлення 136 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	72.46 грн
5+	62.89 грн
21+	49.52 грн
57+	46.84 грн
300+	45.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 2065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

253+	47.45 грн
347+	34.51 грн
525+	34.29 грн
1050+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 253

MJD112-1G

Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD112-1G

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.14 грн
10+	62.86 грн
75+	31.88 грн
525+	31.61 грн
1050+	27.33 грн
2475+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 2065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.06 грн
75+	32.04 грн
525+	30.7 грн
1050+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD112-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.67 грн
75+	55.69 грн
150+	44.13 грн
525+	35.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112-1G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD112-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112-TP

Trans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112-TP

Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJD112-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112/117

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112G

транзистор npn DPAK

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

8+	35.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	45.47 грн
541+	22.12 грн
658+	18.2 грн
1050+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 264

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	45.45 грн
15+	42.22 грн
75+	20.54 грн
525+	16.29 грн
1050+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD112G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 2273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.79 грн
75+	35.51 грн
150+	25.77 грн
525+	20.21 грн
1050+	17.2 грн
2025+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 103 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	65.03 грн
8+	34.76 грн
25+	30.02 грн
45+	22.95 грн
122+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

559+	21.43 грн
660+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 559

MJD112G

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	54.19 грн
13+	27.89 грн
25+	25.02 грн
45+	19.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	20.02 грн
525+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD112G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 12225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.18 грн
10+	44.76 грн
75+	20.7 грн
525+	18.01 грн
1050+	15.11 грн
2475+	15.04 грн
9900+	14.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112G

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.95 грн
33+	24.08 грн
100+	23.84 грн
500+	21.85 грн
1000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD112RL

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112RL

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112RL (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 20829

товар відсутній

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.92 грн
10+	55.5 грн
100+	43.21 грн
500+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112RLG

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 14948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.88 грн
10+	60.79 грн
100+	41.13 грн
500+	34.92 грн
1000+	28.43 грн
1800+	26.78 грн
3600+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD112RLG

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

на замовлення 4505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.93 грн
10+	38.33 грн
100+	23.12 грн
500+	19.25 грн
1000+	16.43 грн
2500+	16.36 грн
5000+	13.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Frequency: 25MHz

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	27.87 грн
17+	21.49 грн
25+	19.41 грн
56+	15.17 грн
154+	14.31 грн
2500+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD112T4

Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

10+	26.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.59 грн
5000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 9813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.94 грн
100+	24.17 грн
500+	18.95 грн
1000+	16.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD112T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 2132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.76 грн
14+	58.92 грн
100+	37.47 грн
500+	29.04 грн
1000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4

Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.71 грн
5000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.9 грн
5000+	14.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	33.44 грн
11+	26.79 грн
25+	23.29 грн
56+	18.2 грн
154+	17.17 грн
2500+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD112T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 26922

товар відсутній

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 8985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.43 грн
18+	44.59 грн
100+	28.18 грн
500+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD112T4G

09+

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	35.37 грн
434+	27.58 грн
443+	27.03 грн
513+	22.52 грн
1000+	18.48 грн
3000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 339

MJD112T4G

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.45 грн
18+	34.5 грн
25+	32.84 грн
100+	24.69 грн
250+	22.41 грн
500+	18.58 грн
1000+	16.48 грн
3000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD112T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 23174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.44 грн
10+	41.43 грн
100+	25.12 грн
500+	20.98 грн
1000+	17.87 грн
2500+	15.94 грн
5000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD112T4G

товар відсутній

MJD112T4G

Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 8985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.18 грн
500+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD112T4G

TO-252

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.06 грн
5000+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD112T4G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W

на замовлення 8 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	341.88 грн
10+	285.71 грн

MJD112T4G*************

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD112TF

Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington

товар відсутній

MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD112TF

Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD112TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117

MJD117 Микросхемы

на замовлення 99 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

MJD117

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD117
Код товару: 99164

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
fT: 25 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 А

товар відсутній

MJD117-001

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

товар відсутній

MJD117-1G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 164661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1113+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 1113

MJD117-1G

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.66 грн
18+	43.2 грн
100+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117-1G

09+ TQFP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117-1G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.44 грн
10+	59.44 грн
75+	40.37 грн
525+	31.33 грн
1050+	22.71 грн
2400+	22.08 грн
4800+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

товар відсутній

MJD117-1G

товар відсутній

MJD117-1G

на замовлення 25500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117-1G

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117-1G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube

товар відсутній

MJD117-HF

Comchip Technology

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A

товар відсутній

MJD117-HF

Comchip Technology

Description: TRANS PNP GEN PURP 100V 2A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD117-TP

Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.72 грн
75+	46.07 грн
150+	36.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.21 грн
13+	49.3 грн
75+	36.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD117G
Код товару: 79758

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A

товар відсутній

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.15 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	59.76 грн
75+	34.78 грн
525+	30.09 грн
1050+	24.02 грн
2400+	22.57 грн
4800+	21.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD117G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD117G

Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.13 грн
20+	39.02 грн
100+	36.08 грн
500+	30.7 грн
1000+	20.7 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD117RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117RLG

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.7 грн
5000+	18.75 грн
10000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.7 грн
5000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

на замовлення 1228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.69 грн
10+	45 грн
100+	27.05 грн
500+	22.57 грн
1000+	19.25 грн
2500+	17.12 грн
5000+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD117T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.07 грн
16+	50.94 грн
100+	31.59 грн
500+	24.44 грн
1000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4098 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	32.24 грн
25+	28.22 грн
48+	21.14 грн
130+	19.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.53 грн
5000+	17.64 грн
10000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 7104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.27 грн
10+	41.05 грн
100+	28.44 грн
500+	22.3 грн
1000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD117T4

на замовлення 4098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	26.86 грн
25+	22.64 грн
48+	17.61 грн
130+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD117T4

Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4 PBF
Код товару: 21024

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Дарлінгтон

товар відсутній

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.28 грн
14+	56.05 грн
100+	35.77 грн
500+	27.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD117T4G

MJD117T4G Диоды

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 13658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.74 грн
10+	47.3 грн
100+	32.75 грн
500+	25.68 грн
1000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD117T4G

Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.77 грн
500+	27.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD117T4G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 18975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.63 грн
10+	51.9 грн
100+	31.26 грн
500+	26.16 грн
1000+	22.22 грн
2500+	19.74 грн
5000+	19.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD117T4G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.54 грн
5000+	19.65 грн
12500+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD117T4G*********

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117TF

Description: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 24798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

MJD117TF

Darlington Transistors PNP Silicon Darl

на замовлення 18518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD117TF

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.47 грн
17+	35.44 грн
25+	35.12 грн
50+	33.56 грн
100+	20.63 грн
250+	19.61 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD117TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD117TF

Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD117TF-FS

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD122

YFW

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD122

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.1 грн
11+	26.46 грн
100+	18.42 грн
500+	13.49 грн
1000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD122 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 23955

товар відсутній

MJD122 TO252 SMD
Код товару: 181912

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

MJD122 TO252 SMD

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Power dissipation: 1.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	15.02 грн
40+	10.21 грн
100+	8.55 грн
275+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJD122 TO252 SMD

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	18.02 грн
25+	12.72 грн
100+	10.27 грн
275+	9.75 грн
3000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122-1

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 2784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.93 грн
75+	52.32 грн
150+	41.46 грн
525+	32.98 грн
1050+	26.86 грн
2025+	25.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1

Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector

на замовлення 4937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.18 грн
10+	68.81 грн
75+	38.85 грн
525+	33.06 грн
1050+	25.67 грн
5025+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122-1

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD122-1

Description: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.72 грн
19+	42.04 грн
100+	39.41 грн
500+	34.08 грн
1000+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122-1G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122-1G

Darlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V

товар відсутній

MJD122-1G

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.13 грн
5000+	20.19 грн
12500+	18.7 грн
25000+	17.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD122-TP

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122-TP

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 53561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	48.6 грн
100+	33.66 грн
500+	26.39 грн
1000+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK

на замовлення 15812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.43 грн
10+	54.05 грн
100+	32.02 грн
500+	26.78 грн
1000+	22.77 грн
2500+	20.63 грн
5000+	19.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122/127

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

на замовлення 397 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

6+	55.84 грн
10+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 8025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1650+	28.9 грн
2700+	28.61 грн
5400+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 1650

MJD122G

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.61 грн
8+	49.75 грн
23+	38.1 грн
61+	36.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD122G

On Semiconductor

NPN Darl. DPAK

на замовлення 225 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 8358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	53.66 грн
293+	40.92 грн
525+	37.39 грн
1050+	30.04 грн
2700+	27.47 грн
5400+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 223

MJD122G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 10283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.12 грн
10+	64.76 грн
75+	38.3 грн
525+	33.95 грн
1050+	27.26 грн
2700+	26.36 грн
5400+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122G

Description: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.53 грн
20+	40.03 грн
100+	37.86 грн
500+	33.07 грн
1000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 8367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.21 грн
12+	49.99 грн
75+	38.12 грн
525+	33.59 грн
1050+	25.91 грн
2700+	24.57 грн
5400+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122G

на замовлення 130 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	71.53 грн
5+	61.99 грн
23+	45.72 грн
61+	43.22 грн
750+	42.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	61.02 грн
275+	43.52 грн
525+	39.1 грн
1050+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 197

MJD122G

ON-Semicoductor

darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 smd TMJD122t4
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 299 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

25+	35.59 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD122G
Код товару: 165785

товар відсутній

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	65.75 грн
11+	56.66 грн
75+	40.41 грн
525+	35.01 грн
1050+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD122G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 4148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.16 грн
75+	56.51 грн
150+	44.78 грн
525+	35.62 грн
1050+	29.02 грн
2025+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 8367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122GT4G

BIP

товар відсутній

MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD122RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122RLG

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122RLG

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD122RLG

Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 684-693 дні (днів)

6+	55.56 грн
10+	48.17 грн
100+	32.09 грн
500+	25.4 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122T4

Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5204 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	70.61 грн
5+	61.19 грн
10+	57.37 грн
25+	47.19 грн
48+	21.39 грн
131+	20.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD122T4

Description: TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	12.88 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4

Darlington Transistors NPN Power Darlington

на замовлення 18360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.9 грн
10+	51.35 грн
100+	30.92 грн
500+	26.36 грн
1000+	22.5 грн
2500+	20.01 грн
5000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122T4

STMicroelectronics NV

NPN Darl. DPAK

на замовлення 348 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	36.98 грн
18+	33.75 грн
100+	26.56 грн
500+	22.5 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJD122T4

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.99 грн
10+	46.87 грн
100+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD122T4

на замовлення 5204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.84 грн
8+	49.1 грн
10+	47.81 грн
25+	39.32 грн
48+	17.83 грн
131+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4

Trans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30180

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 A
h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон

товар відсутній

MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 23269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.49 грн
13+	64.49 грн
100+	40.64 грн
500+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD122T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.65 грн
10+	61.11 грн
100+	36.23 грн
500+	30.92 грн
1000+	26.36 грн
2500+	22.98 грн
5000+	22.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD122T4G

Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

на замовлення 2 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	142.45 грн
10+	63.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4G

товар відсутній

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4G

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 23269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.64 грн
500+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD122T4G

товар відсутній

MJD122T4G

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122T4G

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122T4G*************

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD122TF
Код товару: 101877

товар відсутній

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122TF

Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD122TF

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD122TF

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

на замовлення 6389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD122TF

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127

YFW

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar

товар відсутній

MJD127

LGE

PNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD127

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.1 грн
11+	26.46 грн
100+	18.42 грн
500+	13.49 грн
1000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD127 TO252 SMD

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	18.95 грн
25+	12.72 грн
100+	10.23 грн
275+	9.67 грн
3000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD127 TO252 SMD

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	15.79 грн
40+	10.21 грн
100+	8.52 грн
275+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD127-1

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127-LGE
Код товару: 161555

товар відсутній

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127-TP

Trans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK

на замовлення 6883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.67 грн
10+	56.9 грн
100+	34.3 грн
500+	28.64 грн
1000+	24.36 грн
2500+	21.12 грн
5000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD127-TR

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	80.4 грн
10+	76.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD127G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 334 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.32 грн
5+	65.75 грн
22+	47.45 грн
59+	44.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD127G
Код товару: 50655

товар відсутній

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	66.07 грн
10+	63.18 грн
75+	38.29 грн
525+	35.07 грн
1050+	27.53 грн
2700+	25.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD127G

Description: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.9 грн
17+	47.07 грн
100+	43.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.56 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD127G

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.77 грн
22+	39.54 грн
59+	37.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD127G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.93 грн
10+	78.25 грн
75+	35.96 грн
525+	33.06 грн
1050+	27.95 грн
2700+	27.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD127G

Транз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;

на замовлення 300 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

6+	55.84 грн
10+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	68.17 грн
290+	41.31 грн
525+	39.25 грн
1050+	32.08 грн
2700+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 176

MJD127G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 12515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.64 грн
75+	60.09 грн
150+	47.61 грн
525+	37.87 грн
1050+	30.85 грн
2025+	29.04 грн
5025+	27.21 грн
10050+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD127G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD127RLG

Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 449-458 дні (днів)

5+	64.41 грн
10+	56.35 грн
100+	37.54 грн
500+	29.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD127RLG

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD127RLG

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127RLG

8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD127S-TP

Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A

товар відсутній

MJD127S-TP

Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 1354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53 грн
10+	44.14 грн
100+	30.58 грн
500+	23.98 грн
1000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	26.55 грн
25+	21.57 грн
57+	14.81 грн
157+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.05 грн
5000+	21.75 грн
10000+	20.25 грн
25000+	19.3 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4

Darlington Transistors PNP Power Darlington

на замовлення 3662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.92 грн
10+	48.41 грн
100+	29.19 грн
500+	24.29 грн
1000+	20.7 грн
2500+	19.19 грн
5000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	31.87 грн
25+	26.88 грн
57+	17.77 грн
157+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.81 грн
5000+	21.51 грн
10000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 1354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4

Description: TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.44 грн
5000+	20.22 грн
10000+	17.61 грн
25000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4
Код товару: 180295

товар відсутній

MJD127T4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

на замовлення 3808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.11 грн
15+	53.88 грн
100+	34.06 грн
500+	26.31 грн
1000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD127T4

Trans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.18 грн
5000+	19.97 грн
10000+	17.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.41 грн
500+	29.69 грн
1000+	21.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.39 грн
5000+	18.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD127T4G
Код товару: 180192

товар відсутній

MJD127T4G

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.9 грн
14+	57.6 грн
100+	40.41 грн
500+	29.69 грн
1000+	21.9 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD127T4G

Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4G

товар відсутній

MJD127T4G

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 7942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.75 грн
10+	44.79 грн
100+	31.01 грн
500+	24.31 грн
1000+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4G

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

на замовлення 27507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.92 грн
10+	49.05 грн
100+	29.54 грн
500+	24.64 грн
1000+	20.98 грн
2500+	18.7 грн
5000+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD127T4G

Биполярный транзистор PNP DARL 100V 8A DPak

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	68.38 грн
10+	55.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD127T4G

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127T4G*************

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	52.19 грн
14+	43.84 грн
25+	41.19 грн
50+	37.14 грн
100+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD127TF

Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127TF

Darlington Transistors PNP Si Transistor Darlington

на замовлення 7163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD127TF

Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD127Т4
Код товару: 26825

товар відсутній

MJD128

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD128T4

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD128T4

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD128T4G

Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR

на замовлення 4396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.92 грн
10+	49.76 грн
100+	38.03 грн
500+	33.82 грн
1000+	27.95 грн
2500+	25.95 грн
5000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD128T4G

товар відсутній

MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD128T4G

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.43 грн
10+	54.64 грн
100+	42.5 грн
500+	33.81 грн
1000+	27.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD128T4G

Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD128T4G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13003

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13003A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13003C

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13005

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD13005T4G

на замовлення 52900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD148

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD148-QJ

Description: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.14 грн
500+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

товар відсутній

MJD148-QJ

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	41.26 грн
23+	34.22 грн
100+	22.14 грн
500+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJD148-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD148-Q/SOT428/DPAK

на замовлення 2282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.19 грн
11+	29.6 грн
100+	17.87 грн
500+	14.01 грн
1000+	11.39 грн
2500+	9.66 грн
10000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD148-QJ

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148-QJ

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 2119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.85 грн
11+	26.96 грн
100+	18.77 грн
500+	13.75 грн
1000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 6096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.34 грн
11+	28.32 грн
100+	19.71 грн
500+	14.44 грн
1000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD148J

Bipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK

на замовлення 2219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.91 грн
11+	30.48 грн
100+	18.77 грн
500+	14.7 грн
1000+	11.66 грн
2500+	10.08 грн
10000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	35.61 грн
27+	29.42 грн
100+	18.97 грн
500+	13.87 грн
1000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148J

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD148J

Description: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.97 грн
500+	13.87 грн
1000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD148J

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 282493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.51 грн
10+	42.85 грн
100+	29.7 грн
500+	23.29 грн
1000+	19.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD148T4G

Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD148T4G

Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 280000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.54 грн
5000+	17.82 грн
12500+	16.5 грн
25000+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD148T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN

на замовлення 6581 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.39 грн
10+	46.98 грн
100+	28.3 грн
500+	23.67 грн
1000+	20.15 грн
2500+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD148T4G*************

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2T4

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2T4G

на замовлення 52900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

товар відсутній

MJD18002D2T4G

Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD18002D2T4G

Description: TRANS NPN 450V 2A DPAK

товар відсутній

MJD18004D2T4G

на замовлення 52900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD20

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD200

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD200

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

товар відсутній

MJD200-001

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200-1

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD200G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

на замовлення 7909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.95 грн
12+	28.73 грн
75+	17.12 грн
525+	15.73 грн
1050+	14.22 грн
2700+	13.39 грн
5400+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.75 грн
13+	45.61 грн
100+	34.98 грн
500+	26.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD200G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

на замовлення 3701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53 грн
10+	45 грн
100+	34.5 грн
500+	25.59 грн
1000+	20.47 грн
2000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD200G

07+;

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200RLG

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.7 грн
10+	46.67 грн
100+	31.06 грн
500+	24.57 грн
1000+	19.67 грн
1800+	17.81 грн
3600+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD200RLG

TO252

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200RLG

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53 грн
10+	45.15 грн
100+	34.59 грн
500+	25.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD200RLG

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1202+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 1202

MJD200T4

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD200T4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

товар відсутній

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 4601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.29 грн
10+	38.03 грн
100+	28.4 грн
500+	20.94 грн
1000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD200T4G

08+ QFP

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

на замовлення 6168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.16 грн
11+	30.63 грн
100+	21.6 грн
500+	18.43 грн
1000+	14.35 грн
2500+	12.49 грн
10000+	11.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200T4G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD200T4G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4G
Код товару: 132801

товар відсутній

MJD200T4G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD200T4G

на замовлення 6030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD200T5G

TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

товар відсутній

MJD200T5G

Description: TRANS NPN 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD2055T4

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

товар відсутній

MJD210

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD210

FSC

0832+ LQFP48

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210-1

на замовлення 2072 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210-TF

SAMSUNG

SOT-252

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.03 грн
10+	39.68 грн
100+	30.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210G
Код товару: 62981

товар відсутній

MJD210G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD210G

MJD210G PNP SMD Darlington transistors

на замовлення 32 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	85.75 грн
41+	24.76 грн
112+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD210G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.72 грн
10+	43.97 грн
75+	29.19 грн
525+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD210G

Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.77 грн
34+	22.99 грн
100+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJD210LT4

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210LT4

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210LTO-251

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210LTO-252T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 15900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1603+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 1603

MJD210RL

MOT

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210RL

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.62 грн
15+	40.39 грн
25+	38.89 грн
100+	29.27 грн
250+	26.81 грн
500+	21.37 грн
1000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.02 грн
10+	41.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD210RLG

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

товар відсутній

MJD210RLG

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.53 грн
10+	44.44 грн
100+	30.23 грн
250+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210RLG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	17.94 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD210RLG

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

802+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 802

MJD210T4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4

07+ TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4

Description: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

900+	40.8 грн

Мінімальне замовлення: 900

MJD210T4

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210T4/J210

на замовлення 13700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210T4G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 66981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.29 грн
10+	38.24 грн
100+	28.58 грн
500+	21.07 грн
1000+	16.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD210T4G

07+;

на замовлення 9675 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210T4G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP

на замовлення 11993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.75 грн
10+	46.03 грн
100+	29.81 грн
500+	23.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210T4G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD210T4G

Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.63 грн
5000+	14.29 грн
12500+	13.27 грн
25000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD210T4G
Код товару: 132802

товар відсутній

MJD210T4G*************

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

на замовлення 1145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210TF

на замовлення 3014 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD210TF

Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD210TF

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR

на замовлення 14921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 1110

MJD210TM

MJD210TM^FAIRCHILD

товар відсутній

MJD243

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD243
Код товару: 20318

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

MJD243

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJD243

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

товар відсутній

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	44.12 грн
274+	43.68 грн
500+	33.75 грн
1000+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 272

MJD243G

Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.57 грн
75+	27.64 грн
150+	26.24 грн
525+	23 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD243G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.12 грн
10+	55.32 грн
75+	37.41 грн
525+	31.68 грн
1050+	25.81 грн
2550+	24.29 грн
4950+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	60.59 грн
15+	40.97 грн
100+	40.56 грн
500+	30.22 грн
1000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

429+	27.91 грн
2550+	27.63 грн

Мінімальне замовлення: 429

MJD243G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1650+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 1650

MJD243G
Код товару: 133000

товар відсутній

MJD243G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 6458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	49.17 грн
100+	38.23 грн
500+	30.41 грн
1000+	24.77 грн
2000+	23.32 грн
5000+	21.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD243T4

Description: TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJD243T4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD243T4

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	52.04 грн
13+	45.94 грн
25+	45.06 грн
100+	33.08 грн
250+	30.32 грн
500+	23.23 грн
1000+	16.32 грн
3000+	16.2 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD243T4G

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.3 грн
16+	49.32 грн
100+	31.12 грн
500+	24.15 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD243T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

на замовлення 13839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.95 грн
10+	46.03 грн
100+	27.74 грн
500+	23.19 грн
1000+	19.12 грн
2500+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD243T4G
Код товару: 172041

товар відсутній

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD243T4G

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.12 грн
500+	24.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD243T4G

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 2906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.76 грн
10+	42.49 грн
100+	29.38 грн
500+	23.04 грн
1000+	19.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD243T4G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	48.53 грн
324+	36.94 грн
328+	36.58 грн
500+	28.15 грн
1000+	18.3 грн
3000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 247

MJD243T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2474T4

на замовлення 3090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD253
Код товару: 20319

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

MJD253

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD253

onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F

товар відсутній

MJD253-001

Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJD253-001

на замовлення 2913 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD253-1G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD253-1G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

на замовлення 1068 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.91 грн
10+	40.24 грн
75+	27.12 грн
1050+	20.98 грн
2550+	14.63 грн
11550+	12.77 грн
26400+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD253-1G
Код товару: 133001

товар відсутній

MJD253-1G

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.76 грн
10+	42.49 грн
100+	29.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4

Description: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJD253T4

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.08 грн
5000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.73 грн
5000+	11.99 грн
12500+	11.98 грн
25000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD253T4G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP

на замовлення 43208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.23 грн
13+	25.56 грн
100+	17.18 грн
500+	14.56 грн
1000+	12.56 грн
2500+	10.9 грн
10000+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD253T4G
Код товару: 172039

товар відсутній

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4G

Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	36.31 грн
25+	31.04 грн
100+	20.75 грн
500+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

612+	19.57 грн
693+	17.28 грн
700+	17.11 грн
750+	15.4 грн
1000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 612

MJD253T4G

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 11667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.82 грн
10+	31.92 грн
100+	22.21 грн
500+	16.27 грн
1000+	13.23 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD253T4G

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.75 грн
500+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD253T4G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	18.62 грн
33+	18.17 грн
100+	15.47 грн
250+	14.19 грн
500+	12.71 грн
1000+	11.4 грн

Мінімальне замовлення: 32

MJD253T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2873-QJ

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

товар відсутній

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.14 грн
5000+	10.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2873-QJ

товар відсутній

MJD2873-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD2873-Q/SOT428/DPAK

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.84 грн
11+	31.59 грн
100+	20.5 грн
500+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD2873-QJ

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 9557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.85 грн
11+	27.25 грн
100+	18.9 грн
500+	13.85 грн
1000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.61 грн
12+	25.16 грн
100+	18.8 грн
500+	13.86 грн
1000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2873J

Bipolar Transistors - BJT MJD2873/SOT428/DPAK

на замовлення 6745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.06 грн
12+	28.65 грн
100+	18.63 грн
500+	14.63 грн
1000+	11.32 грн
2500+	10.28 грн
5000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2873J

Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W

товар відсутній

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.59 грн
11+	27.61 грн
100+	20.63 грн
500+	15.21 грн
1000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD2873Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.86 грн
5000+	10.68 грн
12500+	9.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2873Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 2271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.46 грн
12+	28.65 грн
100+	18.63 грн
500+	14.63 грн
1000+	11.66 грн
2500+	9.87 грн
10000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD2955

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

MJD2955

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD2955

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

товар відсутній

MJD2955

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD2955

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD2955

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955-001

Description: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 2219

MJD2955-001

Description: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2700+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 2700

MJD2955-001

товар відсутній

MJD2955-1G

на замовлення 4080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955-1G

на замовлення 42025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	23.38 грн

Мінімальне замовлення: 888

MJD2955-1G

товар відсутній

MJD2955-1G

Description: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 42025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1125+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 1125

MJD2955-1G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD2955-T4

09+

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1725+	25.9 грн

Мінімальне замовлення: 1725

MJD2955G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.63 грн
10+	54.37 грн
75+	33.95 грн
525+	27.05 грн
1050+	23.26 грн
1950+	21.6 грн
5850+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD2955G

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 5...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 192 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	63.17 грн
6+	51.06 грн
25+	46.76 грн
29+	36.06 грн
78+	34.08 грн
2025+	32.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.23 грн
22+	27.84 грн
100+	27.01 грн
500+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

303+	39.54 грн
375+	36.13 грн
750+	33.62 грн
1125+	30.58 грн

Мінімальне замовлення: 303

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	59.24 грн
16+	38.45 грн
100+	36.37 грн
500+	29.06 грн
1000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD2955G

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.7 грн
75+	52.54 грн
150+	38.13 грн
525+	29.9 грн
1050+	25.45 грн
2025+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD2955G

на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.64 грн
9+	40.98 грн
25+	38.96 грн
29+	30.05 грн
78+	28.4 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD2955G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	41.41 грн
306+	39.17 грн
500+	32.46 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 289

MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD2955RLG

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD2955RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V

товар відсутній

MJD2955RLG

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor

товар відсутній

MJD2955T4

Description: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

товар відсутній

MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

товар відсутній

MJD2955T4

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD2955T4

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD2955T4

Trans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.48 грн
5000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP

на замовлення 7229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.69 грн
10+	44.37 грн
100+	26.71 грн
500+	22.36 грн
1000+	18.98 грн
2500+	16.91 грн
5000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.37 грн
5000+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60 грн
16+	50.48 грн
100+	35.23 грн
500+	25.81 грн
1000+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955T4G

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 5825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.52 грн
10+	40.47 грн
100+	27.99 грн
500+	21.95 грн
1000+	18.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD2955T4G

Description: ONSEMI - MJD2955T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 172473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1366+	27.1 грн

Мінімальне замовлення: 1366

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955T4G

SOP8

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.98 грн
5000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955T4G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.41 грн
5000+	16.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD2955T4G

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.23 грн
500+	25.81 грн
1000+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD2955T4G

на замовлення 109930 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD2955T4G

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 1025

MJD2955TF

Description: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 460746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD2955TF

Description: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 460746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 1025

MJD2955TF

товар відсутній

MJD2955TF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 5535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD2955TF

Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD2955VT4

на замовлення 6210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD29C

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD29C

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD29CTF

Description: TRANS NPN 100V 1A DPAK

товар відсутній

MJD29CTF

на замовлення 980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD3055

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD3055

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

товар відсутній

MJD3055

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055

N/A

на замовлення 1721 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD3055G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	245.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJD3055G

товар відсутній

MJD3055G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

товар відсутній

MJD3055G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD3055RLG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD3055RLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V

на замовлення 8011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.65 грн
10+	50.08 грн
100+	30.09 грн
500+	25.19 грн
1000+	23.19 грн
1800+	18.01 грн
3600+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055RLG

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.75 грн
10+	45.07 грн
100+	31.2 грн
500+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055RLG

BIP DPAK NPN 10A 60V TR

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD3055T4

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 5...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Description: TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD3055T4

Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 4105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.76 грн
10+	70.63 грн
100+	47.83 грн
500+	40.51 грн
1000+	32.99 грн
2500+	29.81 грн
5000+	29.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD3055T4

товар відсутній

MJD3055T4

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJD3055T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 171011

товар відсутній

MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 24067

товар відсутній

MJD3055T4G

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.8 грн
5000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD3055T4G

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN

на замовлення 3780 шт:

термін постачання 126-135 дні (днів)

6+	58.37 грн
10+	49.21 грн
100+	30.09 грн
500+	25.19 грн
1000+	21.46 грн
2500+	19.05 грн
5000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4G

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055T4G

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.71 грн
14+	55.43 грн
100+	42.5 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4G

на замовлення 11440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.5 грн
10+	45.72 грн
100+	31.64 грн
500+	24.8 грн
1000+	21.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD3055T4G

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055T4G*************

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055TF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 9881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD3055TF

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD3055TF

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD3055TF

Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W

товар відсутній

MJD30CTF

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR

товар відсутній

MJD31

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31B

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31BT4

07+ TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31BT4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31C

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

товар відсутній

MJD31C

YZPST

Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
кількість в упаковці: 75 шт

на замовлення 105 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

75+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 75

MJD31C

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31C

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD31C

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

товар відсутній

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.13 грн
5000+	10.17 грн
12500+	9.45 грн
25000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.65 грн
24+	24.77 грн
25+	24.54 грн
100+	15.88 грн
250+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 21

MJD31C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT

на замовлення 1506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.46 грн
11+	28.89 грн
100+	15.67 грн
500+	14.15 грн
1000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31C-13

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.41 грн
500+	19.99 грн
1000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

453+	26.43 грн

Мінімальне замовлення: 453

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31C-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 33897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.85 грн
11+	27.17 грн
100+	18.89 грн
500+	13.85 грн
1000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31C-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31C-13

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.7 грн
20+	40.64 грн
100+	27.41 грн
500+	19.99 грн
1000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD31C-ITU

на замовлення 20150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31C-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

товар відсутній

MJD31C-TP

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31C-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJD31C1

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31C1G

товар відсутній

MJD31C1G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

товар відсутній

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31C1G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31CAJ

Description: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.83 грн
27+	28.88 грн
100+	19.2 грн
500+	14.02 грн
1000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 23

MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.3 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CA/SOT428/DPAK

на замовлення 61635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.21 грн
11+	30 грн
100+	17.74 грн
500+	13.94 грн
1000+	11.66 грн
2500+	9.52 грн
10000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CAJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD31CAJ

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.2 грн
500+	14.02 грн
1000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CAJ

Description: MJD31CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.58 грн
10+	30.05 грн
100+	20.87 грн
500+	15.29 грн
1000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CAJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CEITU

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

товар відсутній

MJD31CEITU

Description: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5040+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 5040

MJD31CEITU

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 3857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	22.37 грн

Мінімальне замовлення: 952

MJD31CETF

NPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

товар відсутній

MJD31CETF

Description: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

MJD31CG

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube

на замовлення 702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.33 грн
10+	42.34 грн
26+	32.92 грн
71+	31.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CG
Код товару: 117657

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	62.13 грн
11+	53.91 грн
75+	36.94 грн
525+	30.86 грн
1050+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31CG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.47 грн
75+	47.11 грн
150+	37.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CG

на замовлення 702 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	61.59 грн
10+	52.77 грн
26+	39.51 грн
71+	37.35 грн
750+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD31CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

на замовлення 8370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.16 грн
10+	55.48 грн
75+	33.47 грн
525+	29.33 грн
1050+	24.5 грн
2550+	23.6 грн
3375+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD31CG

Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.73 грн
22+	35.84 грн
100+	32.98 грн
500+	27.96 грн
1000+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD31CG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 2244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	57.32 грн
305+	39.28 грн
525+	34.02 грн
1050+	27.7 грн

Мінімальне замовлення: 209

MJD31CH-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W

товар відсутній

MJD31CH-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

товар відсутній

MJD31CH-13

NPN Medium Power Transistor

товар відсутній

MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.58 грн
10+	29.83 грн
100+	20.72 грн
500+	15.18 грн
1000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CH-QJ

Description: BJT - MJD SERIES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

MJD31CH-QJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CH-QJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31CH-Q/SOT428/DPAK

товар відсутній

MJD31CHE3-TP

MJD31CHE3-TP

товар відсутній

MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	48.6 грн
100+	33.66 грн
500+	26.39 грн
1000+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD31CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT Power Transistor

товар відсутній

MJD31CHE3-TP

Description: NPN TRANSISTORS, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252

товар відсутній

MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.5 грн
5000+	11.42 грн
12500+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CHQ-13

100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101

товар відсутній

MJD31CHQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 2277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.69 грн
10+	33.57 грн
100+	21.81 грн
500+	17.12 грн
1000+	13.66 грн
2500+	11.53 грн
10000+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CHQ-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.33 грн
10+	30.48 грн
100+	21.21 грн
500+	15.54 грн
1000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 60438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	13.98 грн

Мінімальне замовлення: 1480

MJD31CITU

Description: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 60438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5040+	14.32 грн

Мінімальне замовлення: 5040

MJD31CITU

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

товар відсутній

MJD31CITU

Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CJ

Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	30.04 грн
50+	22.3 грн
100+	14.55 грн
500+	12.29 грн
1000+	10.15 грн

Мінімальне замовлення: 26

MJD31CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJD31CJ

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.75 грн
25+	29.73 грн
50+	28.65 грн
100+	26.51 грн
250+	25.43 грн
500+	25.42 грн
1000+	25.4 грн
3000+	25.39 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.57 грн
5000+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

374+	32 грн
375+	31.96 грн
500+	30.8 грн
1000+	28.5 грн
3000+	27.34 грн
6000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 374

MJD31CJ

на замовлення 2129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.55 грн
500+	12.29 грн
1000+	10.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	29.31 грн
25+	24.56 грн
100+	13.24 грн
1000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 21

MJD31CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD31C/SOT428/DPAK

на замовлення 10642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.68 грн
13+	25.63 грн
100+	12.15 грн
1000+	9.87 грн
2500+	8.28 грн
10000+	8.01 грн
25000+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD31CJ

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

453+	26.44 грн
840+	14.26 грн
1041+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 453

MJD31CJ

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 8534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.37 грн
13+	23.36 грн
100+	16.23 грн
500+	11.9 грн
1000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 77846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	35.8 грн
100+	24.78 грн
500+	19.43 грн
1000+	16.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CQ-13

Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.24 грн
19+	42.43 грн
100+	26.48 грн
500+	20.56 грн
1000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 6283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
10+	39.29 грн
100+	23.6 грн
500+	19.74 грн
1000+	16.84 грн
2500+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.3 грн
5000+	14.87 грн
12500+	13.77 грн
25000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 127500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD31CQ-13

на замовлення 2348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.48 грн
500+	20.56 грн
1000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CRL

SOT252/2.5

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31CRL

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.6 грн
500+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CRLG

Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.48 грн
12+	69.13 грн
100+	45.6 грн
500+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CRLG

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.41 грн
10+	52.54 грн
100+	32.92 грн
500+	28.16 грн
1000+	25.26 грн
1800+	23.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CRLG

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.47 грн
10+	48.02 грн
100+	37.33 грн
500+	29.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJD31CS-TP

MJD31CS-TP

товар відсутній

MJD31CS-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK

товар відсутній

MJD31CS-TP

Description: TRANSISTOR NPN DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJD31CS-TP

MJD31CS-TP

товар відсутній

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.83 грн
5000+	23.58 грн
10000+	22.46 грн
12500+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 1284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.92 грн
10+	58.97 грн
100+	35.47 грн
500+	29.68 грн
1000+	25.26 грн
2500+	21.74 грн
5000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 11838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.2 грн
10+	53.77 грн
100+	37.22 грн
500+	29.18 грн
1000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4

на замовлення 1757 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	23.23 грн
25+	20.16 грн
68+	14.92 грн
186+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 3749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.97 грн
12+	65.81 грн
100+	41.42 грн
500+	32.13 грн
1000+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31CT4

на замовлення 1757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	19.35 грн
25+	16.17 грн
68+	12.44 грн
186+	11.79 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.41 грн
5000+	22.18 грн
10000+	21.13 грн
12500+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.48 грн
5000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4

STMicroelectronics NV

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 29 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJD31CT4

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.67 грн
5000+	30.89 грн
10000+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.93 грн
12+	67.35 грн
100+	48.62 грн
500+	38.24 грн
1000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJD31CT4-A

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

товар відсутній

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.27 грн
5000+	28.68 грн
10000+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.91 грн
10+	58.45 грн
100+	45.44 грн
500+	36.15 грн
1000+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4-A

товар відсутній

MJD31CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS

на замовлення 4348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.62 грн
10+	57.38 грн
100+	39.48 грн
500+	34.44 грн
1000+	29.54 грн
2500+	28.09 грн
5000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.7 грн
15+	41.96 грн
25+	31.58 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD31CT4-A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4-A

Trans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CT4G

товар відсутній

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

на замовлення 23800 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

8+	44.93 грн
11+	30 грн
100+	20.63 грн
500+	17.67 грн
1000+	14.49 грн
2500+	12.28 грн
10000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.2 грн
19+	32.74 грн
35+	17.05 грн
100+	16.28 грн
250+	14.92 грн
500+	14.18 грн
1000+	12.04 грн
3000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD31CT4G

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31CT4G

ON-Semicoductor

Darl. NPN 3A 100V 1.55W MJD31CRLG(T&R), MJD31CT4G(T&R), MJD31CG(Tube) MJD31CG ONS TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 2060 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJD31CT4G

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

652+	18.36 грн
659+	18.18 грн
665+	18 грн
672+	17.18 грн
1000+	13.5 грн
3000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 652

MJD31CT4G

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 12366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.7 грн
19+	40.95 грн
100+	27.56 грн
500+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD31CT4G

товар відсутній

MJD31CT4GMJD32CG

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31CTF

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD31CTF-FS

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF_NBDD001

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CTF_SBDD001A

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 280000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.6 грн
5000+	16.06 грн
12500+	14.87 грн
25000+	13.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.44 грн
10+	42.38 грн
100+	25.53 грн
500+	21.39 грн
1000+	18.15 грн
2500+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

MJD31CUQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 281980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.29 грн
10+	38.6 грн
100+	26.77 грн
500+	20.99 грн
1000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD31CUQ-13

Trans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 332500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD31T4

Description: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31T4

Description: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1401+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 1401

MJD31T4

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31T4/J31

на замовлення 33050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD31T4G

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 3749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.72 грн
10+	46.87 грн
100+	36.47 грн
500+	29.01 грн
1000+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31T4G

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD31T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.41 грн
10+	52.54 грн
100+	35.54 грн
500+	30.16 грн
1000+	24.5 грн
2500+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD31T4G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR

товар відсутній

MJD32B

TO-252

на замовлення 2650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32BT4

TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32BT4

07+ TO-252

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32C

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A

товар відсутній

MJD32C

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD32C

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C
Код товару: 191777

товар відсутній

MJD32C

MOT

SOT252/2.5

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

товар відсутній

MJD32C-13

Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT

на замовлення 2482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.93 грн
10+	37.62 грн
100+	22.77 грн
500+	17.81 грн
1000+	14.42 грн
2500+	11.66 грн
10000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.06 грн
10+	33.43 грн
100+	23.23 грн
500+	17.03 грн
1000+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32C-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz

товар відсутній

MJD32C-13

товар відсутній

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 277500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32C-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C-TP

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.51 грн
10+	42.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32C-TP

Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.92 грн
10+	48.41 грн
100+	29.19 грн
500+	24.36 грн
1000+	20.77 грн
2500+	18.29 грн
5000+	17.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32C-TP

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32C/J32C

MOTO

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C1

Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1401+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 1401

MJD32C1

на замовлення 17070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32C1

Description: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1725+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 1725

MJD32CA

Description: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	33.06 грн
27+	28.95 грн
100+	20.13 грн
500+	14.59 грн
1000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 24

MJD32CA

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.13 грн
500+	14.59 грн
1000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD32CAJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK

на замовлення 6565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.68 грн
13+	26.43 грн
100+	17.12 грн
500+	13.46 грн
1000+	10.56 грн
2500+	10.01 грн
10000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CAJ
Код товару: 191470

товар відсутній

MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.83 грн
10+	29.62 грн
100+	20.58 грн
500+	15.09 грн
1000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD32CAJ

Description: MJD32CA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.13 грн
5000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CAJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD32CAJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

MJD32CG

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: DPAK

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	38.48 грн
25+	32.13 грн
35+	24.5 грн
95+	23.16 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.82 грн
15+	41.44 грн
75+	28.99 грн
525+	24.64 грн
1050+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD32CG

на замовлення 98 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	46.17 грн
25+	40.04 грн
35+	29.4 грн
95+	27.8 грн
1200+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	44.74 грн
383+	31.29 грн
525+	27.59 грн
1050+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 268

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 1311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	18.92 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.46 грн
75+	32.15 грн
525+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJD32CG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	55.42 грн
346+	34.62 грн
525+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 216

MJD32CG

Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.17 грн
25+	32.21 грн
100+	29.88 грн
500+	25.59 грн
1000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJD32CG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

на замовлення 5944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.39 грн
10+	53.49 грн
75+	28.16 грн
525+	24.09 грн
1050+	18.5 грн
2550+	18.29 грн
5025+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CG
Код товару: 117659

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJD32CG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 18554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.26 грн
75+	41.59 грн
150+	30.19 грн
525+	23.67 грн
1050+	20.14 грн
2025+	17.94 грн
5025+	16.72 грн
10050+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CHE3-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD32CJ

Bipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK

на замовлення 7170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.48 грн
13+	26.19 грн
100+	12.35 грн
1000+	9.52 грн
2500+	7.73 грн
10000+	7.32 грн
25000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CJ

100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

товар відсутній

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 4703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.11 грн
13+	23.58 грн
100+	16.38 грн
500+	12 грн
1000+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CJ

Description: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.37 грн
500+	16.39 грн
1000+	11.68 грн
2500+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CJ

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CJ

NXP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJD32CJ

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CJ

на замовлення 3747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.26 грн
24+	33.44 грн
100+	22.37 грн
500+	16.39 грн
1000+	11.68 грн
2500+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.02 грн
5000+	16.69 грн
10000+	16.44 грн
12500+	15.42 грн
25000+	13.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	18.7 грн
34+	17.53 грн
100+	14.93 грн
250+	13.68 грн
500+	10.69 грн

Мінімальне замовлення: 32

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	24.5 грн
27+	22.34 грн
100+	18.14 грн
500+	15.04 грн
1000+	13.03 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 28

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.87 грн
100+	24.13 грн
500+	18.92 грн
1000+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

MJD32CQ-13

товар відсутній

MJD32CQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.48 грн
12+	27.54 грн
100+	18.01 грн
500+	14.91 грн
1000+	13.6 грн
2500+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	18.88 грн
718+	16.67 грн
725+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 634

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32CQ-13

Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.76 грн
5000+	15.46 грн
10000+	15.23 грн
12500+	14.28 грн
25000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CR

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32CRL

MOTOROLA

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32CRL

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.98 грн
10+	46.66 грн
100+	36.28 грн
500+	28.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CRLG

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32CRLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

на замовлення 2991 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.16 грн
10+	50.16 грн
100+	34.44 грн
500+	29.68 грн
1000+	28.16 грн
1800+	23.74 грн
3600+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	29.12 грн
25+	28.83 грн
100+	27.52 грн
250+	25.23 грн
500+	23.85 грн
1000+	23.05 грн
3000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 21

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

382+	31.36 грн
386+	31.05 грн
390+	30.74 грн
394+	29.35 грн
500+	26.75 грн
1000+	24.82 грн
3000+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 382

MJD32CRLG

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CRLG

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape

на замовлення 8348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.13 грн
10+	37.53 грн
25+	31.06 грн
71+	11.93 грн
194+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.86 грн
5000+	16.32 грн
10000+	15.79 грн
12500+	14.73 грн
25000+	13.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.52 грн
10+	39.97 грн
100+	27.7 грн
500+	21.72 грн
1000+	18.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

товар відсутній

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 65010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4
Код товару: 113107

товар відсутній

MJD32CT4

Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.45 грн
17+	48.08 грн
100+	30.27 грн
500+	23.44 грн
1000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD32CT4

на замовлення 8348 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	49 грн
10+	45.03 грн
25+	37.27 грн
71+	14.32 грн
194+	13.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32CT4

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.72 грн
5000+	15.21 грн
10000+	14.72 грн
12500+	13.74 грн
25000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

на замовлення 8217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.14 грн
10+	44.76 грн
100+	26.98 грн
500+	22.5 грн
1000+	19.67 грн
2500+	16.63 грн
5000+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CT4-A
Код товару: 132425

товар відсутній

MJD32CT4-A

Description: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.72 грн
18+	44.36 грн
100+	27.87 грн
500+	21.57 грн
1000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

товар відсутній

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.79 грн
10+	37.53 грн
100+	26.02 грн
500+	20.4 грн
1000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS

на замовлення 12124 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.91 грн
10+	41.19 грн
100+	24.84 грн
500+	20.7 грн
1000+	17.67 грн
2500+	15.67 грн
5000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 9880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

715+	16.75 грн
719+	16.66 грн
728+	16.46 грн

Мінімальне замовлення: 715

MJD32CT4-A

товар відсутній

MJD32CT4-A

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4-A

Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.98 грн
5000+	14.57 грн
12500+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.79 грн
5000+	16.15 грн
10000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP

на замовлення 2473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.93 грн
10+	32.62 грн
100+	22.77 грн
500+	18.98 грн
1000+	16.49 грн
2500+	14.63 грн
5000+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CT4G

товар відсутній

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18 грн
5000+	17.33 грн
10000+	15.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4G

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 13550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	35.08 грн
100+	24.29 грн
500+	19.05 грн
1000+	16.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CT4G

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.47 грн
21+	37.94 грн
100+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CT4G

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD32CT4G

товар відсутній

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF

Description: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CTF

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CTF

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD32CTF

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF-ON

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF_NBDD002

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTF_SBDD002

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

MJD32CTM

Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CTM

Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJD32CTM

Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

товар відсутній

MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.57 грн
10+	32.21 грн
100+	22.38 грн
500+	16.39 грн
1000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32CUQ-13

Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.17 грн
19+	41.26 грн
100+	27.64 грн
500+	20.27 грн
1000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252

товар відсутній

MJD32CUQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.18 грн
5000+	12.05 грн
12500+	11.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CUQ-13

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.64 грн
500+	20.27 грн
1000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD32CUQ-13

100V PNP High Voltage Transistor in TO252 Automotive AEC-Q101

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32CUQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry

товар відсутній

MJD32CUQ-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.4 грн
10+	36.27 грн
100+	21.95 грн
500+	17.12 грн
1000+	13.94 грн
2500+	13.04 грн
10000+	11.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD32G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJD32RL

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 30600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1249+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 1249

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD32RLG

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.04 грн
10+	48.02 грн
100+	32.02 грн
500+	25.33 грн
1000+	22.08 грн
1800+	16.77 грн
9000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.75 грн
10+	45.36 грн
100+	34.76 грн
500+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32RLG

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	74.39 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD32RLG

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1800+	22.83 грн
3600+	19.92 грн
5400+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 1800

MJD32T4

Description: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 12091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1690+	18.58 грн

Мінімальне замовлення: 1690

MJD32T4

на замовлення 1661 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD32T4

Description: TRANS POWER PNP 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 12091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1519+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 1519

MJD32T4G

на замовлення 10737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.7 грн
10+	56.86 грн
100+	44.33 грн
500+	34.36 грн
1000+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32T4G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.02 грн
5000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32T4G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP

на замовлення 44 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

6+	60.55 грн
10+	59.05 грн
100+	36.92 грн
500+	30.92 грн
1000+	25.05 грн
2500+	22.64 грн
10000+	21.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD32T4G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD340

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

товар відсутній

MJD340

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340

Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJD340

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 51390

Fairchild

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 240

товар відсутній

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 185000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.06 грн
5000+	12.85 грн
12500+	11.93 грн
25000+	10.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.71 грн
10000+	12.58 грн
25000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD340-13

Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.7 грн
20+	40.64 грн
100+	25.55 грн
500+	18.55 грн
1000+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

MJD340-13

на замовлення 2615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.55 грн
500+	18.55 грн
1000+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJD340-13

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 185684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.36 грн
100+	23.86 грн
500+	17.48 грн
1000+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD340-13

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.8 грн
10000+	11.68 грн
25000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

MJD340-13

Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT

на замовлення 8020 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.2 грн
10+	37.62 грн
100+	22.77 грн
500+	17.81 грн
1000+	14.42 грн
2500+	11.59 грн
10000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJD340D4

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.3 грн
75+	23.01 грн
525+	20.67 грн
1050+	16.51 грн
2700+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.17 грн
75+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJD340G

ON-Semicoductor

NPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 125 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJD340G

Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 9567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.27 грн
75+	39.16 грн
150+	28.42 грн
525+	22.28 грн
1050+	18.97 грн
2025+	16.89 грн
5025+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJD340G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN

на замовлення 39078 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.97 грн
10+	38.1 грн
75+	20.98 грн
525+	19.53 грн
1050+	16.77 грн
2700+	15.94 грн
5400+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJD340G

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.55 грн
14+	25.88 грн
25+	22.79 грн
41+	20.7 грн
75+	20.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

346+	34.64 грн

Мінімальне замовлення: 346

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

товар відсутній

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	20.11 грн
75+	16.3 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJD340G

Description: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 6613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.72 грн
30+	26.55 грн
100+	24.93 грн
500+	21.57 грн
1000+	15.59 грн
5000+	14.93 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJD340G

на замовлення 80 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	88.26 грн
9+	32.25 грн
25+	27.35 грн
41+	24.84 грн
75+	24.59 грн
113+	23.49 грн
300+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJD340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

на замовлення 3217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	17.55 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJD340Q-13

MJD340Q-13

товар відсутній

MJD340RL

на замовлення 933 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJD340RLG