НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJK1882-PA881GFTSBT-2S-L3MMT
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK1882-PA881GFTSBTB-8S-L3MMT
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK190-PA881GFTSBTMMT08+
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK190-PA881GFTSBT-4MMT08+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK31CTWGonsemiDescription: POWER TRANSISTOR 100 V, 3 A DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.7 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MJK31CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose NPN NPN Transistor, 100V, 3A
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.65 грн
10+ 56.11 грн
100+ 38.03 грн
500+ 32.23 грн
1000+ 27.47 грн
3000+ 23.33 грн
9000+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.51 грн
500+ 29.19 грн
3000+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJK31CTWGonsemiDescription: POWER TRANSISTOR 100 V, 3 A DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.7 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.46 грн
10+ 50.03 грн
100+ 38.86 грн
500+ 30.92 грн
1000+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.19 грн
13+ 60.7 грн
100+ 43.51 грн
500+ 29.19 грн
3000+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJK741-PA881GFSBT-
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK741-PA881GFSBT-M-L3MMT08+
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)