Продукція > NVJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVJD4152PT1GON Semiconductor
на замовлення 408123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVJD4152PT1GonsemiMOSFET Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
14+ 23.81 грн
100+ 14.15 грн
1000+ 8.42 грн
3000+ 7.11 грн
9000+ 6.35 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.14W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.375Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVJD4401NT1GonsemiMOSFET NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.2 грн
10+ 37.46 грн
100+ 22.64 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 14.35 грн
3000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
13+ 23.72 грн
100+ 16.46 грн
500+ 12.06 грн
1000+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.7 грн
20+ 40.49 грн
100+ 25.39 грн
500+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
NVJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.14W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.375Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 17565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
15+ 19.99 грн
100+ 12.46 грн
500+ 8 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+9.14 грн
100+ 7.76 грн
140+ 7.31 грн
380+ 6.91 грн
3000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
NVJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.21 грн
50+ 7.33 грн
100+ 6.47 грн
140+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 45
NVJD5121NT1GonsemiMOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 49320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.7 грн
17+ 19.68 грн
100+ 7.73 грн
1000+ 5.94 грн
3000+ 5.18 грн
9000+ 4.62 грн
24000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVJD5121NT1G-M06onsemiRF MOSFET Transistors NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 29750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.7 грн
16+ 20.87 грн
100+ 11.32 грн
1000+ 5.94 грн
2500+ 5.31 грн
10000+ 4.62 грн
30000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVJD5121NT1G-M06ON SemiconductorDual N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 14470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.13 грн
17+ 17.76 грн
100+ 8.94 грн
500+ 7.44 грн
1000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
6000+ 5.4 грн
9000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVJD5121NT2GonsemiMOSFET Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6ohm
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
16+ 20.48 грн
100+ 11.04 грн
1000+ 5.8 грн
3000+ 5.18 грн
9000+ 4.49 грн
24000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.13 грн
6000+ 12.92 грн
9000+ 11.99 грн
30000+ 11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.01 грн
25+ 31.74 грн
100+ 24.15 грн
500+ 17.83 грн
1000+ 13.14 грн
3000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
NVJS4151PT1GonsemiMOSFET 20V 4.2A 60MOHM PFET
на замовлення 66240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
12+ 26.51 грн
100+ 18.77 грн
500+ 16.15 грн
1000+ 14.08 грн
3000+ 12.49 грн
9000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.81 грн
10+ 34.51 грн
100+ 23.98 грн
500+ 17.57 грн
1000+ 14.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVJS4405NT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVJS4405NT1GonsemiMOSFET Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mohm Automotive Version of the NTJS4405N
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.06 грн
13+ 25.4 грн
100+ 9.45 грн
1000+ 7.25 грн
3000+ 6.14 грн
9000+ 5.59 грн
24000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
12+ 25.16 грн
100+ 15.66 грн
500+ 10.05 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 9