Продукція > PJM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJM
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJM2301PSA-SPJSEMITransistor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486; PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI TPJM2301PSA-S PJS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 200
PJM600PJM03+ DIP8
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJM600CD
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMA1000F-12Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 12V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 85%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 84 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27230.62 грн
PJMA1000F-12CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 12V 84A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+29573.24 грн
5+ 28242.83 грн
10+ 23766.71 грн
25+ 22973.06 грн
50+ 22180.79 грн
100+ 21388.52 грн
250+ 20864.71 грн
PJMA1000F-24CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 24V 42A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+29573.24 грн
5+ 28242.83 грн
10+ 23766.71 грн
25+ 22973.06 грн
50+ 22180.79 грн
100+ 21388.52 грн
250+ 20864.71 грн
PJMA1000F-24Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 24V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 42 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27230.62 грн
PJMA1000F-36Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 36V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 36V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 28 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27230.62 грн
5+ 25402.41 грн
PJMA1000F-36CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 36V 28A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+29573.24 грн
5+ 28242.83 грн
10+ 23766.71 грн
25+ 22973.06 грн
50+ 22180.79 грн
100+ 21388.52 грн
250+ 20864.71 грн
PJMA1000F-48CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 48V 21A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+29573.24 грн
5+ 28242.83 грн
10+ 23766.71 грн
25+ 22973.06 грн
50+ 22180.79 грн
100+ 21388.52 грн
250+ 20864.71 грн
PJMA1000F-48Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 48V 1008W
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 21 A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27230.62 грн
5+ 25402.41 грн
10+ 24583.02 грн
PJMA1500F-12CoselSwitching Power Supplies 1500W 12V 125A Medical, Enclosed
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41750.36 грн
5+ 39826.15 грн
10+ 33474.78 грн
25+ 32320.19 грн
50+ 31165.6 грн
100+ 30403.7 грн
250+ 30403.01 грн
PJMA1500F-24CoselSwitching Power Supplies 1536W 24V 64A Medical, Enclosed
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41750.36 грн
5+ 39826.15 грн
10+ 33474.78 грн
25+ 32320.19 грн
50+ 31165.6 грн
100+ 30403.7 грн
250+ 30403.01 грн
PJMA1500F-36CoselSwitching Power Supplies 1512W 36V 42A Medical, Enclosed
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41750.36 грн
5+ 39826.15 грн
10+ 33474.78 грн
25+ 32320.19 грн
50+ 31165.6 грн
100+ 30403.01 грн
PJMA1500F-48Cosel Europe GmbHPJMA1500F-48
товар відсутній
PJMA1500F-48CoselSwitching Power Supplies 1536W 48V 32A Medical, Enclosed
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41750.36 грн
5+ 39826.15 грн
10+ 33474.78 грн
25+ 32320.19 грн
50+ 31165.6 грн
100+ 30404.39 грн
250+ 30403.01 грн
PJMA300F-24CoselSwitching Power Supplies 300W 24V 12.5A Medical
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11040.25 грн
5+ 10546.81 грн
10+ 8879.91 грн
20+ 8588.67 грн
50+ 8297.44 грн
100+ 8006.2 грн
200+ 7860.59 грн
PJMA300F-48CoselSwitching Power Supplies 302.4W 48V 6.3A Medical
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10923.5 грн
5+ 10592.05 грн
10+ 8624.56 грн
20+ 8496.89 грн
50+ 8210.48 грн
100+ 7921.32 грн
200+ 7777.08 грн
PJMA600F-12CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W, 12V 50A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PJMA600F-12Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 12V 600W
Power (Watts): 600W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 8.46" L x 4.72" W x 2.40" H (214.9mm x 119.9mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 84%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 50 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14208.81 грн
PJMA600F-24Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 24V 600W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14808.27 грн
PJMA600F-24CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 24V 25A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PJMA600F-36CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 36V 16.7A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13807.55 грн
5+ 13183.32 грн
10+ 11094.54 грн
25+ 10723.94 грн
PJMA600F-36Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 36V 601W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14279.73 грн
PJMA600F-48CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 48V 12.5A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14249.58 грн
5+ 13607.92 грн
10+ 11451.33 грн
25+ 11069.69 грн
50+ 10687.36 грн
100+ 10305.72 грн
250+ 10053.82 грн
PJMA600F-48Cosel Europe GmbHAC-DC Power Supplies Medical Type
товар відсутній
PJMA600F-48Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 48V 600W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 600W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 8.46" L x 4.72" W x 2.40" H (214.9mm x 119.9mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13304.01 грн
PJMA600F-48-CCoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 48V 12.5A with Conformal Coating
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14786.62 грн
5+ 14121.41 грн
10+ 11883.36 грн
25+ 11486.53 грн
50+ 11089.71 грн
100+ 10694.26 грн
250+ 10432.01 грн
PJMB050N10NS2_R2_00601PanjitInfineon
товар відсутній
PJMB130N65EC-R2PanjitMOSFET TO-263/MOS/TO/NFET-650DCMNH
товар відсутній
PJMB130N65EC-T0PanjitMOSFET
товар відсутній
PJMB130N65EC_R2_00601PanjitMOSFET 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET
товар відсутній
PJMB210N65EC-R2PanjitMOSFET TO-263/MOS/TO/NFET-650DCMNH
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.25 грн
10+ 134.13 грн
100+ 93.17 грн
250+ 86.27 грн
500+ 77.98 грн
800+ 66.11 грн
2400+ 63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB210N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.04 грн
10+ 122.21 грн
100+ 97.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB210N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMB390N65EC-R2PanjitMOSFET TO-263/MOS/TO/NFET-650DCMNH
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.25 грн
10+ 134.13 грн
100+ 93.17 грн
250+ 86.27 грн
500+ 77.98 грн
800+ 66.11 грн
2400+ 63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB390N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.46 грн
10+ 146.8 грн
100+ 117.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB390N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB390N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMBZ12A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,8.5V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ12A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ12A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ15A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ15A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ15V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Automotive
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ15V-AU_R1_000A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
18+ 18.41 грн
100+ 7.8 грн
1000+ 4.55 грн
3000+ 3.93 грн
9000+ 3.04 грн
24000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Automotive
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
17+ 17.04 грн
100+ 8.3 грн
500+ 6.5 грн
1000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ15V-AU_R2_000A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes /UL/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ15VD
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15VT/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.14 грн
19+ 15.89 грн
100+ 8.01 грн
500+ 6.13 грн
1000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
6000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ15V_R1_00001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ15V_R1_10001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes UL/TR/7"/RoHS/3K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ15V_R2_00001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes /UL/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ15V_R2_10001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,14.5V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.42 грн
16+ 20.32 грн
100+ 8.9 грн
1000+ 6.07 грн
3000+ 5.45 грн
9000+ 4.76 грн
24000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ18A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ27A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,22V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
12+28.42 грн
16+ 20.32 грн
100+ 8.9 грн
1000+ 6.07 грн
3000+ 5.45 грн
9000+ 4.76 грн
24000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ27V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
15+ 19.84 грн
100+ 11.23 грн
500+ 6.98 грн
1000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorPJMBZ27V-AU-R2 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ27VC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_00001PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_10001PanjitZener Diodes US/TR/7"/RoHS/3K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V_R2_00001PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V_R2_10001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ33A-AU-R1-007A1PanjitPanjit
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,26V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,26V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.42 грн
16+ 20.32 грн
100+ 8.9 грн
1000+ 6.07 грн
3000+ 5.45 грн
9000+ 4.76 грн
24000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,26V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 18.55 грн
100+ 9.36 грн
500+ 7.79 грн
1000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJMBZ5V6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,3V,Uni,2CH
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.42 грн
16+ 20.32 грн
100+ 8.9 грн
1000+ 6.07 грн
3000+ 5.45 грн
9000+ 4.76 грн
24000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ5V6A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ6V2
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ6V2A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ6V8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,4.5V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ6V8A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,6V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 24W
Max. off-state voltage: 6V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 8.65...9.56V
Leakage current: 0.3µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 24W
Max. off-state voltage: 6V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 8.65...9.56V
Leakage current: 0.3µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD360N60EC-L2PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMNH
товар відсутній
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD360N60EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.17 грн
10+ 176.98 грн
25+ 145.62 грн
100+ 124.91 грн
250+ 118.01 грн
500+ 111.11 грн
1000+ 95.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.07 грн
10+ 161.53 грн
100+ 130.66 грн
500+ 109 грн
1000+ 93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.29 грн
10+ 460.37 грн
100+ 381.14 грн
500+ 311.46 грн
1000+ 271.27 грн
PJMD390N65EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.17 грн
10+ 176.98 грн
25+ 145.62 грн
100+ 124.91 грн
250+ 118.01 грн
500+ 111.11 грн
1000+ 95.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD390N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+290.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD390N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMD580N60E1-L2PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMNH
товар відсутній
PJMD580N60E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD580N60E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD600N65E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 54W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.3A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21.9A
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PJMD600N65E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 54W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.3A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21.9A
Drain-source voltage: 650V
товар відсутній
PJMD900N60EC-L2PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMNH
товар відсутній
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.36 грн
10+ 109.63 грн
100+ 87.29 грн
500+ 69.31 грн
1000+ 58.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD900N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD900N60EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.27 грн
10+ 111.11 грн
100+ 77.29 грн
250+ 71.08 грн
500+ 64.8 грн
1000+ 55.07 грн
2500+ 52.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD900N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.07 грн
10+ 455.49 грн
100+ 377.06 грн
500+ 308.14 грн
1000+ 268.38 грн
2000+ 259.3 грн
PJMD990N65EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.27 грн
10+ 111.11 грн
100+ 77.29 грн
250+ 71.08 грн
500+ 64.8 грн
1000+ 55.07 грн
2500+ 52.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD990N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+286.93 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PJMD990N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
PJMF099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.96 грн
50+ 421.5 грн
100+ 377.14 грн
500+ 312.29 грн
1000+ 281.06 грн
2000+ 263.37 грн
PJMF099N60EC_T0_00601PanjitMOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.96 грн
10+ 496.03 грн
50+ 390.61 грн
100+ 359.56 грн
250+ 338.16 грн
500+ 316.77 грн
1000+ 285.02 грн
PJMF099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF120N60EC-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF120N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.58 грн
10+ 419.84 грн
25+ 331.26 грн
100+ 305.04 грн
250+ 287.09 грн
500+ 269.15 грн
1000+ 254.66 грн
PJMF120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.24 грн
10+ 269.22 грн
100+ 232.34 грн
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.34 грн
10+ 383.02 грн
100+ 319.15 грн
500+ 264.27 грн
1000+ 237.84 грн
PJMF130N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.58 грн
10+ 419.84 грн
25+ 331.26 грн
100+ 305.04 грн
250+ 287.09 грн
500+ 269.15 грн
1000+ 254.66 грн
PJMF130N65EC_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF130N65EC_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF190N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.78 грн
10+ 178.57 грн
25+ 147 грн
100+ 125.6 грн
250+ 118.7 грн
500+ 111.8 грн
1000+ 102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF190N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.56 грн
50+ 153.61 грн
100+ 131.67 грн
500+ 109.84 грн
1000+ 94.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF190N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V 190mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.78 грн
10+ 178.57 грн
25+ 147 грн
100+ 125.6 грн
250+ 118.7 грн
500+ 111.8 грн
1000+ 102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF210N65EC-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMF210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.04 грн
50+ 118.26 грн
100+ 97.3 грн
500+ 77.27 грн
1000+ 65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF210N65EC_T0_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.25 грн
10+ 134.13 грн
100+ 92.48 грн
250+ 85.58 грн
500+ 77.98 грн
1000+ 66.11 грн
2500+ 63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.3 грн
10+ 142.06 грн
100+ 98 грн
250+ 90.41 грн
500+ 82.13 грн
1000+ 74.53 грн
2000+ 64.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.51 грн
50+ 124.38 грн
100+ 102.34 грн
500+ 81.27 грн
1000+ 68.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.3 грн
10+ 142.06 грн
100+ 98 грн
250+ 90.41 грн
500+ 82.13 грн
1000+ 74.53 грн
2000+ 64.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.44 грн
50+ 135.65 грн
100+ 111.62 грн
500+ 88.64 грн
1000+ 75.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.6 грн
10+ 153.97 грн
100+ 106.28 грн
250+ 98.69 грн
500+ 89.03 грн
1000+ 80.75 грн
2000+ 70.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF360N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 360MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
товар відсутній
PJMF360N60EC-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.49 грн
10+ 193.65 грн
25+ 159.42 грн
100+ 135.96 грн
250+ 129.05 грн
500+ 121.46 грн
1000+ 110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.25 грн
10+ 266.35 грн
100+ 229.86 грн
PJMF380N65E1-T0PanjitMOSFET
товар відсутній
PJMF380N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 769 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.32 грн
10+ 116.6 грн
100+ 92.79 грн
500+ 73.69 грн
1000+ 62.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF380N65E1_T0_00001PanjitMOSFET 650V/ 380mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF380N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V/ 380mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.2 грн
10+ 128.57 грн
100+ 88.34 грн
250+ 82.13 грн
500+ 74.53 грн
1000+ 67.43 грн
2000+ 58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMF390N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.49 грн
10+ 193.65 грн
25+ 159.42 грн
100+ 135.96 грн
250+ 129.05 грн
500+ 121.46 грн
1000+ 110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215 грн
10+ 173.61 грн
100+ 140.48 грн
500+ 117.19 грн
1000+ 100.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF580N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
50+ 62.82 грн
100+ 49.78 грн
500+ 39.6 грн
1000+ 39.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V 580mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.19 грн
10+ 100 грн
100+ 68.05 грн
500+ 57.28 грн
1000+ 48.93 грн
2000+ 41.48 грн
10000+ 41.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Pulsed drain current: 21.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.71 грн
10+ 92.74 грн
100+ 73.84 грн
500+ 58.63 грн
1000+ 49.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Pulsed drain current: 21.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.02 грн
10+ 104.76 грн
100+ 72.46 грн
250+ 66.74 грн
500+ 60.59 грн
1000+ 54.87 грн
2000+ 47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V 600mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.02 грн
10+ 104.76 грн
100+ 72.46 грн
250+ 66.74 грн
500+ 60.59 грн
1000+ 54.87 грн
2000+ 47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF900N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.82 грн
10+ 72.03 грн
100+ 56.04 грн
500+ 44.58 грн
1000+ 36.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF900N60E1_T0_00201PanjitMOSFET 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.03 грн
10+ 80.16 грн
100+ 54.24 грн
500+ 45.96 грн
1000+ 39.2 грн
2000+ 33.33 грн
10000+ 33.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157 грн
10+ 129.36 грн
100+ 89.03 грн
250+ 82.13 грн
500+ 75.22 грн
1000+ 68.05 грн
2000+ 58.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215 грн
10+ 173.75 грн
100+ 140.61 грн
500+ 117.3 грн
1000+ 100.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF900N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 400 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.8 грн
10+ 77.14 грн
100+ 59.98 грн
500+ 47.71 грн
1000+ 38.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N65E1_T0_00201PanjitMOSFET 650V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.28 грн
10+ 86.51 грн
100+ 58.04 грн
500+ 49.14 грн
1000+ 41.96 грн
2000+ 35.61 грн
10000+ 35.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF990N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157 грн
10+ 129.36 грн
100+ 89.03 грн
250+ 82.13 грн
500+ 75.22 грн
1000+ 68.05 грн
2000+ 58.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.56 грн
10+ 118.54 грн
100+ 94.34 грн
500+ 74.91 грн
1000+ 63.56 грн
2000+ 60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
товар відсутній
PJMH040N60EC-T0PanjitPanjit
товар відсутній
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH074N60FRCPanjitMOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.72 грн
10+ 517.46 грн
30+ 407.87 грн
120+ 374.05 грн
270+ 352.66 грн
510+ 330.57 грн
1020+ 297.45 грн
PJMH074N60FRC-T0PanjitMOSFET TO-247AD-3LD/NFET-600CTUMNH
товар відсутній
PJMH074N60FRCH_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.1 грн
30+ 439.17 грн
120+ 392.94 грн
510+ 325.37 грн
1020+ 292.84 грн
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanjitMOSFET 600V 74mohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
товар відсутній
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH074N60FRC_T0_00601PanjitMOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.62 грн
10+ 531.75 грн
30+ 414.77 грн
120+ 381.64 грн
270+ 361.63 грн
510+ 332.64 грн
1020+ 289.16 грн
PJMH074N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.17 грн
10+ 484.17 грн
30+ 461.64 грн
120+ 376.19 грн
270+ 359.28 грн
510+ 327.58 грн
1020+ 280.63 грн
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH120N60EC-T0PanjitMOSFET TO-247AD-3LD/NFET-600CTUMNH
товар відсутній
PJMH120N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.13 грн
10+ 302.72 грн
30+ 286.21 грн
120+ 232.79 грн
270+ 220.85 грн
510+ 198.17 грн
1020+ 164.39 грн
PJMH120N60EC_T0_00601PanjitMOSFET 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.2 грн
10+ 313.49 грн
30+ 261.56 грн
120+ 220.15 грн
270+ 209.8 грн
510+ 196 грн
1020+ 167.7 грн
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH190N60E1-T0PanjitMOSFET TO-247AD-3LD/NFET-600CTUMNH
товар відсутній
PJMH190N60E1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 160W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH190N60E1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 160W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH190N60E1_T0_00601PanjitMOSFET 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.26 грн
10+ 216.67 грн
30+ 180.12 грн
120+ 151.83 грн
270+ 144.93 грн
510+ 134.58 грн
1020+ 115.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMH190N60E1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.88 грн
10+ 209.12 грн
30+ 197.72 грн
120+ 160.81 грн
270+ 152.56 грн
510+ 136.89 грн
1020+ 113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP099N60EC_T0_00601PanjitMOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.07 грн
10+ 484.92 грн
50+ 382.33 грн
100+ 351.28 грн
250+ 330.57 грн
500+ 309.87 грн
1000+ 279.5 грн
PJMP099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 308W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.01 грн
50+ 412.3 грн
100+ 368.9 грн
500+ 305.47 грн
1000+ 274.92 грн
2000+ 257.61 грн
PJMP120N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товар відсутній
PJMP120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.12 грн
10+ 378.85 грн
100+ 315.73 грн
500+ 261.45 грн
1000+ 235.3 грн
PJMP120N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.95 грн
10+ 415.87 грн
25+ 327.81 грн
100+ 301.59 грн
250+ 283.64 грн
500+ 265.7 грн
1000+ 251.9 грн
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP130N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMP130N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.95 грн
10+ 415.87 грн
25+ 327.81 грн
100+ 301.59 грн
250+ 283.64 грн
500+ 265.7 грн
1000+ 251.9 грн
PJMP130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.25 грн
10+ 266.35 грн
100+ 229.86 грн
PJMP210N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650CTMNH
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.04 грн
50+ 118.26 грн
100+ 97.3 грн
500+ 77.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601PanjitMOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.25 грн
10+ 134.13 грн
100+ 92.48 грн
250+ 85.58 грн
500+ 77.98 грн
1000+ 66.11 грн
2500+ 63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.07 грн
50+ 152.45 грн
100+ 130.66 грн
500+ 109 грн
1000+ 93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.86 грн
10+ 188.89 грн
25+ 154.59 грн
100+ 133.2 грн
250+ 124.91 грн
500+ 118.01 грн
1000+ 107.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.62 грн
10+ 209.56 грн
100+ 171.71 грн
500+ 137.17 грн
1000+ 115.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP390N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.86 грн
10+ 188.89 грн
25+ 154.59 грн
100+ 133.2 грн
250+ 124.91 грн
500+ 118.01 грн
1000+ 107.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товар відсутній
PJMP900N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.76 грн
10+ 171.74 грн
100+ 138.98 грн
500+ 115.93 грн
1000+ 99.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP900N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001PanjitMOSFET 650V/ 990mohm Super Junction Easy version Gen.1.5
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.73 грн
10+ 119.05 грн
100+ 82.82 грн
250+ 76.6 грн
500+ 69.7 грн
1000+ 62.73 грн
2000+ 54.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.11 грн
10+ 110.49 грн
100+ 87.96 грн
500+ 69.84 грн
1000+ 59.26 грн
2000+ 56.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товар відсутній
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товар відсутній
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товар відсутній
PJMQC040N10NS2_R2_00601PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
2+198.07 грн
10+ 176.98 грн
100+ 123.53 грн
500+ 101.45 грн
Мінімальне замовлення: 2