Продукція > R80

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R80-762040SEIKOQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80007-001ROCKWELLDIP
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R8001CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORR8001CND3FRATL SMD N channel transistors
товар відсутній
R8001CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.33 грн
10+ 143.65 грн
100+ 100.07 грн
250+ 95.93 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 71.77 грн
2500+ 69.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.15 грн
10+ 157.65 грн
100+ 126.7 грн
500+ 97.69 грн
1000+ 80.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8001CNDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8002ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
товар відсутній
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.35 грн
10+ 145.55 грн
100+ 114.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.17 грн
10+ 143.06 грн
100+ 113.87 грн
500+ 90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.04 грн
10+ 166.49 грн
100+ 134.68 грн
500+ 112.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R8002ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.83 грн
10+ 184.92 грн
25+ 151.83 грн
100+ 130.43 грн
250+ 123.53 грн
500+ 115.94 грн
1000+ 98 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+188.04 грн
67+ 180.88 грн
Мінімальне замовлення: 64
R8002ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+126.41 грн
100+ 120.75 грн
Мінімальне замовлення: 95
R8002ANXROHMDescription: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R8002ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.82 грн
10+ 173.75 грн
100+ 142.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+126.41 грн
100+ 120.75 грн
250+ 115.91 грн
500+ 107.74 грн
Мінімальне замовлення: 95
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.19 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 86.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R8002CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.64 грн
10+ 155.61 грн
100+ 126.19 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 86.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
R8002CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 2A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.7 грн
10+ 169.05 грн
25+ 138.72 грн
100+ 119.39 грн
250+ 112.49 грн
500+ 105.59 грн
1000+ 90.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.14 грн
10+ 106.75 грн
100+ 86.36 грн
500+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8002CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R8002KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8002KND3TL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8002KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 1.6A POWER MOSFET
на замовлення 5321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.72 грн
10+ 100 грн
100+ 67.7 грн
500+ 57 грн
1000+ 45.07 грн
2500+ 42.03 грн
5000+ 39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товар відсутній
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.81 грн
10+ 102.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.01 грн
10+ 83.68 грн
100+ 65.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+123.07 грн
106+ 113.91 грн
124+ 96.62 грн
200+ 88.07 грн
Мінімальне замовлення: 98
R8002KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.06 грн
10+ 130.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
R8002KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.55 грн
10+ 131.05 грн
100+ 105.31 грн
500+ 81.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 1.6A TO-220FM PWR MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.73 грн
10+ 120.63 грн
100+ 82.13 грн
250+ 78.67 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 59.42 грн
2500+ 56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товар відсутній
R8003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 3A POWER MOSFET
на замовлення 8185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.67 грн
10+ 137.3 грн
100+ 95.24 грн
250+ 86.96 грн
500+ 79.36 грн
1000+ 76.6 грн
2500+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8003KND3TL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.2 грн
10+ 149.6 грн
100+ 120.26 грн
500+ 92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8003KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.16 грн
10+ 162.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
R8003KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 3A TO-220FM PWR MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.74 грн
10+ 146.83 грн
100+ 101.45 грн
250+ 99.38 грн
500+ 87.65 грн
1000+ 72.46 грн
2500+ 68.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8003KNXC7GROHM SEMICONDUCTORR8003KNXC7G THT N channel transistors
товар відсутній
R8003KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.89 грн
10+ 160.6 грн
100+ 129.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.27 грн
500+ 92.24 грн
1000+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8005ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 3.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
товар відсутній
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.64 грн
10+ 207.47 грн
100+ 170.01 грн
500+ 135.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.06 грн
10+ 150.19 грн
25+ 144 грн
100+ 109.27 грн
500+ 92.24 грн
1000+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
R8005ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.08 грн
10+ 192.06 грн
25+ 157.35 грн
100+ 134.58 грн
250+ 127.67 грн
500+ 120.08 грн
1000+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 3.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.75 грн
2000+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 65
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+137.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8005ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.3 грн
10+ 246.03 грн
25+ 201.52 грн
100+ 172.53 грн
250+ 162.87 грн
500+ 153.9 грн
1000+ 130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.29 грн
10+ 225.59 грн
100+ 184.83 грн
500+ 147.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+140 грн
107+ 112.72 грн
500+ 94.05 грн
Мінімальне замовлення: 86
R8005ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+69.37 грн
176+ 68.05 грн
185+ 64.99 грн
200+ 61.69 грн
1000+ 55.31 грн
Мінімальне замовлення: 173
R8005ANXROHMDescription: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.64 грн
10+ 126.97 грн
100+ 108.39 грн
500+ 81.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
R8005ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.25 грн
10+ 146.03 грн
100+ 102.14 грн
500+ 88.34 грн
1000+ 79.36 грн
2500+ 73.84 грн
5000+ 71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.3 грн
10+ 223.5 грн
100+ 183.11 грн
500+ 146.28 грн
1000+ 123.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 6A POWER MOSFET
на замовлення 4882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.6 грн
10+ 206.35 грн
25+ 169.77 грн
100+ 145.62 грн
250+ 137.34 грн
500+ 129.74 грн
1000+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товар відсутній
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товар відсутній
R8006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET High-speed Switching Nch 800V 6A Power MOSFET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.82 грн
10+ 223.81 грн
100+ 158.73 грн
500+ 135.27 грн
1000+ 108.35 грн
5000+ 104.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.09 грн
10+ 218.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.34 грн
10+ 215.59 грн
100+ 176.63 грн
500+ 141.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.16 грн
10+ 338.32 грн
100+ 293.42 грн
500+ 231.48 грн
1000+ 181.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+195.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+464.81 грн
41+ 296.99 грн
50+ 240.03 грн
100+ 216.75 грн
500+ 177.99 грн
1000+ 159.54 грн
2000+ 155.18 грн
Мінімальне замовлення: 26
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+293.42 грн
500+ 231.48 грн
1000+ 181.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8007AND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 7A TO-252, Automotive Power MOSFET
на замовлення 5132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.42 грн
10+ 334.92 грн
100+ 239.48 грн
500+ 203.59 грн
1000+ 171.15 грн
2500+ 163.56 грн
5000+ 158.73 грн
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+261.8 грн
48+ 250.56 грн
50+ 241.01 грн
100+ 224.52 грн
250+ 201.58 грн
500+ 188.25 грн
1000+ 183.64 грн
Мінімальне замовлення: 46
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.69 грн
10+ 337.23 грн
100+ 276.28 грн
500+ 220.72 грн
1000+ 186.15 грн
R80080006CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
R80080008CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
R80080009CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+196.29 грн
69+ 174.94 грн
100+ 167.82 грн
500+ 151.04 грн
Мінімальне замовлення: 61
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
товар відсутній
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+412.64 грн
100+ 339.09 грн
500+ 268.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
R8008ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.64 грн
10+ 338.09 грн
100+ 240.86 грн
500+ 204.97 грн
1000+ 173.22 грн
2000+ 172.53 грн
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.99 грн
10+ 328.46 грн
100+ 269.1 грн
500+ 214.99 грн
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.87 грн
10+ 412.64 грн
100+ 339.09 грн
500+ 268.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.48 грн
10+ 375.98 грн
100+ 308.07 грн
500+ 246.12 грн
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
R8008ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+322.1 грн
39+ 308.26 грн
50+ 296.52 грн
100+ 276.23 грн
Мінімальне замовлення: 38
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
товар відсутній
R8008ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.48 грн
10+ 347.62 грн
25+ 285.02 грн
100+ 244.31 грн
250+ 231.19 грн
500+ 218.08 грн
1000+ 184.95 грн
R8008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+215.32 грн
Мінімальне замовлення: 56
R8008ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R8008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
товар відсутній
R8009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 9A POWER MOSFET
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.28 грн
10+ 298.41 грн
50+ 220.15 грн
100+ 205.66 грн
250+ 189.79 грн
500+ 174.6 грн
1000+ 143.55 грн
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
Case: TO220FP
товар відсутній
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8009KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8009KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.06 грн
10+ 228.38 грн
100+ 184.26 грн
500+ 168.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R8009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+268.51 грн
48+ 252 грн
51+ 236.2 грн
100+ 219.98 грн
Мінімальне замовлення: 45
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.31 грн
10+ 268.94 грн
100+ 220.35 грн
500+ 176.03 грн
R800CАналог SIM800C на чіпсеті RDA, без аудіоканалу, інженерні зразки
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+322.34 грн
R800CH08
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH12
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14CF0
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14CY0
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14FY0
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH16-18
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8010REED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328'
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8010-NISTREED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328' W/CER
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товар відсутній
R8010ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.51 грн
10+ 325.01 грн
100+ 266.27 грн
500+ 212.72 грн
R8011LR112Q
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186INTEL98+ CPLCC
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
товар відсутній
R80186INTELCLCC68 92+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186INTEL98+ CLCC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186INTELCBGA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-10INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-10INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-10Rochester Electronics, LLCDescription: RISC MICROPROCESSOR, 16 BIT, 10M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7909.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
R80186-3/B4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-6/B4INTEL8519+
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-8INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8018610IntelDescription: MPU, 16-BIT, 10MHZ, NMOS, CQCC68
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-BCPGA
Mounting Type: Through Hole
Speed: 10MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TC)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 88-CPGA (34.29x34.29)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
товар відсутній
R80188INTEL02+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80188Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1293.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
R80188INTEL98+ BGA;
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80188INTEL07+;
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80188-10Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 10MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1751.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
R80188-10
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8019KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switching
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 248-257 дні (днів)
1+454.11 грн
10+ 383.33 грн
50+ 302.28 грн
100+ 278.12 грн
250+ 267.77 грн
R80200-93
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8020PRockwellDIP-40
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025R
на замовлення 15320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025EPSON09+ SOP14
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025AAEPSON2004
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025ACRTCSOP
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025ACEPSON00+ SOP
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025SA
на замовлення 35250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025Y12BPLB2APelonis TechnologiesDescription: FAN AXIAL 80X25MM 12VDC WIRE
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Constant Speed, Inrush Protection, Locked Rotor Protection, Polarity Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 4400 RPM
Air Flow: 57.7 CFM (1.64m³/min)
Width: 25.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 40.6dB(A)
Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 4.8 W
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.89 грн
10+ 747.35 грн
25+ 700.28 грн
50+ 600.87 грн
100+ 500.41 грн
R80286INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-10INTPGA
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-10INTELCLCC68 92+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-10/C2H
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTEL9940 LCC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTELPLCC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTEL99+
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTELCBGA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12(Refurbs)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12/S(Refurbs)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-6INTELBGA
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTEL96+ BGA;
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTEL07+;
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTPGA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8(Refurbs)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8SAdvanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Core Processor: 80286
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3450.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
R8028612INTEL99+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R802P2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80302NLiNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers Industrial Planar Transformers
товар відсутній
R80405
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80405CDIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8040PRockwellDIP-40
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8040SZCDIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8040SROCKWELL03+ DIP
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8046678
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8050REED InstrumentsDescription: DUAL RANGE SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13362.98 грн
R8050PROCKWELLDIP
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8050PROCKWELL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8050S
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8051AHP98+ DIP-40
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060REED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER WITH BARGRAPH
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товар відсутній
R8060/05P
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060KP
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060PROCKWELLDIP
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060PROCKWELL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060P1193813
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060S
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8069AP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8069BP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R806P2
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R806P2AD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070AG
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070AJZILOG89+ PLCC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070AP(1195111)ROCKWELL
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070JROCK00+ PLCC-68
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070JE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070PMEXICODIP64
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070SDREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (6), Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товар відсутній
R8070SD-KITREED InstrumentsDescription: SOUND METER W/ ADAPTER, SD CARD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товар відсутній
R8070SD-KIT2REED InstrumentsDescription: SOUND METER W/TRIPOD, CARD, ADP
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31279.83 грн
R8071AJROCKWELLPLCC68
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8071AJEBTPLCC68
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8071APMEXICODIP64
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8071J
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8075S
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8080REED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24561.01 грн
R8080-KITREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42477.86 грн
R8080-KIT-NISTREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+74056.3 грн
R8080-KIT2REED InstrumentsDescription: DATALOGGING SOUND METER W/TRIPOD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Tripod
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28741.61 грн
R8080-NISTREED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER/DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Calibration Certificate, Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45090.73 грн
R8082RSMO9
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8085REED InstrumentsDescription: PERSONAL NOISE DOSIMETER
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-KITREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETERS KIT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-NISTREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETER W/NIST CERT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-PCREED InstrumentsDescription: PC SOFTWARE FOR R8085
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-USBREED InstrumentsDescription: USB CABLE FOR R8085
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R80C186INTELLCC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186--12
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186-12INTELLCC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186-16
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XLINTEL9549 LCC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL-12
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL10INTELLCC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL10INTEL92
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL12INTELCBGA?
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL12INTEL02+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL20IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
товар відсутній
R80C186XL20INTEL02+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
товар відсутній
R80C186XL20INTEL02+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
товар відсутній
R80C186XL25IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 25MHz 68-Pin PLCC
товар відсутній
R80C188INTELLCC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188-12INTELCBGA?
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188-16INTELCPLCC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL-10INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL-12
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL-20
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL12
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL20IntelMPU 188 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
товар відсутній
R80C188XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80C186
Voltage - I/O: 5.0V
Supplier Device Package: 68-PLCC
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
RAM Controllers: DRAM
Graphics Acceleration: No
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3374.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
R80C188XL20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
товар відсутній
R80C188XL25INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C286-8
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80MOmron Automation and SafetyDescription: R80M, ROPE ONLY 80M
товар відсутній
R80POrion FansFan Accessories Retainer, 80mm, for GRM80 Series
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.57 грн
10+ 83.33 грн
25+ 69.7 грн
50+ 66.32 грн
100+ 60.87 грн
250+ 60.04 грн
500+ 57.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Resistance: 100Ω
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+584.35 грн
4+ 303.69 грн
10+ 276.05 грн
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Resistance: 100Ω
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.96 грн
4+ 243.7 грн
10+ 230.04 грн
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+588.07 грн
4+ 311.75 грн
10+ 283.82 грн
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.06 грн
4+ 250.17 грн
10+ 236.51 грн
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
товар відсутній
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R80W-1KSR PASSIVESR80W-1K Power resistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+620.59 грн
4+ 296.76 грн
10+ 280.37 грн
R80W-1RSR PASSIVESR80W-1R Power resistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+620.59 грн
4+ 293.31 грн
10+ 277.78 грн
R80W-220RSR PASSIVESR80W-220R Power resistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+620.59 грн
4+ 290.72 грн
10+ 275.19 грн
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+627.09 грн
5+ 427.32 грн
25+ 320.05 грн
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.57 грн
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.83 грн
4+ 244.42 грн
5+ 243.7 грн
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+589 грн
4+ 304.59 грн
5+ 292.44 грн
10+ 276.91 грн
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+590.86 грн
4+ 303.69 грн
10+ 276.05 грн
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.38 грн
4+ 243.7 грн
10+ 230.04 грн
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
товар відсутній
R80W-470R
Код товару: 188515		Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W
товар відсутній
R80W-47RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+630.81 грн
5+ 430 грн
25+ 321.77 грн
R80W-47RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.67 грн
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+585.28 грн
4+ 316.23 грн
10+ 288.13 грн
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.74 грн
4+ 253.77 грн
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.51 грн
5+ 336.44 грн
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+615.01 грн
5+ 419.25 грн
25+ 314.01 грн