Продукція > RQ5

MOSFET -12V P-CHANNEL -2A

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ5A020ZPTL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RQ5A020ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.09 грн
10+	28.76 грн
100+	19.97 грн
500+	14.63 грн
1000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5A020ZPTL

Description: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ5A020ZPTL

товар відсутній

RQ5A020ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V

товар відсутній

RQ5A025ZPTL

Description: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	35.77 грн
28+	27.79 грн
100+	21.6 грн
500+	15.67 грн
1000+	11.68 грн
3000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 22

RQ5A025ZPTL

MOSFET RQ5A025ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 8520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
10+	33.89 грн
100+	22.29 грн
500+	18.43 грн
1000+	15.04 грн
3000+	11.87 грн
9000+	11.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

на замовлення 26780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.86 грн
13+	23.29 грн
100+	15.87 грн
500+	11.17 грн
1000+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ5A030APTL

RQ5A030APTL SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ5A030APTL

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.12 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.55 грн
3000+	11.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5A030APTL

MOSFET -12V P-CHANNEL -3A

на замовлення 7495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.68 грн
13+	25.16 грн
100+	14.91 грн
1000+	8.35 грн
3000+	7.66 грн
9000+	6.76 грн
24000+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 11

RQ5A030APTL

Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.5 грн
6000+	7.69 грн
15000+	7.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5A030APTL

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm

на замовлення 5300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.71 грн
26+	29.96 грн
100+	18.12 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.55 грн
3000+	11.08 грн

Мінімальне замовлення: 20

RQ5A040ZPTL

MOSFET RQ5A040ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 8369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.65 грн
10+	44.05 грн
100+	29.19 грн
500+	24.98 грн
1000+	21.26 грн
3000+	18.91 грн
6000+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5A040ZPTL

Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3

товар відсутній

RQ5A040ZPTL

Description: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.75 грн
500+	26.02 грн
1000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5A040ZPTL

RQ5A040ZPTL SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ5A040ZPTL

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.41 грн
16+	48.54 грн
100+	32.75 грн
500+	26.02 грн
1000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

RQ5C020TPTL

Description: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	32.05 грн
29+	27.33 грн
100+	20.36 грн
500+	14.88 грн
1000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 25

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

на замовлення 3811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.83 грн
10+	29.55 грн
100+	20.53 грн
500+	15.04 грн
1000+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5C020TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2A

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ5C020TPTL

Description: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.36 грн
500+	14.88 грн
1000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5C020TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

товар відсутній

RQ5C025TPTL

MOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A

на замовлення 1105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ5C025TPTL

Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 25725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	41.96 грн
23+	35.15 грн
100+	26.17 грн
500+	19.12 грн
1000+	13.6 грн
5000+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 19

RQ5C025TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

на замовлення 2427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ5C025TPTL

на замовлення 25725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.17 грн
500+	19.12 грн
1000+	13.6 грн
5000+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5C030TPTL

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.45 грн
500+	17.4 грн
1000+	13.67 грн
3000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

товар відсутній

RQ5C030TPTL

Description: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

на замовлення 3816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	37.55 грн
24+	32.36 грн
100+	22.45 грн
500+	17.4 грн
1000+	13.67 грн
3000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 21

RQ5C030TPTL

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 10609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.67 грн
10+	34.52 грн
100+	21.67 грн
500+	18.5 грн
1000+	15.73 грн
3000+	13.94 грн
6000+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5C030TPTL

Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.3 грн
10+	36.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

на замовлення 17846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.83 грн
10+	29.62 грн
100+	20.57 грн
500+	15.08 грн
1000+	12.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5C035BCTCL

RQ5C035BCTCL SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ5C035BCTCL

MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET

на замовлення 4851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.23 грн
11+	30.63 грн
100+	19.94 грн
500+	15.67 грн
1000+	12.15 грн
3000+	11.46 грн
6000+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5C035BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.12 грн
6000+	11.08 грн
9000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.22 грн
6000+	18.45 грн
9000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5C060BCTCL

Description: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm

на замовлення 6569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.21 грн
500+	25.52 грн
1000+	17.85 грн
5000+	16.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 2951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	36.47 грн
342+	35.01 грн
500+	33.74 грн
1000+	31.48 грн
2500+	28.28 грн

Мінімальне замовлення: 329

RQ5C060BCTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V

на замовлення 9534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53 грн
10+	44.43 грн
100+	30.75 грн
500+	24.11 грн
1000+	20.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5C060BCTCL

на замовлення 6569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.63 грн
17+	47.53 грн
100+	32.21 грн
500+	25.52 грн
1000+	17.85 грн
5000+	16.13 грн

Мінімальне замовлення: 13

RQ5C060BCTCL

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	59.73 грн
411+	29.12 грн
450+	26.63 грн
452+	25.58 грн
556+	19.23 грн
1000+	17.26 грн

Мінімальне замовлення: 201

RQ5C060BCTCL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RQ5C060BCTCL

товар відсутній

RQ5C060BCTCL

MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET

на замовлення 15815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.2 грн
10+	44.05 грн
100+	28.71 грн
500+	24.43 грн
1000+	20.77 грн
3000+	18.56 грн
6000+	17.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5E015RPTL

RQ5E015RPTL SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ5E015RPTL

MOSFET RQ5E015RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 9749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.87 грн
10+	35.71 грн
100+	23.19 грн
500+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E020SPTL

MOSFET RQ5E020SP is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.22 грн
10+	35.4 грн
100+	21.46 грн
500+	16.77 грн
1000+	13.6 грн
3000+	11.46 грн
9000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

товар відсутній

RQ5E020SPTL

Description: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.07 грн
500+	17.4 грн
1000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5E020SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 2680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.82 грн
10+	32.28 грн
100+	22.45 грн
500+	16.45 грн
1000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E020SPTL

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.44 грн
23+	34.84 грн
100+	23.07 грн
500+	17.4 грн
1000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 18

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

на замовлення 11144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.34 грн
12+	25.74 грн
100+	15.42 грн
500+	13.4 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5E025ATTCL

Description: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	32.44 грн
30+	26.48 грн
100+	13.63 грн
500+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 24

RQ5E025ATTCL

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E025ATTCL

MOSFET Pch -30V -2.5A Si MOSFET

на замовлення 28190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.91 грн
14+	22.7 грн
100+	12.15 грн
1000+	9.25 грн
3000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.82 грн
10+	32.28 грн
100+	24.1 грн
500+	17.77 грн
1000+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E025SNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.84 грн
10+	32.46 грн
100+	21.05 грн
500+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5E025SNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

товар відсутній

RQ5E025SPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.54 грн
10+	37.17 грн
100+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5E025SPTL

MOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.09 грн
10+	38.65 грн
100+	25.12 грн
500+	20.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E025TNTL

RQ5E025TNTL SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 5055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.34 грн
11+	28.61 грн
100+	19.88 грн
500+	14.56 грн
1000+	11.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5E025TNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.71 грн
11+	30.87 грн
100+	20.01 грн
500+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5E025TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E030AJTCL

MOSFET Nch 30V 3Ad Si MOSFET

на замовлення 5478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.74 грн
13+	25.56 грн
100+	16.29 грн
500+	13.32 грн
1000+	10.84 грн
3000+	8.97 грн
9000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.37 грн
6000+	9.48 грн
9000+	8.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E030AJTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

RQ5E030AJTCL

Description: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	37.16 грн
24+	32.28 грн
100+	24.15 грн
500+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 21

RQ5E030AJTCL

товар відсутній

RQ5E030AJTCL

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 13933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
12+	25.38 грн
100+	17.61 грн
500+	12.9 грн
1000+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ5E030RPTL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

RQ5E030RPTL

Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

на замовлення 3784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.46 грн
20+	40.18 грн
100+	27.02 грн
500+	19.7 грн
1000+	14.07 грн
3000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 16

RQ5E030RPTL

товар відсутній

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ5E030RPTL

MOSFET P-CHANNEL -30V 3A

на замовлення 11359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.2 грн
10+	36.43 грн
100+	23.26 грн
500+	18.29 грн
1000+	14.15 грн
3000+	12.84 грн
9000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E030RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

товар відсутній

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 116255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.62 грн
15+	20.49 грн
100+	12.31 грн
500+	10.7 грн
1000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

RQ5E035ATTCL

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 31136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.23 грн
14+	22.78 грн
100+	11.04 грн
1000+	7.52 грн
3000+	6.42 грн
9000+	5.94 грн
24000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ5E035ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.41 грн
6000+	6.84 грн
9000+	6.16 грн
30000+	5.69 грн
75000+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E035ATTCL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

RQ5E035ATTCL

товар відсутній

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

на замовлення 21093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.85 грн
14+	22 грн
100+	11.11 грн
500+	8.5 грн
1000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ5E035BNTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RQ5E035BNTCL

товар відсутній

RQ5E035BNTCL

MOSFET Nch 30V 3.5A Power MOSET

на замовлення 13020 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.19 грн
14+	24.13 грн
100+	8.7 грн
1000+	6.42 грн
3000+	4.83 грн
9000+	4.42 грн
24000+	4.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ5E035BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.87 грн
6000+	5.41 грн
9000+	4.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E035XNTCL

MOSFET RQ5E035XN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.95 грн
10+	33.81 грн
100+	21.33 грн
500+	16.01 грн
1000+	12.97 грн
3000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E035XNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 5996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.07 грн
10+	30.77 грн
100+	21.39 грн
500+	15.67 грн
1000+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E040AJTCL

MOSFET NPN Low VCE(sat) Transistor

на замовлення 3454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.16 грн
10+	32.06 грн
100+	19.39 грн
500+	15.11 грн
1000+	12.35 грн
3000+	10.42 грн
9000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5E040AJTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E040AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V

на замовлення 8578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.09 грн
11+	28.54 грн
100+	19.84 грн
500+	14.54 грн
1000+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ5E040AJTCL

товар відсутній

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

товар відсутній

RQ5E040RPTL

MOSFET RQ5E040RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for DC/DC converters.

на замовлення 13686 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.19 грн
10+	42.7 грн
100+	28.5 грн
500+	22.5 грн
1000+	18.01 грн
3000+	16.36 грн
9000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5E040RPTL

Description: ROHM - RQ5E040RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ5E040RPTL

Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53 грн
10+	44.86 грн
100+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

товар відсутній

RQ5E040TNTL

MOSFET 30V N-CHANNEL 4A

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	39.13 грн
100+	20.01 грн
1000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E040TNTL

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.31 грн
10+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5E040TNTL

RQ5E040TNTL SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

на замовлення 14900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.27 грн
10+	41.26 грн
100+	28.59 грн
500+	22.42 грн
1000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5E050ATTCL

RQ5E050ATTCL SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ5E050ATTCL

Description: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.3 грн
16+	50.01 грн
100+	34.84 грн
500+	25.59 грн
1000+	18.85 грн
3000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 14

RQ5E050ATTCL

MOSFET RQ5E050AT is a small signal MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

на замовлення 6591 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.28 грн
10+	43.25 грн
100+	28.92 грн
500+	22.84 грн
1000+	18.29 грн
3000+	16.49 грн
9000+	14.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5E050ATTCL

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.8 грн
6000+	17.15 грн
9000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ5E065AJTCL

MOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.

на замовлення 3027 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.76 грн
10+	49.37 грн
100+	32.99 грн
500+	26.09 грн
1000+	20.84 грн
3000+	18.84 грн
9000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5E065AJTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.75 грн
10+	45.07 грн
100+	31.2 грн
500+	24.47 грн
1000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5E070BNTCL

Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.76 грн
20+	40.18 грн
100+	24.93 грн
500+	19.41 грн
1000+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 17

RQ5E070BNTCL

MOSFET Nch 30V 7Ad Si MOSFET

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.29 грн
10+	49.37 грн
100+	32.99 грн
500+	26.09 грн
1000+	20.84 грн
3000+	18.91 грн
9000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ5E070BNTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RQ5E070BNTCL

Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.93 грн
500+	19.41 грн
1000+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5E070BNTCL

Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.02 грн
10+	42.2 грн
100+	29.22 грн
500+	22.91 грн
1000+	19.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5E070BNTCL

товар відсутній

RQ5H020SPTL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -2A; Idm: -8A; 1W; TSMT3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3

на замовлення 2842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	19.59 грн
28+	13.23 грн
82+	10.35 грн
224+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 20

RQ5H020SPTL

Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.44 грн
21+	38.4 грн
100+	24.08 грн
500+	17.47 грн
1000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 18

RQ5H020SPTL

Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.44 грн
21+	38.4 грн
100+	24.08 грн
500+	17.47 грн
1000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 18

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5H020SPTL

на замовлення 2842 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	23.5 грн
25+	16.48 грн
82+	12.42 грн
224+	11.73 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ5H020SPTL

MOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET

на замовлення 9936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.22 грн
10+	35.4 грн
100+	21.46 грн
500+	16.77 грн
1000+	13.6 грн
3000+	10.77 грн
9000+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5H020SPTL

на замовлення 2426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.08 грн
500+	17.47 грн
1000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ5H020SPTL

Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V

на замовлення 5443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.82 грн
10+	32.28 грн
100+	22.45 грн
500+	16.45 грн
1000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5H020TNTL

Description: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3

товар відсутній

RQ5H020TNTL

RQ5H020TNTL SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ5H020TNTL

MOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.

на замовлення 16548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.86 грн
10+	51.43 грн
100+	35.82 грн
500+	30.85 грн
1000+	25.19 грн
3000+	23.67 грн
6000+	22.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ5H020TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3

на замовлення 811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.4 грн
10+	65.2 грн
100+	50.8 грн
500+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.56 грн
6000+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5H025TNTL

RQ5H025TNTL SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ5H025TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V

на замовлення 10359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.31 грн
10+	33.14 грн
100+	23.01 грн
500+	16.86 грн
1000+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5H025TNTL

MOSFET 45V N-CHANNEL 2.5A

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.28 грн
10+	37.38 грн
100+	24.29 грн
500+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

на замовлення 10870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.1 грн
11+	26.6 грн
100+	18.39 грн
500+	14.42 грн
1000+	13.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ5H030TNTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Case: TSMT3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 1W
Pulsed drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 3A
On-state resistance: 95mΩ

товар відсутній

RQ5H030TNTL

Description: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5H030TNTL

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 67597 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.91 грн
10+	41.43 грн
100+	24.91 грн
500+	20.77 грн
1000+	17.74 грн
3000+	15.8 грн
6000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5H030TNTL

товар відсутній

RQ5L015SPTL

MOSFET Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET

на замовлення 111049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.46 грн
12+	27.46 грн
100+	17.46 грн
500+	13.94 грн
1000+	11.39 грн
3000+	9.45 грн
9000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ5L015SPTL

Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 15427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5L015SPTL

Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3

на замовлення 4951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ5L015SPTL

на замовлення 15427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	28.34 грн
50+	23.46 грн
100+	18.5 грн

Мінімальне замовлення: 28

RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.54 грн
10+	37.38 грн
100+	27.9 грн
500+	20.57 грн
1000+	15.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5L020SNTL

RQ5L020SNTL SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ5L020SNTL

MOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.

на замовлення 8561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.4 грн
10+	34.37 грн
100+	21.53 грн
500+	17.39 грн
1000+	14.15 грн
3000+	11.94 грн
9000+	11.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ5L020SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5L020SNTL

Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.66 грн
21+	37.86 грн
100+	28.34 грн
500+	20.63 грн
1000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 18

RQ5L030SNTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ5L030SNTL

MOSFET RQ5L030SN is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for DC/DC converters.

на замовлення 1187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.91 грн
10+	41.67 грн
100+	25.05 грн
500+	20.91 грн
1000+	17.81 грн
3000+	15.87 грн
6000+	15.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5L030SNTL

товар відсутній

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

товар відсутній

RQ5L030SNTL

Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V

на замовлення 4787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.05 грн
10+	37.17 грн
100+	25.71 грн
500+	20.16 грн
1000+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

товар відсутній

RQ5L035GNTCL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ5L035GNTCL

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V

товар відсутній

RQ5L035GNTCL

MOSFET RQ5L035GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.

на замовлення 3260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.2 грн
10+	47.78 грн
100+	28.78 грн
500+	24.09 грн
1000+	20.5 грн
3000+	18.15 грн
6000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ5L035GNTCL

товар відсутній

RQ5P010SNTL

RQ5P010SNTL SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ5P010SNTL

Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.01 грн
6000+	14.64 грн
9000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ5P010SNTL

MOSFET RQ5P010SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.

на замовлення 18268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.91 грн
10+	36.27 грн
100+	23.4 грн
500+	18.91 грн
1000+	15.39 грн
3000+	13.04 грн
9000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ5P010SNTL