Продукція > RQ6

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

RQ6A045APTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

товар відсутній

RQ6A045APTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6A045AP is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.98 грн
10+	44.37 грн
100+	28.78 грн
500+	22.64 грн
1000+	17.53 грн
3000+	15.6 грн
6000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6A045APTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.54 грн
10+	37.6 грн
100+	26.15 грн
500+	19.17 грн
1000+	15.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6A045ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товар відсутній

RQ6A045ZPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6A045ZP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.9 грн
10+	50.95 грн
100+	30.09 грн
500+	25.19 грн
1000+	21.39 грн
3000+	18.98 грн
6000+	17.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6A045ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товар відсутній

RQ6A050ZPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6A050ZP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 1892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.12 грн
10+	58.17 грн
100+	35.06 грн
500+	29.26 грн
1000+	24.91 грн
3000+	22.15 грн
6000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6A050ZPTR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 1.25W; TSMT6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: TSMT6

товар відсутній

RQ6A050ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

товар відсутній

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.63 грн
15+	54.5 грн
100+	41.81 грн
500+	30.7 грн
1000+	22.69 грн

Мінімальне замовлення: 13

RQ6A050ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	52.33 грн
100+	36.2 грн
500+	28.39 грн
1000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6A050ZPTR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 1.25W; TSMT6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: TSMT6
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.01 грн
13+	61.39 грн
100+	43.28 грн
500+	31.77 грн
1000+	23.49 грн
3000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	28.01 грн
446+	26.88 грн
500+	25.91 грн
1000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 428

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.47 грн
10+	50.18 грн
100+	34.72 грн
500+	27.23 грн
1000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6C050BCTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -20V -5A Si MOSFET

на замовлення 3321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	55 грн
100+	33.06 грн
500+	27.61 грн
1000+	23.46 грн
3000+	20.91 грн
6000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.28 грн
500+	31.77 грн
1000+	23.49 грн
3000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	61.13 грн
402+	29.8 грн
439+	27.26 грн
441+	26.18 грн
543+	19.71 грн
1000+	17.7 грн

Мінімальне замовлення: 196

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.43 грн
500+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 40968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.34 грн
11+	28.11 грн
100+	19.51 грн
500+	14.3 грн
1000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ6C050UNTR

ROHM Semiconductor

MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 5117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.44 грн
11+	31.59 грн
100+	20.57 грн
500+	16.15 грн
1000+	12.42 грн
3000+	10.21 грн
9000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	32.36 грн
31+	25.55 грн
100+	16.95 грн
500+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 24

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	19.38 грн
641+	18.68 грн
1000+	18.07 грн

Мінімальне замовлення: 618

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.5 грн
6000+	10.51 грн
9000+	9.76 грн
30000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

481+	24.88 грн
500+	23.99 грн
1000+	23.21 грн
2500+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 481

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.52 грн
20+	39.17 грн
100+	27.25 грн
500+	21.14 грн
1000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 18

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товар відсутній

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.25 грн
500+	21.14 грн
1000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6C065BCTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -20V -6.5A Si MOSFET

на замовлення 601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.18 грн
10+	50.16 грн
100+	30.37 грн
500+	25.4 грн
1000+	21.19 грн
3000+	18.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товар відсутній

RQ6E030ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.58 грн
10+	29.76 грн
100+	20.68 грн
500+	15.15 грн
1000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ6E030ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -30V -3A Middle Power MOSFET

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.16 грн
10+	32.62 грн
100+	21.19 грн
500+	16.63 грн
1000+	12.84 грн
3000+	11.73 грн
9000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.2 грн
500+	14.45 грн
1000+	10.29 грн
2500+	9.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6E030ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.04 грн
22+	35.46 грн
100+	22.14 грн
500+	16.03 грн
1000+	10.15 грн

Мінімальне замовлення: 19

RQ6E030SPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E030SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.36 грн
10+	48.17 грн
100+	31.26 грн
500+	24.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6E030SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.79 грн
100+	25.99 грн
500+	19.16 грн
1000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E030SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

товар відсутній

RQ6E035ATTCR

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	17.52 грн

Мінімальне замовлення: 40

RQ6E035ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -12A; 1.25W; TSMT6
Case: TSMT6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

RQ6E035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ6E035ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 3262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.42 грн
15+	21.75 грн
100+	10.35 грн
1000+	7.18 грн
3000+	6.9 грн
9000+	5.66 грн
24000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ6E035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.88 грн
15+	19.91 грн
100+	11.93 грн
500+	10.37 грн
1000+	7.05 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ6E035ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -12A; 1.25W; TSMT6
Case: TSMT6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

RQ6E035SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

товар відсутній

RQ6E035SPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E035SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 7118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.18 грн
10+	40.48 грн
100+	24.36 грн
500+	20.36 грн
1000+	17.32 грн
3000+	15.39 грн
6000+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6E035SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.05 грн
10+	36.88 грн
100+	25.54 грн
500+	20.03 грн
1000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.76 грн
22+	35.69 грн
100+	23.61 грн
500+	17.83 грн
1000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 17

RQ6E035TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

товар відсутній

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.61 грн
500+	17.83 грн
1000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6E035TNTR

ROHM Semiconductor

MOSFET 30V N-CHANNEL 3.5A

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.18 грн
10+	40.48 грн
100+	26.22 грн
500+	20.63 грн
1000+	15.94 грн
3000+	14.49 грн
9000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6E035TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.78 грн
10+	39.39 грн
100+	27.38 грн
500+	20.06 грн
1000+	16.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6E040XNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

товар відсутній

RQ6E040XNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E040XN is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.16 грн
10+	37.46 грн
100+	24.36 грн
500+	19.12 грн
1000+	14.77 грн
3000+	13.18 грн
6000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E040XNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.07 грн
10+	31.34 грн
100+	21.79 грн
500+	15.96 грн
1000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ6E045BNTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 18A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 8.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

RQ6E045BNTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 18A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 8.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.11 грн
14+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.59 грн
12+	24.95 грн
100+	14.98 грн
500+	13.02 грн
1000+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ6E045BNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Nch 30V 4.5A Power MOSFET

на замовлення 1968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.71 грн
12+	27.86 грн
100+	13.46 грн
1000+	9.18 грн
3000+	8.01 грн
9000+	7.25 грн
24000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ6E045RPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E045RP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 10330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.18 грн
10+	49.44 грн
100+	34.37 грн
500+	30.71 грн
1000+	26.16 грн
3000+	21.81 грн
6000+	21.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6E045SNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.54 грн
10+	37.74 грн
100+	26.14 грн
500+	20.5 грн
1000+	17.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6E045SNTR

ROHM Semiconductor

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.65 грн
10+	38.73 грн
100+	23.4 грн
500+	19.53 грн
1000+	16.63 грн
3000+	14.77 грн
6000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E045SNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.18 грн
25+	31.04 грн
100+	20.98 грн
500+	16.25 грн
1000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 20

RQ6E045TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6E045TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

на замовлення 11095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.81 грн
10+	34.51 грн
100+	23.91 грн
500+	18.75 грн
1000+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E045TNTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E045TN is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 6092 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.95 грн
10+	45.56 грн
100+	29.61 грн
500+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.98 грн
500+	16.25 грн
1000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6E050AJTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E050AJ is small surface mount package MOSFET which is suitable for switching application.

на замовлення 4823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.53 грн
10+	45 грн
100+	30.02 грн
500+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.97 грн
24+	33.21 грн
100+	22.53 грн
500+	17.83 грн
1000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 19

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

на замовлення 1967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.06 грн
10+	34.43 грн
100+	23.86 грн
500+	18.71 грн
1000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.53 грн
500+	17.83 грн
1000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6E050ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E050ATTCR SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ6E050ATTCR

Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 13102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.63 грн
19+	42.27 грн
100+	28.49 грн
500+	20.7 грн
1000+	14.86 грн
3000+	13.47 грн
6000+	12.94 грн
12000+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 16

RQ6E050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.43 грн
6000+	12.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6E050ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -30V -5A Power MOSFET

на замовлення 26415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.75 грн
10+	36.27 грн
100+	23.6 грн
500+	18.5 грн
1000+	14.35 грн
3000+	12.97 грн
6000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 13851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.57 грн
10+	32.78 грн
100+	22.8 грн
500+	16.71 грн
1000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E055BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	36.45 грн
100+	27.91 грн
500+	20.71 грн
1000+	16.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ6E055BNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Nch 30V 5.5A Power MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.19 грн
10+	42.7 грн
100+	28.5 грн
500+	22.98 грн
1000+	18.36 грн
3000+	16.36 грн
6000+	15.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ6E055BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ6E055BNTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E055BNTCR SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ6E060ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E060AT is low on-resistance MOSFET for switching and load switch.

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.82 грн
10+	51.9 грн
100+	34.64 грн
500+	27.47 грн
1000+	21.95 грн
3000+	19.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6E060ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6E060ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

на замовлення 3736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53 грн
10+	44.43 грн
100+	30.75 грн
500+	24.11 грн
1000+	20.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6E080AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.75 грн
10+	45.07 грн
100+	31.21 грн
500+	24.47 грн
1000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.59 грн
14+	57.91 грн
100+	40.57 грн
500+	29.83 грн
1000+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ6E080AJTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E080AJTCR SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ6E080AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ6E080AJTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E080AJ is low on - resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.63 грн
10+	58.81 грн
100+	39.2 грн
500+	30.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.57 грн
500+	29.83 грн
1000+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6E085BNTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E085BNTCR SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ6E085BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6E085BNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Nch 30V 8.5A Si MOSFET

на замовлення 1585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.62 грн
10+	63.89 грн
100+	43.34 грн
500+	35.82 грн
1000+	28.23 грн
3000+	26.36 грн
6000+	25.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.91 грн
13+	61.39 грн
100+	47.07 грн
500+	34.58 грн
1000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ6E085BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.22 грн
10+	48.67 грн
100+	37.83 грн
500+	30.09 грн
1000+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.07 грн
500+	34.58 грн
1000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6G050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 20289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.46 грн
10+	52.84 грн
100+	36.56 грн
500+	28.67 грн
1000+	24.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6G050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.04 грн
6000+	21.93 грн
9000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6G050ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -30V -5A Power MOSFET

на замовлення 10390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.84 грн
10+	59.13 грн
100+	39.48 грн
500+	31.82 грн
1000+	25.47 грн
3000+	23.12 грн
24000+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6L020SPTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.16 грн
6000+	27.66 грн
9000+	26.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6L020SPTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 266mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8A
Mounting: SMD
Case: TSMT6

товар відсутній

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm

на замовлення 14216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.19 грн
500+	33.93 грн
1000+	23.96 грн
5000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ6L020SPTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T

на замовлення 23312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.13 грн
10+	58.41 грн
100+	41.75 грн
500+	36.09 грн
1000+	29.4 грн
3000+	27.67 грн
6000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm

на замовлення 14216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.64 грн
14+	56.21 грн
100+	42.19 грн
500+	33.93 грн
1000+	23.96 грн
5000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 11

RQ6L020SPTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 266mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8A
Mounting: SMD
Case: TSMT6
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ6L020SPTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 20372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.41 грн
10+	57.51 грн
100+	44.69 грн
500+	35.55 грн
1000+	28.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6L035ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.5A; Idm: -14A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 87mΩ
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -6.5A
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ6L035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 11845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.46 грн
10+	52.84 грн
100+	36.56 грн
500+	28.67 грн
1000+	24.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6L035ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.5A; Idm: -14A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 87mΩ
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -6.5A
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Polarisation: unipolar

товар відсутній

RQ6L035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.04 грн
6000+	21.93 грн
9000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6P015SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.85 грн
6000+	18.11 грн
9000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ6P015SPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -100V -1.5A Power MOSFET

на замовлення 2897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.83 грн
10+	58.25 грн
100+	38.85 грн
500+	30.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ6P015SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 29034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.26 грн
10+	43.64 грн
100+	30.19 грн
500+	23.67 грн
1000+	20.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6P015SPTR

Description: ROHM - RQ6P015SPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.41 грн
15+	53.03 грн
100+	35.92 грн
500+	26.81 грн
1000+	20.17 грн
3000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

RQ6P015SPTR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6P015SPTR SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ6P020ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

на замовлення 5125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.23 грн
10+	48.17 грн
100+	33.34 грн
500+	26.15 грн
1000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ6P020ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

товар відсутній

RQ6P020ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6P020AT is a low on-resistance MOSFET suitable for Switching, Load switch.

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.16 грн
10+	53.65 грн
100+	31.82 грн
500+	26.57 грн
1000+	23.33 грн
3000+	19.74 грн
6000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 6