Продукція > SIU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIU175-40-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+156207.29 грн
SIU175-40-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+163023.16 грн
SIU175-40-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+165897.32 грн
SIU175-40-TG-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+160723.82 грн
SIU175-50-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+213110.45 грн
SIU175-50-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+182485.33 грн
SIU175-50-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+214596.81 грн
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYSIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товар відсутній
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 500
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
товар відсутній
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
товар відсутній
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товар відсутній
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
товар відсутній
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 132843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
14+ 23.49 грн
100+ 8.49 грн
1000+ 6.28 грн
3000+ 4.69 грн
9000+ 4.28 грн
24000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
товар відсутній
SIUD402ED-T1-GE3VishayN-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIUD402ED-T1-GE3VISHAYSIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIUD403ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товар відсутній
SiUD403ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -500mA; 1.25W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
товар відсутній
SiUD403ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -500mA; 1.25W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 11533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.13 грн
17+ 17.54 грн
100+ 8.87 грн
500+ 7.38 грн
1000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
SiUD403ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 26840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.44 грн
18+ 18.49 грн
100+ 7.52 грн
1000+ 5.87 грн
3000+ 4.62 грн
9000+ 4.49 грн
24000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.71 грн
6000+ 6.31 грн
9000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.99 грн
31+ 19.48 грн
32+ 19.11 грн
50+ 18.01 грн
100+ 8.82 грн
250+ 8.41 грн
500+ 7.8 грн
1000+ 5.64 грн
3000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.21 грн
15+ 22.54 грн
100+ 8.76 грн
1000+ 6.9 грн
3000+ 5.94 грн
9000+ 5.24 грн
24000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 16860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
14+ 20.78 грн
100+ 10.47 грн
500+ 8.7 грн
1000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIUD406ED-T1-GE3VISHAYSIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
товар відсутній
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.9 грн
43+ 13.85 грн
100+ 7.64 грн
250+ 7.01 грн
500+ 5.76 грн
1000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
6000+ 5.65 грн
9000+ 4.88 грн
30000+ 4.5 грн
75000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SiUD412ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.71nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товар відсутній
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товар відсутній
SiUD412ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.71nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SiUD412ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.23 грн
13+ 26.43 грн
100+ 12.97 грн
500+ 8.63 грн
1000+ 6.56 грн
3000+ 5.87 грн
6000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 98041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
13+ 22.93 грн
100+ 11.6 грн
500+ 8.88 грн
1000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIUPC3Carlo GavazziInterface Modules RS485/USB CONVERTER REV.0
товар відсутній
SIUTCP2Carlo GavazziInterface Modules VIRTUAL COMM PORT GATEWAY
товар відсутній