Продукція > SQD

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD07N25-350H_GE3

MOSFET N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	96.03 грн
100+	64.8 грн
500+	54.87 грн
1000+	44.65 грн
2000+	40.79 грн
4000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD07N25-350H_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD100A60S

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.14 грн
10+	92.86 грн
100+	62.87 грн
500+	53.35 грн
1000+	43.48 грн
2000+	40.03 грн
4000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N02-3M5L_GE3

Automotive N-Channel 20 V MOSFET

товар відсутній

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.5 грн
10+	84.83 грн
100+	65.96 грн
500+	52.47 грн
1000+	42.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N02_3M5L4GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD100N03-3M2L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N033M2L_GE3

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.46 грн
10+	111.11 грн
100+	77.29 грн
250+	70.39 грн
500+	64.11 грн
1000+	54.93 грн
2000+	52.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.94 грн
10+	95.24 грн
100+	66.11 грн
250+	60.66 грн
500+	55.07 грн
1000+	47.2 грн
2000+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N04-3M6-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

товар відсутній

SQD100N04-3m6L_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.94 грн
10+	95.24 грн
100+	66.11 грн
250+	60.66 грн
500+	55.07 грн
1000+	47.2 грн
2000+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N04-3M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.61 грн
10+	108.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 5385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.25 грн
10+	86.55 грн
100+	68.91 грн
500+	54.72 грн
1000+	46.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD100N04-3M6_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	132.39 грн
10+	108.39 грн
25+	96.77 грн
100+	77.64 грн
500+	65.3 грн
2000+	58.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD100N04-3m6_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.14 грн
10+	94.44 грн
100+	65.49 грн
250+	60.59 грн
500+	55 грн
1000+	47.14 грн
2000+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N04-3M6_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N04_3M6T4GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

товар відсутній

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

товар відсутній

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD10950E_GE3

MOSFET N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.89 грн
10+	84.92 грн
100+	61.15 грн
500+	55.56 грн
1000+	40.1 грн
2000+	37.82 грн
4000+	36.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	86.05 грн
100+	66.91 грн
500+	53.22 грн
1000+	43.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD10N30-330H_4GE3

MOSFET N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	96.03 грн
100+	64.8 грн
500+	54.87 грн
1000+	44.65 грн
2000+	42.1 грн
4000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	86.05 грн
100+	66.91 грн
500+	53.22 грн
1000+	43.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

Trans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD15N06-42L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252

товар відсутній

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.89 грн
10+	66.14 грн
100+	51.57 грн
500+	39.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD15N06-42L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD15N06-42L_GE3

MOSFET 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.94 грн
10+	68.65 грн
100+	46.58 грн
500+	38.44 грн
1000+	30.99 грн
2000+	29.81 грн
4000+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.19 грн
10+	57.87 грн
100+	45.11 грн
500+	34.97 грн
1000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD15N06-42L_T4GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD19P06-60L-E3

SQD19P06-60L-E3

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -11A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	48.81 грн
25+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	37.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.29 грн
10+	116.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD19P06-60L_GE3

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 28814 шт:

термін постачання 450-459 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	108.73 грн
100+	73.84 грн
500+	61.01 грн
1000+	48.1 грн
2000+	44.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD19P06-60L_T4GE3

MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 92331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.8 грн
10+	110.32 грн
100+	74.53 грн
500+	61.49 грн
1000+	48.59 грн
2500+	48.52 грн
5000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

на замовлення 3636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.18 грн
10+	105.96 грн
100+	82.59 грн
500+	64.03 грн
1000+	50.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD200A40

200A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

MODULE

на замовлення 187 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

200A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

H4-5

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200AA100

MODULE

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200AA120

MODULE

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200BA60

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD23N06-31L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

товар відсутній

SQD23N06-31L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD23N06-31L_GE3

MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.16 грн
10+	98.41 грн
100+	68.05 грн
250+	64.8 грн
500+	56.66 грн
1000+	48.52 грн
2000+	46.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

на замовлення 3603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.73 грн
10+	97.55 грн
100+	78.42 грн
500+	60.46 грн
1000+	50.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD23N06-31L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD23N06-31L_T4GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD25N06-22L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	47.23 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD25N06-22L_GE3

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.93 грн
10+	100.64 грн
100+	74.86 грн
500+	58.88 грн
1000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD25N06-22L_GE3

MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.38 грн
10+	99.21 грн
100+	66.74 грн
500+	56.52 грн
1000+	46.1 грн
2000+	44.31 грн
4000+	42.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.22 грн
10+	90 грн
100+	69.97 грн
500+	55.66 грн
1000+	45.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N06-22L_GE3

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.86 грн
500+	58.88 грн
1000+	40.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD25N06-22L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD25N06-22L_T4GE3

MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.72 грн
10+	91.27 грн
100+	61.84 грн
500+	52.38 грн
1000+	42.65 грн
2500+	38.99 грн
5000+	38.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N06-35L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252

товар відсутній

SQD25N15-52-T4_GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD25N15-52-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD25N15-52_GE3

MOSFET 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.1 грн
10+	263.49 грн
100+	187.72 грн
500+	159.42 грн
1000+	135.27 грн
2000+	127.67 грн
4000+	125.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.33 грн
10+	204.16 грн
100+	165.14 грн
500+	137.76 грн
1000+	117.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD25N15-52_GE3

Description: VISHAY - SQD25N15-52_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.038 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 11989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	310.45 грн
10+	248.51 грн
25+	226.84 грн
100+	189.79 грн
500+	126.08 грн
2000+	118.78 грн
4000+	116.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N15-52_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	122.91 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD25N15-52_GE3

на замовлення 11989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	189.79 грн
500+	126.08 грн
2000+	118.78 грн
4000+	116.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD25N15-52_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 107W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQD25N15-52_GE3

товар відсутній

SQD300A(BA)60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A(BA)60

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A40

300A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

300A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

MODULE

на замовлення 692 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

SANSHA

300A/450V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

H3-5

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

MODULE

на замовлення 565 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

300A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100E

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100E

H3-5

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100E

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

300A/1200V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA160

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

300A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60/400BA/300AA100E

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300H100

SANSHA

300A/1000V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD30N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD30N05-20L_GE3

Description: VISHAY - SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 8218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.29 грн
10+	97.55 грн
100+	72.7 грн
500+	57.15 грн
1000+	38.42 грн
5000+	37.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD30N05-20L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 55V; 30A; Idm: 120A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 31489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	96.03 грн
100+	64.8 грн
500+	54.87 грн
1000+	44.65 грн
2000+	41.13 грн
4000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD30N05-20L_T4GE3

MOSFET 55V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD30N05-20L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD35JA140

35A/1400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD35Ja140(160)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD35JA160

35A/1600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD35N05-26L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD35N05-26L-GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.49 грн
10+	87.2 грн
100+	67.84 грн
500+	53.96 грн
1000+	43.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40020EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	92.06 грн
100+	64.8 грн
500+	54.87 грн
1000+	44.65 грн
2000+	41.27 грн
4000+	39.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40020EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.29 грн
10+	96 грн
100+	72.7 грн
500+	57.15 грн
1000+	52.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40020E_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	90.48 грн
100+	64.8 грн
500+	54.87 грн
1000+	44.65 грн
2000+	42.03 грн
4000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40030E_GE3

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.14 грн
10+	94.44 грн
100+	65.49 грн
250+	60.04 грн
500+	54.59 грн
1000+	46.72 грн
2000+	44.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40030E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 10560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.35 грн
50+	100.64 грн
100+	85.16 грн
500+	66.93 грн
1000+	56.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40031EL_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 29730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.97 грн
10+	105.56 грн
100+	71.77 грн
500+	62.73 грн
1000+	53.07 грн
2000+	45.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40031EL_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	143.07 грн
5+	123.63 грн
12+	86.27 грн
32+	81.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD40031EL_GE3

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.22 грн
5+	99.21 грн
12+	71.89 грн
32+	68.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40052EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.6 грн
10+	60.95 грн
100+	41.27 грн
500+	34.99 грн
1000+	28.5 грн
2000+	26.85 грн
4000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 5969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.13 грн
10+	68.15 грн
100+	53.13 грн
500+	41.18 грн
1000+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40052EL_GE3

SQD40052EL-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.01 грн
10+	127.31 грн
100+	101.35 грн
500+	80.48 грн
1000+	68.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD40061EL-T4_GE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	71.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	55.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	97.1 грн
10+	83.2 грн
25+	80.34 грн
50+	73.96 грн
100+	55.57 грн
250+	52.84 грн
500+	48.72 грн
1000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 7130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.51 грн
10+	96 грн
100+	72.7 грн
500+	57.15 грн
1000+	50.5 грн
5000+	48.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40061EL_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 120476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.55 грн
10+	94.44 грн
100+	63.84 грн
500+	54.87 грн
1000+	42.65 грн
2000+	40.92 грн
4000+	39.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.49 грн
10+	87.2 грн
100+	67.84 грн
500+	53.96 грн
1000+	43.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 107W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.84 грн
500+	56.94 грн
2000+	50.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD40081EL_GE3

MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

на замовлення 21875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.62 грн
10+	78.97 грн
100+	53.76 грн
500+	45.55 грн
1000+	37.13 грн
2000+	34.99 грн
4000+	33.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	69.55 грн
6000+	63.55 грн
12000+	59.13 грн
18000+	53.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	37.15 грн
6000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

на замовлення 5525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.06 грн
10+	82.06 грн
100+	60.31 грн
500+	47.45 грн
1000+	42.4 грн
5000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.04 грн
10+	70.25 грн
100+	57.4 грн
500+	49.05 грн
1000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	84.1 грн
146+	82.48 грн
148+	80.9 грн
188+	61.38 грн
250+	56.25 грн
500+	48.23 грн
1000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 143

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 9999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	81.41 грн
172+	69.71 грн
211+	56.96 грн
500+	48.67 грн
1000+	39.48 грн

Мінімальне замовлення: 147

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.33 грн
10+	70.74 грн
100+	55.04 грн
500+	43.78 грн
1000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.68 грн
10+	78.1 грн
25+	76.59 грн
50+	72.44 грн
100+	52.77 грн
250+	50.14 грн
500+	44.79 грн
1000+	32.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40081EL_GE3

на замовлення 5729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.44 грн
500+	53.27 грн
1000+	38.89 грн
5000+	38.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD40081EL_GE3 транзистор
Код товару: 196931

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQD400A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60N

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60S

MODULE

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60S

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60S

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA-120

MODULE

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100

400A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100

MODULE

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100

H4-7

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA120

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA120

400A/1200V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

400A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

MODULE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.08 грн
10+	71.46 грн
100+	55.59 грн
500+	44.22 грн
1000+	36.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40131EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm

на замовлення 11938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.28 грн
500+	53.77 грн
1000+	43.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	84.2 грн
10+	71.47 грн
25+	70.76 грн
50+	67.54 грн
100+	46.77 грн
250+	44.46 грн
500+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD40131EL_GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	37.52 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40131EL_GE3

на замовлення 11938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.45 грн
50+	81.29 грн
100+	68.28 грн
500+	53.77 грн
1000+	43.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40131EL_GE3

MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 71818 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.42 грн
10+	75.32 грн
100+	53 грн
500+	44.93 грн
1000+	36.65 грн
2000+	33.26 грн
4000+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40N04-10A-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252

товар відсутній

SQD40N04-10A-GE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD40N04-10A-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40N06-14L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD40N06-14L_GE3

товар відсутній

SQD40N06-14L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

товар відсутній

SQD40N06-14L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V

на замовлення 6092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.97 грн
10+	91.51 грн
100+	72.84 грн
500+	57.84 грн
1000+	49.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

MOSFET 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 53224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	100 грн
100+	69.7 грн
250+	66.11 грн
500+	58.25 грн
1000+	49.9 грн
2000+	47.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.6 грн
6000+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40N06-14L_T4GE3

товар відсутній

SQD40N06-14L_T4GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD40N06-25L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD40N10-25-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

товар відсутній

SQD40N10-25-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD40N10-25_GE3

товар відсутній

SQD40N10-25-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40N10-25-T4_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD70140EL_GE3

товар відсутній

SQD40N10-25_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD70140EL_GE3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.13 грн
10+	380.16 грн
25+	325.74 грн
100+	267.08 грн
250+	262.94 грн
500+	237.4 грн
1000+	203.59 грн

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

товар відсутній

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

на замовлення 3414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.76 грн
10+	346.07 грн
100+	279.98 грн
500+	233.55 грн
1000+	199.98 грн

SQD40N10-25_GE3
Код товару: 200347

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	199.91 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD40P10-40L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3
Код товару: 179445

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	172.9 грн
10+	148.03 грн
25+	146.55 грн
100+	112.21 грн
250+	99.91 грн
500+	80.95 грн
1000+	72.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3

MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 33382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.07 грн
10+	161.11 грн
100+	113.18 грн
250+	104.21 грн
500+	95.24 грн
1000+	79.36 грн
2000+	75.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

товар відсутній

SQD45N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD45N05-20L-GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD45P03-12-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD45P03-12-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	60.53 грн
6000+	56.13 грн
10000+	54.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD45P03-12_GE3

MOSFET 30V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 24471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.02 грн
10+	114.29 грн
100+	79.36 грн
500+	65.84 грн
1000+	54.11 грн
2000+	51.41 грн
24000+	50.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD45P03-12_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -37A; 23W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -37A
Power dissipation: 23W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.16 грн
50+	95.22 грн
100+	81.29 грн
500+	65.13 грн
1000+	50.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V

на замовлення 16284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.14 грн
10+	114.45 грн
100+	91.97 грн
500+	70.91 грн
1000+	58.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	47.65 грн
25+	47.57 грн
50+	45.8 грн
100+	42.34 грн
250+	40.58 грн
500+	40.51 грн
1000+	40.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.25 грн
10+	87.06 грн
100+	69.27 грн
500+	55.01 грн
1000+	46.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 4947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.48 грн
10+	103.74 грн
100+	75.64 грн
500+	68.8 грн
1000+	62.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 5050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.8 грн
500+	69.68 грн
2000+	65.1 грн
4000+	60.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD50034EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.16 грн
10+	97.62 грн
100+	67.43 грн
250+	62.46 грн
500+	56.66 грн
1000+	48.52 грн
2000+	46.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD50034E_GE3

MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.41 грн
10+	111.9 грн
100+	75.91 грн
500+	62.73 грн
1000+	49.48 грн
2000+	46.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD50034E_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD50A100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50A90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50A90

MODULE

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AA100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

50A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

MODULE

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50B90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50BB90

J3-1

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50BB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50BB90

MODULE

на замовлення 236 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50CB100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50N02-04-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N02-04-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-06P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N03-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-09-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-09-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N03-3M1L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-4M0L-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N04-09H-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N04-09H-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N04-3M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N04-4M5L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 4043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.9 грн
500+	82.95 грн
2000+	71 грн
4000+	69.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD50N04-4M5L_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 4043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.97 грн
10+	157.16 грн
25+	141.68 грн
100+	117.9 грн
500+	82.95 грн
2000+	71 грн
4000+	69.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N04-5M6-GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товар відсутній

SQD50N04-5M6-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

товар відсутній

SQD50N04-5M6-T4GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE

товар відсутній

SQD50N04-5M6-T4GE3

P-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товар відсутній

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.43 грн
500+	56.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.09 грн
10+	69.3 грн
100+	53.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50N04-5M6L_GE3

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.16 грн
10+	89.81 грн
100+	66.43 грн
500+	56.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD50N04-5M6L_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 19997 шт:

термін постачання 151-160 дні (днів)

4+	95.81 грн
10+	77.54 грн
100+	52.1 грн
500+	44.24 грн
1000+	36.02 грн
2000+	33.82 грн
4000+	32.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товар відсутній

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5M6_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD50N04-5m6_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.97 грн
10+	98.41 грн
100+	68.05 грн
250+	62.39 грн
500+	56.66 грн
1000+	48.52 грн
2000+	46.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5M6_GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.71 грн
10+	109.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.98 грн
10+	88.35 грн
100+	68.71 грн
500+	54.66 грн
1000+	44.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N04-5m6_T4GE3

MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.97 грн
10+	97.62 грн
100+	66.11 грн
500+	55.56 грн
1000+	45.27 грн
2500+	41.75 грн
5000+	40.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.38 грн
5000+	42.54 грн
12500+	40.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD50N04_4M5LT4GE3

товар відсутній

SQD50N04_4M5LT4GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 32A; 75W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 32A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.6nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

товар відсутній

SQD50N05-11L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 10307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.26 грн
10+	103.74 грн
100+	73.32 грн
500+	61.82 грн
1000+	44.92 грн
5000+	44 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD50N05-11L_GE3

MOSFET 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7938 шт:

термін постачання 317-326 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	103.97 грн
100+	72.46 грн
250+	69.7 грн
500+	60.04 грн
1000+	50.72 грн
2000+	47.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N06-07L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N06-07L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N06-09L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N06-09L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD50N06-09L_GE3

товар відсутній

SQD50N06-09L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V

на замовлення 4395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	337.43 грн
10+	272.89 грн
100+	220.76 грн
500+	184.15 грн
1000+	157.68 грн

SQD50N06-09L_GE3

MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	349.44 грн
10+	290.48 грн
25+	244.31 грн
100+	204.97 грн
250+	182.19 грн
500+	170.46 грн
1000+	152.52 грн

SQD50N06-09L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	73.43 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	164.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50N06-15L-GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товар відсутній

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товар відсутній

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товар відсутній

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.95 грн
10+	94.32 грн
100+	75.07 грн
500+	59.61 грн
1000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N10-8M9L_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.17 грн
6000+	49.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50N10-8m9L_GE3

MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.6 грн
10+	103.17 грн
100+	71.08 грн
250+	65.49 грн
500+	59.97 грн
1000+	51.35 грн
2000+	48.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50P03-07-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P03-07_GE3

товар відсутній

SQD50P03-07-T4_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50P03-07-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

Description: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.48 грн
10+	176.98 грн
100+	124.22 грн
500+	102.14 грн
1000+	84.2 грн
2000+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P03-07_GE3

товар відсутній

SQD50P04-09L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-09L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P04-09L_GE3

товар відсутній

SQD50P04-09L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товар відсутній

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	95.17 грн
6000+	87.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-09L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-09L_GE3

MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.98 грн
10+	190.48 грн
100+	135.96 грн
500+	115.25 грн
1000+	97.31 грн
2000+	92.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 9679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.59 грн
10+	158.01 грн
100+	127.88 грн
500+	106.67 грн
1000+	91.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-09L_T4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50P04-09L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

товар відсутній

SQD50P04-09L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD50P04-13L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P04-13L_GE3

товар відсутній

SQD50P04-13L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	202.25 грн
4000+	185.71 грн
8000+	173.7 грн
12000+	158.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	133.78 грн
4000+	129.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-13L_GE3
Код товару: 185273

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.95 грн
10+	190.48 грн
100+	135.96 грн
500+	115.25 грн
1000+	97.31 грн
2000+	92.48 грн
24000+	84.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	124.22 грн
4000+	119.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-13L_T4GE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 54160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.67 грн
10+	84.92 грн
100+	57.42 грн
500+	48.72 грн
1000+	39.68 грн
2500+	37.34 грн
5000+	35.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 5053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.26 грн
10+	82.82 грн
100+	64.4 грн
500+	51.23 грн
1000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD50P06-15L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P06-15L_GE3

товар відсутній

SQD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	92.9 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P06-15L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.34 грн
10+	173.81 грн
25+	146.31 грн
100+	122.15 грн
250+	118.7 грн
500+	108.35 грн
1000+	93.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 5359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.11 грн
10+	154.27 грн
100+	124.83 грн
500+	104.13 грн
1000+	89.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P06-15L_T4GE3

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 27586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	96.03 грн
100+	64.8 грн
500+	56.66 грн
2500+	48.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50P06-15L_T4GE3

Automotive P Channel 60 V D S 175 Degree MOSFET

товар відсутній

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	86.05 грн
100+	66.91 грн
500+	53.22 грн
1000+	43.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50P08-25L

Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W AEC-Q101

на замовлення 23 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	182.34 грн
10+	158.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V

на замовлення 18062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.38 грн
10+	150.32 грн
100+	119.65 грн
500+	95.02 грн
1000+	80.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P08-25L_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 4041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.9 грн
500+	96.33 грн
1000+	74.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	84.75 грн
6000+	78.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P08-25L_GE3

MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQD50P08-25L_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50P08-25L_GE3

на замовлення 4041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.51 грн
50+	134.71 грн
100+	116.9 грн
500+	96.33 грн
1000+	74.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD50P08-28-T4_GE3

MOSFET -80V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50P08-28-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 48A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	82.51 грн
6000+	76.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.9 грн
10+	146.37 грн
100+	116.49 грн
500+	92.5 грн
1000+	78.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD65BA78

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

H3-8

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

65A/750V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

SANSHA

65A/400V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

товар відсутній

SQD70140EL_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.41 грн
10+	62.78 грн
100+	43.89 грн
500+	38.03 грн
1000+	31.88 грн
2000+	30.92 грн
4000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

товар відсутній

SQD70140EL_GE3

Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 1584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	99.1 грн
10+	82.84 грн
100+	60.7 грн
500+	52.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.66 грн
10+	62.06 грн
25+	60.96 грн
50+	58.23 грн
100+	41.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQD70AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70BB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70BB90

70A/900V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70BB90

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD90P04-9M4L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD90P04-9M4L_GE3

товар відсутній

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD90P04-9M4L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD90P04-9m4L_GE3

MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.07 грн
10+	163.49 грн
100+	113.18 грн
250+	104.21 грн
500+	95.24 грн
1000+	80.75 грн
2000+	76.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.9 грн
10+	146.37 грн
100+	116.49 грн
500+	92.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD90P04_9M4LT4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD97N06-6M3L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 97A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD97N06-6m3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	86.99 грн
100+	69.22 грн
500+	54.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD97N06-6m3L_GE3

MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 76552 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.97 грн
10+	98.41 грн
100+	68.05 грн
250+	62.59 грн
500+	56.8 грн
1000+	48.72 грн
2000+	46.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD97N06-6m3L_GE3