Продукція > SQS

Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

на замовлення 386555 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.2 грн
16+	20.71 грн
100+	14.01 грн
500+	12.01 грн
1000+	10.01 грн
2500+	9.18 грн
6500+	7.8 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive

товар відсутній

SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact Body used with Connectors

товар відсутній

SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.15 грн
10+	59.88 грн
100+	46.58 грн
500+	37.06 грн
1000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 2.53 mohm a. 10V, 3.45 mohm a. 4.5V

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.52 грн
10+	65.63 грн
100+	44.44 грн
500+	37.61 грн
1000+	30.64 грн
3000+	28.85 грн
6000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS140ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 8075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.81 грн
10+	77.54 грн
100+	52.1 грн
500+	44.17 грн
1000+	35.96 грн
3000+	33.13 грн
6000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.81 грн
10+	81.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

товар відсутній

SQS141ELNW-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -79A
Pulsed drain current: -227A
Power dissipation: 119W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 141nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.44 грн
500+	40.62 грн
1500+	36.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS141ELNW-T1_GE3

на замовлення 3635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.25 грн
50+	54.35 грн
100+	45.44 грн
500+	40.62 грн
1500+	36.76 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 10033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.15 грн
10+	59.84 грн
100+	40.51 грн
500+	38.99 грн
3000+	33.13 грн
6000+	32.44 грн
9000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS141ELNW-T1_GE3

товар відсутній

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

товар відсутній

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.63 грн
500+	36.52 грн
1000+	24.35 грн
5000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 24226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.65 грн
10+	60.32 грн
100+	35.75 грн
500+	29.88 грн
1000+	26.16 грн
3000+	22.15 грн
6000+	21.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

на замовлення 3044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.41 грн
10+	61.61 грн
100+	47.25 грн
500+	35.06 грн
1000+	28.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.47 грн
12+	64.8 грн
100+	49.63 грн
500+	36.52 грн
1000+	24.35 грн
5000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQS142ENW-T1/GE3

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.07 грн
6000+	21.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS142ENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 271A
Power dissipation: 113W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 38189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.12 грн
10+	58.89 грн
100+	34.92 грн
500+	29.19 грн
1000+	25.53 грн
3000+	21.6 грн
6000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ENW-T1_GE3

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.46 грн
10+	52.91 грн
100+	36.61 грн
500+	28.7 грн
1000+	24.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 74251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.35 грн
10+	59.76 грн
100+	40.44 грн
500+	34.3 грн
1000+	27.95 грн
3000+	26.22 грн
6000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

товар відсутній

SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 11823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.14 грн
10+	52.54 грн
100+	35.54 грн
500+	34.23 грн
3000+	29.05 грн
6000+	28.5 грн
9000+	27.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A33R0JL

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B-2002JS

03+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1000FS

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B1001JL

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B47010JL

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B4701JL

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS174ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 72 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 5.5 mohm a. 10V, 7.2 mohm a. 4.5V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.76 грн
10+	71.43 грн
100+	48.31 грн
500+	40.92 грн
1000+	33.4 грн
3000+	31.4 грн
6000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS180ELNW

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

товар відсутній

SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

товар відсутній

SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.77 грн
500+	43.49 грн
1000+	34.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.01 грн
6000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS180ELNW-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.48 грн
12+	67.59 грн
100+	48.77 грн
500+	43.49 грн
1000+	34.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.41 грн
10+	57.15 грн
100+	44.46 грн
500+	35.36 грн
1000+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 7139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.39 грн
10+	64.21 грн
100+	43.48 грн
500+	41.75 грн
3000+	35.47 грн
6000+	34.78 грн
9000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

товар відсутній

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V

на замовлення 5140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.6 грн
10+	60.95 грн
100+	41.27 грн
500+	34.99 грн
1000+	29.88 грн
3000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.68 грн
10+	54.35 грн
100+	42.24 грн
500+	33.6 грн
1000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 31 mohm a. 10V, 48 mohm a. 4.5V

на замовлення 11722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.39 грн
10+	64.21 грн
100+	43.48 грн
500+	36.85 грн
1000+	30.02 грн
3000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 5341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	51.11 грн
100+	34.58 грн
500+	33.26 грн
3000+	28.23 грн
6000+	27.67 грн
9000+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS20B-1001FS

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS24A1001FS

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

товар відсутній

SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72 грн
25+	58.84 грн
50+	52.64 грн
100+	42.41 грн
250+	36.5 грн
500+	33.18 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 102543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	49.68 грн
100+	38.63 грн
500+	30.73 грн
1000+	25.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.08 грн
6000+	23.92 грн
9000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS401EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 987823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	53.02 грн
100+	36.37 грн
500+	31.26 грн
1000+	25.47 грн
3000+	23.95 грн
6000+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3
Код товару: 183342

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 108781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.74 грн
13+	62.55 грн
100+	46.84 грн
500+	39.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQS401EN-T1_GE3

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 141950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.9 грн
10+	69.68 грн
100+	47.27 грн
500+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS405CENW

SQS405CENW

товар відсутній

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

на замовлення 17795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.35 грн
500+	26.17 грн
1000+	20.5 грн
5000+	19.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.02 грн
10+	42.27 грн
100+	29.28 грн
500+	22.96 грн
1000+	19.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 28893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.67 грн
10+	47.06 грн
100+	27.95 грн
500+	25.12 грн
3000+	21.33 грн
6000+	20.84 грн
9000+	20.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

на замовлення 17795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.15 грн
16+	50.4 грн
100+	31.35 грн
500+	26.17 грн
1000+	20.5 грн
5000+	19.71 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.05 грн
6000+	27.56 грн
9000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.41 грн
10+	57.22 грн
100+	44.51 грн
500+	35.41 грн
1000+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.41 грн
10+	57.22 грн
100+	44.51 грн
500+	35.41 грн
1000+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.19 грн
10+	53.2 грн
100+	41.38 грн
500+	32.92 грн
1000+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.93 грн
6000+	25.62 грн
9000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 71948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.14 грн
10+	53.49 грн
100+	37.47 грн
500+	32.51 грн
1000+	27.12 грн
3000+	26.29 грн
6000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 3303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.12 грн
10+	58.97 грн
100+	34.99 грн
500+	29.19 грн
1000+	24.91 грн
3000+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 8402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.19 грн
12+	64.57 грн
100+	45.91 грн
500+	36.02 грн
1000+	28.53 грн
3000+	24.22 грн
6000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	52.19 грн
100+	36.15 грн
500+	28.34 грн
1000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.76 грн
10+	49.21 грн
100+	32.85 грн
500+	30.5 грн
3000+	30.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.37 грн
6000+	26.93 грн
9000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 24038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.41 грн
10+	62.06 грн
100+	42.03 грн
500+	35.61 грн
1000+	28.99 грн
3000+	27.26 грн
6000+	26.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.92 грн
10+	55.93 грн
100+	43.51 грн
500+	34.61 грн
1000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 13083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.48 грн
11+	73.78 грн
100+	53.57 грн
500+	41.12 грн
1000+	31.72 грн
3000+	31.12 грн
6000+	30.39 грн
12000+	29.8 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.62 грн
10+	58.49 грн
100+	39.54 грн
500+	33.54 грн
1000+	27.33 грн
3000+	25.19 грн
6000+	24.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

товар відсутній

SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

товар відсутній

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFET 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.18 грн
10+	55.87 грн
100+	40.86 грн
500+	31.82 грн
1000+	27.05 грн
3000+	21.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.26 грн
10+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

товар відсутній

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	66.57 грн
100+	51.75 грн
500+	41.16 грн
1000+	33.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 34072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.14 грн
10+	52.54 грн
100+	35.54 грн
500+	30.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.93 грн
6000+	32.03 грн
9000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	66.57 грн
100+	51.75 грн
500+	41.16 грн
1000+	33.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS460EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 90456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.59 грн
10+	75.32 грн
100+	50.59 грн
500+	42.86 грн
1000+	34.92 грн
3000+	32.78 грн
6000+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 37852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	51.75 грн
100+	34.99 грн
500+	29.68 грн
1000+	24.15 грн
3000+	22.71 грн
6000+	21.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.99 грн
6000+	26.59 грн
9000+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 12090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.17 грн
10+	55.21 грн
100+	42.95 грн
500+	34.17 грн
1000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS462EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 191-200 дні (днів)

5+	79.47 грн
10+	70 грн
100+	47.41 грн
500+	39.2 грн
1000+	30.92 грн
3000+	28.78 грн
6000+	27.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.93 грн
10+	53.77 грн
100+	41.81 грн
500+	33.26 грн
1000+	27.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.72 грн
10+	46.66 грн
100+	36.27 грн
500+	28.86 грн
1000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm

на замовлення 4896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.81 грн
15+	52.1 грн
100+	37.32 грн
500+	29.98 грн
1000+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.49 грн
6000+	22.46 грн
9000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS481ENW-T1_GE3

MOSFET -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 172233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.16 грн
10+	49.52 грн
100+	33.47 грн
500+	29.05 грн
1000+	23.95 грн
3000+	21.95 грн
6000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS481ENW-T1_GE3

на замовлення 4896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.32 грн
500+	29.98 грн
1000+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS482EN-T1_GE3

MOSFET 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.84 грн
10+	61.03 грн
100+	41.41 грн
500+	34.16 грн
1000+	26.98 грн
3000+	25.19 грн
6000+	23.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

на замовлення 7987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.47 грн
10+	47.37 грн
100+	36.82 грн
500+	29.29 грн
1000+	23.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 8997 шт:

термін постачання 378-387 дні (днів)

5+	65.06 грн
10+	56.35 грн
100+	37.75 грн
500+	31.88 грн
1000+	27.33 грн
3000+	22.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 4517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 266620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.92 грн
10+	46.19 грн
100+	32.23 грн
500+	27.81 грн
1000+	23.12 грн
3000+	22.36 грн
6000+	22.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 5497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.93 грн
10+	58.23 грн
100+	45.38 грн
500+	35.18 грн
1000+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.21 грн
10+	68.41 грн
100+	46.38 грн
500+	38.37 грн
1000+	30.3 грн
3000+	28.16 грн
6000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 14249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.4 грн
10+	64.7 грн
100+	50.42 грн
500+	39.08 грн
1000+	30.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	52.48 грн
100+	36.34 грн
500+	28.5 грн
1000+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	57.54 грн
100+	34.64 грн
500+	28.99 грн
1000+	24.64 грн
3000+	21.95 грн
6000+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.9 грн
6000+	21.81 грн
9000+	20.19 грн
30000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.7 грн
10+	54.64 грн
100+	37.83 грн
500+	29.66 грн
1000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.88 грн
6000+	22.7 грн
9000+	21.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

товар відсутній

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.37 грн
10+	58.49 грн
100+	36.09 грн
500+	30.16 грн
1000+	25.67 грн
3000+	22.77 грн
6000+	21.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS660CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 71344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	59.21 грн
100+	39.48 грн
500+	31.26 грн
1000+	24.98 грн
3000+	22.64 грн
9000+	20.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.46 грн
10+	52.91 грн
100+	36.61 грн
500+	28.7 грн
1000+	24.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.86 грн
5000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.52 грн
10+	40.04 грн
100+	27.71 грн
500+	21.73 грн
1000+	18.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.84 грн
16+	49.47 грн
100+	30.74 грн
500+	23.87 грн
1000+	15.86 грн
5000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 5386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.42 грн
10+	44.13 грн
100+	26.85 грн
500+	22.43 грн
1000+	19.05 грн
3000+	16.98 грн
6000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

на замовлення 5953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.2 грн
10+	53.77 грн
100+	37.23 грн
500+	29.19 грн
1000+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS840EN-T1_GE3

MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.65 грн
10+	60.71 грн
100+	37.13 грн
500+	30.92 грн
1000+	25.6 грн
3000+	22.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.2 грн
10+	53.77 грн
100+	37.23 грн
500+	29.19 грн
1000+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.93 грн
10+	53.92 грн
100+	41.91 грн
500+	33.34 грн
1000+	27.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

товар відсутній

SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.37 грн
10+	49.13 грн
100+	34.99 грн
500+	30.85 грн
1000+	26.78 грн
2500+	25.47 грн
5000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.93 грн
10+	53.92 грн
100+	41.91 грн
500+	33.34 грн
1000+	27.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS940ELNW-T1/GE3

товар відсутній

SQS944ENW-T1_GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.92 грн
10+	55.56 грн
100+	37.61 грн
500+	31.88 грн
1000+	26.02 грн
3000+	24.15 грн
6000+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.44 грн
10+	52.19 грн
100+	40.57 грн
500+	32.28 грн
1000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 42073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.62 грн
10+	57.7 грн
100+	39.48 грн
500+	33.47 грн
1000+	27.26 грн
3000+	25.88 грн
6000+	24.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.39 грн
6000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

товар відсутній

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26568 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	57.54 грн
100+	34.71 грн
500+	28.99 грн
1000+	24.71 грн
3000+	21.95 грн
6000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.96 грн
10+	51.62 грн
100+	35.76 грн
500+	28.04 грн
1000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.14 грн
6000+	24.89 грн
9000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 31563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.7 грн
10+	51.69 грн
100+	40.21 грн
500+	31.99 грн
1000+	26.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.16 грн
10+	57.8 грн
100+	44.97 грн
500+	35.77 грн
1000+	29.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.39 грн
10+	64.29 грн
100+	43.55 грн
500+	36.92 грн
1000+	30.02 грн
3000+	28.23 грн
6000+	26.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.35 грн
6000+	27.84 грн
9000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA82CENW-T1/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.79 грн
10+	36.88 грн
100+	25.63 грн
500+	18.78 грн
1000+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80V (D-S) 175C MOSFET W 37mohms SG

на замовлення 30055 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.91 грн
10+	40.56 грн
100+	26.29 грн
500+	20.7 грн
1000+	16.49 грн
3000+	14.01 грн
9000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.1 грн
6000+	13.8 грн
9000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA82CENW-T1_GE3

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

товар відсутній

SQSA84CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 16A; Idm: 54A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	35.73 грн
100+	24.72 грн
500+	19.38 грн
1000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQSA84CENW-T1_GE3