Продукція > STB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB 3/3-5.08Phoenix ContactConn PC Terminal Block 3 POS 5.08mm Solder Thru-Hole 16A
товар відсутній
STB 3/3-ST-5,08Phoenix ContactConn Terminal Block 3 POS 5.08mm Screw 16A
товар відсутній
STB 3/3-ST-5.08Phoenix ContactConn Terminal Block 3 POS 5.08mm Screw 16A
товар відсутній
STB 3/4-5.08Phoenix ContactConn PC Terminal Block 4 POS 5.08mm Solder Thru-Hole 16A
товар відсутній
STB 3/4-G-5.08Phoenix ContactConn Wire to Board HDR 4 POS 5.08mm Solder
товар відсутній
STB 3/4-ST-5.08Phoenix ContactConn Terminal Block 4 POS 5.08mm Screw 10A
товар відсутній
STB 3/4-ST-5.08 BD:1-4Phoenix ContactConn 4 POS 5.08mm
товар відсутній
STB 3202EAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB 3202IAdam EquipmentDescription: WEIGH SCALE PREC BALANCES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB-01T-001J.S.T. Deutschland GmbHApplicator Crimping Tool
товар відсутній
STB-10 WHTane Alarm ProductsDescription: .35" X .75" HARD-WIRE STUBBY REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+100.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
STB-3/8 TC WHTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bag
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+158.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
STB-3/8TC BRTane Alarm ProductsDescription: .37" X .92" TERMINAL CONNECT REC
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Output Type: No
Type: Reed Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 100V
Actuator Material: Magnet
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+158.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
STB-50Analog Devices Inc.Description: SCREW-TERMINATION PANEL
товар відсутній
STB-50AAnalog Devices Inc.Description: THERMOCOUPLE
товар відсутній
STB0050STSOP-28
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB01-1-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB01-1-1
Packaging: Box
товар відсутній
STB01-BLANK-0TE ConnectivitySTB01BLANK0-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB01-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-0
товар відсутній
STB01-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
товар відсутній
STB01-BLANK-1TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-1
товар відсутній
STB01-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
товар відсутній
STB01-BLANK-1TE ConnectivitySTB01BLANK1-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB01-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
товар відсутній
STB01-BLANK-2TE ConnectivitySTB01BLANK2-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB01-BLANK-2TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-2
товар відсутній
STB01-BLANK-3TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-3
товар відсутній
STB01-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
товар відсутній
STB01-BLANK-3TE ConnectivitySTB01BLANK3-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB01-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товар відсутній
STB01-BLANK-5TE ConnectivitySTB01BLANK5-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB01-BLANK-5TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-5
товар відсутній
STB01-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-6
товар відсутній
STB01-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
товар відсутній
STB01-BLANK-7TE ConnectivitySTB01BLANK7-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB01-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB01-BLANK-7
товар відсутній
STB01-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
товар відсутній
STB01001PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB02-0-0TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-0-0
Packaging: Box
товар відсутній
STB02-2-2TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-2-2
Packaging: Box
товар відсутній
STB02-5-5TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-5-5
Packaging: Box
товар відсутній
STB02-6-6TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB02-6-6
Packaging: Box
товар відсутній
STB02-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товар відсутній
STB02-BLANK-0TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-0
товар відсутній
STB02-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BROWN
Packaging: Bulk
Color: Brown
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товар відсутній
STB02-BLANK-1TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
900+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 900
STB02-BLANK-1TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
900+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 900
STB02-BLANK-2TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
900+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 900
STB02-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товар відсутній
STB02-BLANK-2TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
900+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 900
STB02-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON ORANGE
Packaging: Bulk
Color: Orange
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товар відсутній
STB02-BLANK-3TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
600+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB02-BLANK-3TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
600+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB02-BLANK-5TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
900+4.4 грн
Мінімальне замовлення: 900
STB02-BLANK-5TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
900+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 900
STB02-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
Packaging: Bulk
Color: Green
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товар відсутній
STB02-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Bulk
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товар відсутній
STB02-BLANK-6TE ConnectivitySTB02BLANK6-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB02-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Bulk
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.055" ~ 0.071" (1.40mm ~ 1.80mm)
Legend: Blank
товар відсутній
STB02-BLANK-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB02-BLANK-7
товар відсутній
STB02100PBC
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB02500ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB02500LFA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB02500PBA05CAIBM
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB02501ST
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB03-0-0TE ConnectivitySTB0300-TEC Cables - Accessories - Unclassified
товар відсутній
STB03-0-8TE ConnectivitySTB0308-TEC Unclassified
товар відсутній
STB03-1-1TE ConnectivityCategory: Unclassified
Description: STB03-1-1
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
600+4.41 грн
7200+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB03-1-1TE ConnectivityCategory: Unclassified
Description: STB03-1-1
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
600+5.29 грн
7200+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB03-1-1TE ConnectivityWire Labels & Markers
товар відсутній
STB03-2-2TE ConnectivitySTB0322-TEC Unclassified
товар відсутній
STB03-3-3TE ConnectivityCategory: Unclassified
Description: STB03-3-3
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 21900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1200+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STB03-3-3TE ConnectivityCategory: Unclassified
Description: STB03-3-3
на замовлення 21900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1200+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STB03-3-3TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-3-3
Packaging: Box
товар відсутній
STB03-5-5TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1200+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STB03-5-5TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1200+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STB03-6-6TE ConnectivitySTB0366-TEC Unclassified
товар відсутній
STB03-7-7TE Connectivity AMP ConnectorsDescription: STB03-7-7
Packaging: Box
товар відсутній
STB03-7-7TE ConnectivityCategory: Unclassified
Description: STB03-7-7
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
600+5.33 грн
7200+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB03-7-7TE ConnectivityCategory: Unclassified
Description: STB03-7-7
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
600+4.44 грн
7200+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB03-8-8TE ConnectivitySTB0388-TEC Unclassified
товар відсутній
STB03-BLANK-0TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
товар відсутній
STB03-BLANK-1TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
товар відсутній
STB03-BLANK-1TE ConnectivitySTB03BLANK1-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB03-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
товар відсутній
STB03-BLANK-3TE ConnectivitySTB03BLANK3-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB03-BLANK-3TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
товар відсутній
STB03-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: MARKERS
товар відсутній
STB03-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
Packaging: Box
Color: Blue
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товар відсутній
STB03-BLANK-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.075" ~ 0.104" (1.90mm ~ 2.65mm)
Legend: Blank
Part Status: Active
товар відсутній
STB03-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB03-BLANK-7
товар відсутній
STB03-BLANK-7TE ConnectivitySTB03BLANK7-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB03-BLANK-8TE ConnectivitySTB03BLANK8-TEC Unclassified
товар відсутній
STB0399ESTMicroelectronicsN-CHANNEL 30V - 0.0026 OHM - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STRIPFET III POWER MOSFET
товар відсутній
STB03N60
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB04500LFAO5CC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB04500PBB
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB05-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB05-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товар відсутній
STB05-BLANK-6TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB05-BLANK-6
товар відсутній
STB05-BLANK-6TE ConnectivitySTB05BLANK6-TEC Unclassified
товар відсутній
STB06-0-0RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-0-0 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 0, Weiß, Schwarz, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Farbe der Beschriftung: Weiß
Markierungsfarbe: Schwarz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beschriftung: 0
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
euEccn: NLR
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
Produktpalette: STB
productTraceability: No
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
Maße Kabelmarkierung: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB06-2-2TE ConnectivitySTB0622-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB06-2-6TE ConnectivitySTB0626-TEC Push-on conn. and cable term. - Unclass.
товар відсутній
STB06-3-3TE ConnectivitySTB0633-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB06-5-5RAYCHEM - TE CONNECTIVITYDescription: RAYCHEM - TE CONNECTIVITY - STB06-5-5 - Kabelmarkierung, Einrastbar, vorgedruckt, 5, Weiß, Grün, 3.5 mm
tariffCode: 39162000
Markierungsfarbe: Grün
productTraceability: No
Beschriftung: 5
rohsCompliant: YES
Maße Kabelmarkierung: -
Kabeldurchmesser, min.: 2.6mm
euEccn: NLR
Markierungstyp: Einrastbar, vorgedruckt
Farbe der Beschriftung: Weiß
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 3.5mm
Markierungsmaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.06 грн
10+ 127.74 грн
100+ 125.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
STB06-5-5TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
600+4.59 грн
6300+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB06-5-5TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
600+3.82 грн
6300+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB06-6-6TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
600+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB06-6-6TE ConnectivityCategory: Wire Markers
Description: Markers
Type of cable accessories: markers
кількість в упаковці: 300 шт
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
600+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 600
STB06-8-8TE ConnectivitySTB0688-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB06-BLANK-0TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-0
Packaging: Box
товар відсутній
STB06-BLANK-1TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-1
Packaging: Box
Part Status: Active
товар відсутній
STB06-BLANK-6TE Connectivity Passive ProductDescription: STB06-BLANK-6
Packaging: Box
Part Status: Active
товар відсутній
STB06-BLANK-6TE ConnectivitySTB06BLANK6-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB0612Fairview MicrowaveDescription: TERM PLUG TYPE N 1.35 VSWR
Packaging: Bag
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Brass
Body Finish: Tri-Metal
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
товар відсутній
STB070A1483ABB Power Electronics Inc.Description: BG STB070A1483 COPPER FLEX BRAID
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9251.07 грн
STB0899ST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB09-1-1TE ConnectivitySTB0911-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB09-2-2TE ConnectivitySTB0922-TEC Cables - Accessories - Unclassified
товар відсутній
STB09-3-3TE ConnectivitySTB0933-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB09-5-5TE ConnectivitySTB0955-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB09-7-7TE ConnectivitySTB0977-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB09-8-8TE ConnectivitySTB0988-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB09-8-8TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GRAY
товар відсутній
STB09-BLANK-7TE ConnectivitySTB09BLANK7-TEC Unclassified
товар відсутній
STB0FS12A-AB-BASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - Single Colour BLUE PUMP LED MID POWER
товар відсутній
STB0FS12A-AD-BASeoul Semiconductor Inc.Description: LED BLUE 450NM 2.5MMX2.5MM
товар відсутній
STB1.00BK36TechflexDescription: 1" FIREFLEX SEAL TAPE BLK 36 FT
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.31 грн
10+ 167.46 грн
100+ 115.94 грн
250+ 106.97 грн
500+ 97.31 грн
1000+ 83.51 грн
2000+ 78.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товар відсутній
STB100N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.4 грн
10+ 103.02 грн
100+ 82.03 грн
500+ 65.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100N6F7STMТранзистор польовий потужний MOSFET, N-Ch, D2PAK (TO-263-3); 60 В; 100 A; 0.0056 Ohm; Pd=125W
на замовлення 92 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+136.75 грн
10+ 105.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB100N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.68 грн
10+ 113.49 грн
100+ 77.98 грн
500+ 66.11 грн
1000+ 54.18 грн
2000+ 53.35 грн
5000+ 51.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB100N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100NF03-01L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF03LSTIPAK
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF03L-03STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF03L-03ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF03L-03-01STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товар відсутній
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товар відсутній
STB100NF03L-03-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STB100NF03L-03-1
Код товару: 158535		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
товар відсутній
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товар відсутній
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100NF03L-03T4STM09+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF03L-03T4
Код товару: 99423		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB100NF03L-03T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
товар відсутній
STB100NF04STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF04STMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
товар відсутній
STB100NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF04-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF04-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF04LSTSOT235
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF04LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.38 грн
10+ 194.67 грн
100+ 157.49 грн
500+ 131.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB100NF04T4
Код товару: 170858		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB100NF04T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
STB100NF04T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.65 грн
10+ 214.29 грн
25+ 175.29 грн
100+ 150.45 грн
250+ 142.17 грн
500+ 133.2 грн
1000+ 111.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB100NF04T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100NF04T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB100NF04T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.93 грн
10+ 196.64 грн
100+ 159.48 грн
500+ 138.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100NF04T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB100NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NH02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB100NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товар відсутній
STB100NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
товар відсутній
STB100NH02LT4STTO263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товар відсутній
STB10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товар відсутній
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.48 грн
10+ 47.73 грн
100+ 33.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
STB10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товар відсутній
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB10100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товар відсутній
STB10100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
товар відсутній
STB10100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.68V
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB10100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.68V
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
товар відсутній
STB10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
11+ 28.47 грн
20+ 27.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
STB1010T4
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товар відсутній
STB10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
товар відсутній
STB10150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB10150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
товар відсутній
STB10150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
товар відсутній
STB10150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.73V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
товар відсутній
STB10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.73V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB10200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.76V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB10200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.76V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
товар відсутній
STB1045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
товар відсутній
STB1045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB1045TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.68V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB1045TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 10A; D2PAK; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.68V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
товар відсутній
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товар відсутній
STB1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
товар відсутній
STB1060CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 100A
товар відсутній
STB1060CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB1060TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.59V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
товар відсутній
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB1060TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 10A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Load current: 10A
Max. forward voltage: 0.59V
Max. off-state voltage: 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB1060TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
товар відсутній
STB1081L3
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1081SL3GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB1081TF4GRochester Electronics, LLCDescription: IGBT D2PAK 350V SPECIAL
на замовлення 15286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товар відсутній
STB10LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 497-506 дні (днів)
2+239.13 грн
10+ 212.7 грн
100+ 151.14 грн
250+ 150.45 грн
500+ 131.12 грн
1000+ 109.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товар відсутній
STB10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.9 грн
10+ 115.08 грн
100+ 80.06 грн
250+ 78.67 грн
500+ 67.43 грн
1000+ 57.21 грн
2000+ 54.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товар відсутній
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.39 грн
10+ 105.03 грн
100+ 83.58 грн
500+ 66.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB10N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товар відсутній
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.16 грн
500+ 138.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товар відсутній
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.43 грн
10+ 211.11 грн
25+ 173.22 грн
100+ 148.38 грн
250+ 140.1 грн
500+ 132.51 грн
1000+ 105.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
товар відсутній
STB10N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.84 грн
10+ 194.32 грн
100+ 157.16 грн
500+ 138.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB10NA40STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NA40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NB20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NB20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NB20T4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NB50STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NB50T4STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STB10NB50T4STTO-263
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NC50STTO-263
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NC50-01
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NC50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
товар відсутній
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STB10NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
товар відсутній
STB10NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STB10NK60ZT
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.6 грн
10+ 200.93 грн
100+ 162.54 грн
500+ 135.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.51 грн
10+ 219.84 грн
100+ 154.59 грн
500+ 138.03 грн
1000+ 117.32 грн
2000+ 111.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB10NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.64 грн
10+ 212.13 грн
100+ 171.87 грн
500+ 146.65 грн
1000+ 108.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB10NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB1109-100
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-120
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-121
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-150
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-180
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-221
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-270
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-271
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-2R5
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-330
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-390
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-470
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-560
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-5R6
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-680
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-681
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-820
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1109-821
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB110N55F6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товар відсутній
STB1132ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1132STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1132-YAUKSOT-89
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1132YAUKSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1188ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1188STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1188-YAUKSOT89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1188LDM
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1188YAUK07+ SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11K50Z-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.78 грн
10+ 181.45 грн
100+ 148.67 грн
500+ 118.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товар відсутній
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.54 грн
2000+ 70.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.9 грн
5+ 95.61 грн
11+ 83.39 грн
28+ 78.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.25 грн
10+ 128.97 грн
100+ 102.66 грн
500+ 81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.11 грн
10+ 142.06 грн
100+ 98 грн
250+ 93.86 грн
500+ 82.13 грн
1000+ 69.7 грн
2000+ 66.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+140.28 грн
5+ 119.15 грн
11+ 100.07 грн
28+ 94.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11NB40STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NB40ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NB40-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NB40T4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NB40T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NB40T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK40ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK40ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.03 грн
10+ 89.03 грн
100+ 75.56 грн
500+ 63.84 грн
1000+ 53.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.15 грн
10+ 79.27 грн
25+ 78.47 грн
100+ 75.28 грн
250+ 69.34 грн
500+ 66.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.46 грн
2000+ 71.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.21 грн
10+ 110.32 грн
100+ 83.51 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 70.39 грн
2000+ 69.01 грн
5000+ 67.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 245 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+132.58 грн
10+ 123.74 грн
100+ 114.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.93 грн
2000+ 72.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11NK40ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.74 грн
500+ 66.71 грн
1000+ 53.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.25 грн
2000+ 70.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.98 грн
10+ 132.2 грн
100+ 105.24 грн
500+ 83.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.77 грн
5+ 93.17 грн
15+ 69.01 грн
40+ 65.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+87.39 грн
141+ 85.36 грн
142+ 84.51 грн
143+ 81.07 грн
250+ 74.67 грн
500+ 71.3 грн
Мінімальне замовлення: 137
STB11NK40ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.67A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.76 грн
15+ 57.51 грн
40+ 54.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB11NK50ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK50Z
Код товару: 115514		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB11NK50Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+120.34 грн
10+ 114.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB11NK50ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.87 грн
10+ 176.51 грн
100+ 150.97 грн
500+ 125.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 413 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.28 грн
5+ 110.19 грн
13+ 81.09 грн
35+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NK50ZT4
Код товару: 188607		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товар відсутній
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.06 грн
5+ 88.42 грн
13+ 67.58 грн
35+ 63.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.9 грн
10+ 180.95 грн
100+ 135.27 грн
250+ 134.58 грн
500+ 120.08 грн
1000+ 105.59 грн
2000+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11NK50ZT4STMicroelectronics NVMOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
на замовлення 970 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.27 грн
10+ 170.81 грн
100+ 138.18 грн
500+ 115.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM50T4
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60ST
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60
Код товару: 39826		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB11NM60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB11NM60A-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
товар відсутній
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
STB11NM60FDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60N
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM60N-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STB11NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товар відсутній
STB11NM60T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.04 грн
10+ 263.49 грн
25+ 185.65 грн
250+ 164.94 грн
500+ 140.79 грн
1000+ 132.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.12 грн
10+ 240.32 грн
100+ 194.42 грн
500+ 162.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB11NM80STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM80ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB11NM80 (STB11NM80T4) транзистор N-канальний
Код товару: 46618		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+323.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11NM80T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM80T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 999 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
1+571.66 грн
10+ 482.54 грн
25+ 380.26 грн
100+ 349.9 грн
250+ 329.19 грн
500+ 308.49 грн
1000+ 278.12 грн
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB11NM80T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+348.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11NM80T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.77 грн
10+ 440.46 грн
100+ 367.08 грн
500+ 303.97 грн
STB11NM80T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 44A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB12-0-0TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+9.97 грн
4800+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 1200
STB12-2-2TE ConnectivityTE Connectivity STB12-2-2
товар відсутній
STB12-2-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
Packaging: Box
Color: Red
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 2
товар відсутній
STB12-2-2TE ConnectivitySTB1222-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB12-3-3TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.92 грн
15000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 9000
STB12-5-5TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
STB12-6-6TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
STB12-7-7TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
Packaging: Box
Color: Violet
Material: Polyoxymethylene (POM), Halogen Free
Type: Wire Marker, Clip-On
Cable Diameter: 0.177" ~ 0.236" (4.50mm ~ 6.00mm)
Legend: 7
товар відсутній
STB12-7-7TE ConnectivitySTB1277-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB12-7-7TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers STB12-7-7
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.98 грн
29+ 11.19 грн
100+ 7.25 грн
600+ 6.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
STB12-BLANK-1TE ConnectivitySTB12BLANK1-TEC Printers and Markers
товар відсутній
STB12-BLANK-2TE ConnectivitySTB12BLANK2-TEC Unclassified
товар відсутній
STB12-BLANK-7TE ConnectivityWire Labels & Markers STB12-BLANK-7
товар відсутній
STB120N10F4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STB120N10F4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N10F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товар відсутній
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.74 грн
10+ 130.19 грн
100+ 103.61 грн
500+ 82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB120N4F6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB120N4F6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB120N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.72 грн
10+ 107.94 грн
100+ 82.13 грн
500+ 75.91 грн
1000+ 66.74 грн
2000+ 65.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB120N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB120N4LF6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219 грн
10+ 195.24 грн
100+ 135.96 грн
500+ 112.49 грн
1000+ 87.65 грн
2000+ 86.27 грн
5000+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120N4LF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.62 грн
10+ 151.68 грн
100+ 120.73 грн
500+ 95.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB120N4LF6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB120NF10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB120NF10ST09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 25224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.01 грн
10+ 259.59 грн
100+ 210.04 грн
500+ 175.22 грн
STB120NF10T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120NF10T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+335.33 грн
10+ 280.3 грн
25+ 277.48 грн
100+ 215.29 грн
250+ 197.62 грн
500+ 142.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB120NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.02 грн
2000+ 150.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB120NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.8 грн
10+ 284.13 грн
25+ 240.17 грн
100+ 200.14 грн
250+ 188.41 грн
500+ 178.05 грн
1000+ 151.83 грн
STB120NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+361.13 грн
40+ 301.86 грн
43+ 282.87 грн
100+ 231.85 грн
250+ 200.78 грн
500+ 179.9 грн
Мінімальне замовлення: 34
STB120NH03
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB120NH03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB120NH03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB120NH03LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товар відсутній
STB12100TRSMC DIODE SOLUTIONSSTB12100TR-SMC SMD Schottky diodes
товар відсутній
STB12100TRSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 12A D2PAK
товар відсутній
STB1277STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1277ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1277-Y
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1277LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1277LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1277L-Y
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1277LY
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB1277LY-AT
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12N120K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
товар відсутній
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
STB12N60DM2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NK50ZT4 транзистор
Код товару: 92403		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
STB12NK80ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NK80ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NK80Z-
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NK80Z-1
на замовлення 70499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NK80Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NK80Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.9 грн
10+ 278.71 грн
100+ 225.51 грн
500+ 188.12 грн
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.13 грн
10+ 260.32 грн
25+ 224.98 грн
100+ 180.81 грн
500+ 169.77 грн
1000+ 156.66 грн
2000+ 153.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.59 грн
10+ 244.52 грн
25+ 220.81 грн
100+ 186.64 грн
250+ 168.72 грн
500+ 145.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NK80ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NK80ZT4
Код товару: 131646		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB12NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.65 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+393.29 грн
10+ 287.22 грн
100+ 232.26 грн
500+ 199.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB12NK80ZT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50-T4ST
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50FDST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50FDSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50FD-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50FD-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50FDT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB12NM50FDT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50FDT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товар відсутній
STB12NM50N
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товар відсутній
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товар відсутній
STB12NM50ND
Код товару: 129325		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NM50NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
товар відсутній
STB12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh
товар відсутній
STB12NM50NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+171.11 грн
10+ 158.89 грн
100+ 141.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB12NM50NT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
STB12NM50T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB12NM50T4ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NM50T4ST09+ SPQ 1K P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50T4STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB12NM50T4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM50T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 871 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
1+333.33 грн
10+ 276.19 грн
100+ 194.62 грн
500+ 172.53 грн
1000+ 152.52 грн
STB12NM50T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NM60N
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STB12NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
товар відсутній
STB12NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STB12NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET
товар відсутній
STB12NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STB13005STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13005ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13005-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13005-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
STB13005-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB13007DT4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 8727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.09 грн
10+ 69.3 грн
100+ 53.91 грн
500+ 42.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13007DT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13007DT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 18hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.06 грн
10+ 81.29 грн
100+ 58.84 грн
500+ 46.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13007DT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN power transistor
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.2 грн
10+ 76.03 грн
100+ 51.41 грн
500+ 43.55 грн
1000+ 35.47 грн
2000+ 33.4 грн
5000+ 31.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13007DT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.65 грн
2000+ 35.04 грн
5000+ 33.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB13007DT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB130N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.42 грн
10+ 130.95 грн
100+ 90.41 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 64.18 грн
2000+ 61.56 грн
5000+ 59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.57 грн
2000+ 64.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.56 грн
10+ 118.9 грн
100+ 94.65 грн
500+ 75.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB130NH02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB130NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB130NH02LT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB130NH02LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB130NS04ZBST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB130NS04ZBSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 33V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STB130NS04ZB-1STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel clamped 7 mOhm, 80 A fully protected Mesh Overlay Power MOSFET in a I2PAK package
товар відсутній
STB130NS04ZBT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): Clamped
Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
STB130NS04ZBT4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB130NS04ZBT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB135N10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB135N10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.48 грн
10+ 134.71 грн
50+ 106.84 грн
200+ 91.3 грн
500+ 76.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.63 грн
2000+ 68.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.28 грн
10+ 138.1 грн
100+ 95.93 грн
250+ 91.79 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 68.05 грн
2000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.84 грн
200+ 91.3 грн
500+ 76.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.52 грн
10+ 125.73 грн
100+ 100.1 грн
500+ 79.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB13N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.7 грн
10+ 271.43 грн
25+ 223.6 грн
100+ 191.17 грн
250+ 180.12 грн
500+ 169.77 грн
1000+ 136.65 грн
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.93 грн
10+ 297.29 грн
100+ 244.64 грн
500+ 196.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB13N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+244.64 грн
500+ 196.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
STB13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.08 грн
10+ 247.58 грн
100+ 200.27 грн
500+ 167.06 грн
STB13NK60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB13NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товар відсутній
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+195.68 грн
65+ 185.07 грн
100+ 173.9 грн
500+ 148.62 грн
Мінімальне замовлення: 62
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+181.7 грн
10+ 171.85 грн
100+ 161.48 грн
500+ 138 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.57 грн
10+ 255.56 грн
25+ 209.8 грн
100+ 179.43 грн
250+ 169.77 грн
500+ 160.11 грн
1000+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товар відсутній
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+144.23 грн
85+ 141.91 грн
86+ 139.52 грн
Мінімальне замовлення: 83
STB13NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товар відсутній
STB13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STB13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STB13NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товар відсутній
STB13NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.58 грн
2000+ 146.56 грн
3000+ 146.53 грн
4000+ 141.27 грн
5000+ 130.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB13NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.9 грн
10+ 278.71 грн
100+ 225.51 грн
500+ 188.12 грн
STB140N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товар відсутній
STB140N4F6STMicroelectronicsMOSFET 40V 0.0036 OHM
товар відсутній
STB140NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF55T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF55T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.09 грн
10+ 176.19 грн
100+ 135.27 грн
250+ 134.58 грн
500+ 126.29 грн
1000+ 109.04 грн
2000+ 107.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF55T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 320A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 55V
Case: D2PAK
товар відсутній
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.13 грн
10+ 195.03 грн
100+ 157.8 грн
500+ 131.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB140NF55T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 320A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 55V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB140NF75STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF75ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF75-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF75-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF75T
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.37 грн
10+ 228.07 грн
25+ 223.63 грн
100+ 146.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.84 грн
10+ 211.35 грн
50+ 181.16 грн
200+ 158.87 грн
500+ 138.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 310W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 75V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.44 грн
5+ 155.88 грн
9+ 124.22 грн
23+ 117.32 грн
250+ 113.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.3 грн
10+ 209.34 грн
100+ 169.33 грн
500+ 141.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB140NF75T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.97 грн
10+ 228.57 грн
25+ 187.72 грн
100+ 160.8 грн
250+ 151.83 грн
500+ 142.86 грн
1000+ 122.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB140NF75T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 310W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 6.5mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 75V
Case: D2PAK
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.87 грн
5+ 125.09 грн
9+ 103.52 грн
23+ 97.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB140NF75T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB140NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.16 грн
200+ 158.87 грн
500+ 138.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
STB140NF75T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+291.17 грн
49+ 245.62 грн
50+ 240.83 грн
100+ 157.31 грн
Мінімальне замовлення: 42
STB141NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
STB141NF55STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
товар відсутній
STB141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB141NF55-1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB141NF55-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.67 грн
10+ 188.56 грн
100+ 152.51 грн
500+ 127.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB14N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.4 грн
10+ 207.14 грн
25+ 174.6 грн
100+ 145.62 грн
250+ 141.48 грн
500+ 132.51 грн
1000+ 110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB14NF10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp
товар відсутній
STB14NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK50Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
STB14NK50Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 6313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB14NK50ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NK60STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK60ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK60Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK60Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.92 грн
10+ 274.6 грн
100+ 193.24 грн
500+ 171.15 грн
1000+ 145.62 грн
2000+ 138.03 грн
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.07 грн
10+ 249.88 грн
100+ 202.11 грн
500+ 168.6 грн
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.43 грн
2000+ 127.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB14NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.47 грн
10+ 241.27 грн
25+ 209.11 грн
100+ 169.77 грн
500+ 151.14 грн
1000+ 128.36 грн
2000+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB14NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; Idm: 48A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.74 грн
10+ 219.62 грн
100+ 177.68 грн
500+ 148.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB14NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; Idm: 48A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB14NM50N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+97.7 грн
10+ 96.22 грн
25+ 94.67 грн
100+ 89.79 грн
250+ 81.81 грн
500+ 77.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товар відсутній
STB14NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товар відсутній
STB14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
товар відсутній
STB15-0-0TE ConnectivitySTB1500-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB15-1-1TE ConnectivitySTB1511-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB15-3-3TE ConnectivitySnap-On Marker STB/STD Size 15 with Applicator
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 653
STB15-3-3TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
STB15-5-5TE ConnectivitySTB1555-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB15-5-5TE ConnectivityCable Markers Printable
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+28.72 грн
1100+ 23.93 грн
Мінімальне замовлення: 417
STB15-5-5TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
STB15-8-8TE ConnectivitySTB1588-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB15-BLANK-1TE ConnectivitySTB15BLANK1-TEC Conduits and Insulat. Sleeves - Unclass.
товар відсутній
STB15-BLANK-2TE ConnectivitySTB15BLANK2-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB15-BLANK-2TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON RED
товар відсутній
STB15-BLANK-3TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB15-BLANK-5TE ConnectivitySTB15BLANK5-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB15-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товар відсутній
STB15-BLANK-6TE ConnectivitySTB15BLANK6-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB15-BLANK-6TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON BLUE
товар відсутній
STB15-BLANK-7TE ConnectivitySTB15BLANK7-TEC Conduits and Insulat. Sleeves - Unclass.
товар відсутній
STB15-BLANK-8TE ConnectivitySTB15BLANK8-TEC Unclassified
товар відсутній
STB150N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.51 грн
10+ 184.61 грн
100+ 148.41 грн
500+ 114.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB150N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
товар відсутній
STB150N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
товар відсутній
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товар відсутній
STB150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товар відсутній
STB150NF55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB150NF55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB150NF55T
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товар відсутній
STB150NF55T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.74 грн
10+ 205.56 грн
25+ 176.67 грн
100+ 149.07 грн
250+ 147 грн
500+ 133.89 грн
1000+ 115.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB150NF55T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.79 грн
10+ 210.27 грн
100+ 170.09 грн
500+ 141.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB150NF55T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB151-78Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE SPST-NO 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
товар відсутній
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товар відсутній
STB15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товар відсутній
STB15100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 100 V
товар відсутній
STB15100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
товар відсутній
STB15100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товар відсутній
STB15100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
товар відсутній
STB15100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.68V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB15100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.68V
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
товар відсутній
STB15100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.46 грн
10+ 50.47 грн
100+ 39.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
товар відсутній
STB151508Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 150X150X80MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 3.150" (80.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5837.16 грн
5+ 5246.43 грн
10+ 5152.76 грн
STB15150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.75V
товар відсутній
STB15150CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.75V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB15150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.79V
товар відсутній
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
товар відсутній
STB15150TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 150V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.79V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB15150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V D2PAK
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB151512Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 150X150X120MM
Packaging: Box
Color: Light Gray
Size / Dimension: 5.906" L x 5.906" W (150.00mm x 150.00mm)
Material: Metal, Steel
Height: 4.724" (120.00mm)
Design: Cover Included
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 35in² (225cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6406.77 грн
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
товар відсутній
STB15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.96 грн
10+ 49.03 грн
100+ 38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB15200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.73V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB15200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 0.73V
товар відсутній
STB15200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.72V
товар відсутній
STB15200TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 200V; 15A; D2PAK; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.72V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товар відсутній
STB155N3H6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK
товар відсутній
STB155N3H6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
товар відсутній
STB155N3LH6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
2+232.69 грн
10+ 207.14 грн
25+ 169.77 грн
100+ 144.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товар відсутній
STB155N3LH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STB155N3LH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+ 49.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
товар відсутній
STB1560CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.63V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB1560CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 130A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.63V
товар відсутній
STB1560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 170A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.65V
товар відсутній
STB1560TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.07 грн
10+ 36.23 грн
20+ 35.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
STB1560TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 15A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 170A
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.65V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB15810STMicroelectronicsDescription: N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB15810STMicroelectronicsMOSFET D2PAK
товар відсутній
STB15N25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15N25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
товар відсутній
STB15N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
STB15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 100 V
товар відсутній
STB15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.77 грн
10+ 300.85 грн
100+ 243.42 грн
500+ 203.06 грн
STB15N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.6 грн
10+ 336.51 грн
100+ 236.71 грн
500+ 210.49 грн
1000+ 176.67 грн
2000+ 166.32 грн
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товар відсутній
STB15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15NK50ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15NK50ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15NK50Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15NK50ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товар відсутній
STB15NK60Z-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товар відсутній
STB15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
товар відсутній
STB15NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товар відсутній
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.61 грн
10+ 238.86 грн
25+ 229.83 грн
50+ 210.78 грн
100+ 189.61 грн
250+ 181.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товар відсутній
STB15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II
товар відсутній
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15NM60NDSTD2PAK 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
товар відсутній
STB15NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товар відсутній
STB15NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товар відсутній
STB15NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
товар відсутній
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.66 грн
10+ 276.77 грн
100+ 223.93 грн
500+ 186.8 грн
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
товар відсутній
STB160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5mOhm N-Channel
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.15 грн
10+ 303.97 грн
25+ 249.83 грн
100+ 213.94 грн
250+ 202.21 грн
500+ 189.79 грн
1000+ 152.52 грн
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB160N75F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB160N75F3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; Idm: 480A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB160N75F3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; Idm: 480A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB160NF02LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB160NF02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB160NF03LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB160NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB160NF3LLSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB160NF3LLST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp
товар відсутній
STB160NF3LLT4ST00+
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB160NF3LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
товар відсутній
STB160NF3LLT4STTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товар відсутній
STB16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товар відсутній
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.38 грн
10+ 325.8 грн
100+ 263.56 грн
500+ 219.86 грн
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+338.32 грн
100+ 300.38 грн
500+ 238.67 грн
1000+ 207.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1027 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB16N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB16N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.03 грн
10+ 338.32 грн
100+ 300.38 грн
500+ 238.67 грн
1000+ 207.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB16N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+403.38 грн
10+ 348.41 грн
25+ 298.83 грн
100+ 249.14 грн
250+ 246.38 грн
500+ 213.94 грн
1000+ 191.17 грн
STB16N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16NB25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NB25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NB25T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NB25T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.47 грн
10+ 89.36 грн
100+ 69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB16NF06LT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
3+127.21 грн
10+ 112.7 грн
100+ 76.6 грн
500+ 62.94 грн
1000+ 44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16NF06LT4STTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C; STB16NF06LT4 STB16NF06L TSTB16NF06L
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.9 грн
2000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB16NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.42 грн
9+ 44.86 грн
25+ 39.83 грн
26+ 32.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB16NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товар відсутній
STB16NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 45W; D2PAK
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 90mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.9 грн
5+ 55.9 грн
25+ 47.79 грн
26+ 39.15 грн
70+ 37.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB16NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
товар відсутній
STB16NK60Z
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NK60Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NK60Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NK60Z-SSTMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
STB16NK65Z
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NK65Z-SSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NK65Z-SST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NK65Z-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товар відсутній
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товар відсутній
STB16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
товар відсутній
STB16NS25STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NS25ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16NS25T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товар відсутній
STB16NS25T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp
товар відсутній
STB16NS25T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16NS25T4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16PF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16PF06LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16PF06LT4STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp
товар відсутній
STB16PF06LT4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STB16PF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товар відсутній
STB16PF06LT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB16PF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товар відсутній
STB17-5-5TE ConnectivityCable Markers Pre-Marked Snap On
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 605
STB17-5-5TE ConnectivitySTB1755-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB17-6-6TE ConnectivitySTB1766-TEC Cables - Accessories - Unclassified
товар відсутній
STB17-8-8TE ConnectivitySTB1788-TEC Unclassified
товар відсутній
STB17-A-2TE ConnectivitySTB17A2-TEC Conduits and Insulat. Sleeves - Unclass.
товар відсутній
STB17-BLANK-5TE ConnectivitySTB17BLANK5-TEC Wire Markers
товар відсутній
STB17-BLANK-5TE Connectivity Raychem Cable ProtectionDescription: WIRE MARKER CLIP-ON GREEN
товар відсутній
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.58 грн
10+ 203.37 грн
100+ 164.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB170NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товар відсутній
STB170NF04STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V STripFET 80A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.12 грн
10+ 222.22 грн
25+ 192.55 грн
100+ 155.97 грн
250+ 155.28 грн
500+ 142.17 грн
1000+ 99.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB170NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB17N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB17N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.72 грн
10+ 274.6 грн
25+ 231.19 грн
100+ 193.24 грн
250+ 187.72 грн
500+ 171.84 грн
1000+ 146.31 грн
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.81 грн
10+ 250.32 грн
100+ 202.48 грн
500+ 168.91 грн
STB17N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB17N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
товар відсутній
STB180N55STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB180N55ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+142.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.46 грн
10+ 380.94 грн
100+ 312.13 грн
500+ 249.37 грн
STB180N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB180N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товар відсутній
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товар відсутній
STB185N55F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB185N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
товар відсутній
STB18N20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB18N20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товар відсутній
STB18N55M5
Код товару: 89166		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm MDmesh M5 13A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STB18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
товар відсутній
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.65 грн
10+ 147.08 грн
100+ 117.04 грн
500+ 92.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STB18N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.26 грн
10+ 161.9 грн
100+ 111.8 грн
250+ 103.52 грн
500+ 93.86 грн
1000+ 79.36 грн
2000+ 75.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.87 грн
10+ 154.06 грн
100+ 123.87 грн
500+ 94.89 грн
1000+ 85.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
STB18N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.13 грн
10+ 145.24 грн
100+ 100.76 грн
250+ 100.07 грн
500+ 85.58 грн
1000+ 71.77 грн
2000+ 68.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.73 грн
10+ 132.42 грн
100+ 105.4 грн
500+ 83.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.57 грн
2000+ 71.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товар відсутній
STB18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 980 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
2+195.65 грн
10+ 160.32 грн
100+ 111.11 грн
500+ 93.86 грн
1000+ 79.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товар відсутній
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+97.17 грн
2000+ 88.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.12 грн
10+ 170.63 грн
100+ 120.08 грн
500+ 106.28 грн
1000+ 91.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+246.97 грн
54+ 223.12 грн
57+ 211.56 грн
100+ 177.08 грн
250+ 162.32 грн
500+ 134.7 грн
1000+ 117.2 грн
Мінімальне замовлення: 49
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.13 грн
10+ 151.97 грн
100+ 122.94 грн
500+ 102.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+229.33 грн
10+ 207.18 грн
25+ 196.44 грн
100+ 164.43 грн
250+ 150.73 грн
500+ 125.08 грн
1000+ 108.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18NF25STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+126.64 грн
104+ 115.67 грн
127+ 94.33 грн
200+ 85.1 грн
500+ 78.53 грн
1000+ 66.93 грн
Мінімальне замовлення: 95
STB18NF25STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.42 грн
10+ 118.45 грн
25+ 106.84 грн
100+ 87.7 грн
500+ 67.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
STB18NF25STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NF25STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.04 грн
10+ 108.73 грн
100+ 75.22 грн
250+ 71.77 грн
500+ 62.73 грн
1000+ 53.62 грн
2000+ 52.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB18NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.69 грн
10+ 97.19 грн
100+ 77.36 грн
500+ 61.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB18NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.92 грн
10+ 143.49 грн
100+ 114.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NF30STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
2+201.29 грн
10+ 178.57 грн
100+ 124.91 грн
500+ 102.83 грн
1000+ 85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 330V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товар відсутній
STB18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товар відсутній
STB18NM60N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
товар відсутній
STB18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товар відсутній
STB18NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
STB18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товар відсутній
STB18NM60NDSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товар відсутній
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товар відсутній
STB18NM80STMicroelectronicsMOSFET N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.97 грн
10+ 280.16 грн
25+ 230.5 грн
100+ 197.38 грн
250+ 186.34 грн
500+ 175.29 грн
1000+ 150.45 грн
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.38 грн
10+ 320.51 грн
100+ 262.45 грн
500+ 207.76 грн
1000+ 161.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB190NF04ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB190NF04STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)