Продукція > TK5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK500
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500AETI09+
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500E
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500EDX
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500XTOKO05+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500XTOKO05+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK501EX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 851.05 грн
4+ 774.67 грн
TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 682.94 грн
4+ 645.56 грн
TK501PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1347.08 грн
2+ 849.26 грн
4+ 772.95 грн
TK501PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.57 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.12 грн
TK501PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Insulation colour: yellow
Contact plating: gold-plated
Core section: 0.5mm2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1347.08 грн
2+ 849.26 грн
4+ 772.95 грн
TK501PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Insulation colour: yellow
Contact plating: gold-plated
Core section: 0.5mm2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.57 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.12 грн
TK501PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Cable length: 1m
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Type of connection cable: RCA - RCA
Contact plating: gold-plated
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.57 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.12 грн
TK501PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Cable length: 1m
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Type of connection cable: RCA - RCA
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1347.08 грн
2+ 849.26 грн
4+ 772.95 грн
TK501PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 849.26 грн
4+ 772.95 грн
TK501PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.12 грн
TK50A04K3ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK50E06K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товар відсутній
TK50E06K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товар відсутній
TK50E06K3A,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товар відсутній
TK50E06K3A,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товар відсутній
TK50E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
товар відсутній
TK50E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090
товар відсутній
TK50E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
товар відсутній
TK50E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
товар відсутній
TK50F15J1(TE24L,Q)ToshibaLVMOS TO220SM(W),PRE-ACTIVE,
товар відсутній
TK50J30D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.35 грн
10+ 422.7 грн
100+ 341.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK50J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товар відсутній
TK50J60U(HEV,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK50J60U(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065
товар відсутній
TK50J60U(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
товар відсутній
TK50J60U(STA1,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50P03M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-ch 30V 50A DP
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+ 57.94 грн
100+ 38.65 грн
500+ 30.57 грн
1000+ 24.5 грн
2000+ 22.08 грн
4000+ 21.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-ch 40V 50A DP
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50X15J1(TE24LQ)ToshibaToshiba SIC N-CHAN MOSFET
товар відсутній
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 851.05 грн
4+ 774.67 грн
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 682.94 грн
4+ 645.56 грн
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Number of cores: 1
Cable length: 1m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 849.26 грн
4+ 773.81 грн
5+ 772.95 грн
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Number of cores: 1
Cable length: 1m
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.84 грн
5+ 644.12 грн
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 849.26 грн
4+ 773.81 грн
5+ 772.95 грн
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.84 грн
5+ 644.12 грн
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Number of cores: 1
Cable length: 1m
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.84 грн
5+ 644.12 грн
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Number of cores: 1
Cable length: 1m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 849.26 грн
4+ 773.81 грн
5+ 772.95 грн
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
Cable length: 1m
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 849.26 грн
4+ 773.81 грн
5+ 772.95 грн
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
Cable length: 1m
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 681.5 грн
4+ 644.84 грн
5+ 644.12 грн
TK51513M (TC)Description: WOODWORKING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56)
Tape Type: Woodwork
Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512
товар відсутній
TK5210InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5210 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5210
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 851.05 грн
4+ 774.67 грн
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 682.94 грн
4+ 645.56 грн
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 851.05 грн
4+ 774.67 грн
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 682.94 грн
4+ 645.56 грн
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 851.05 грн
4+ 774.67 грн
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 682.94 грн
4+ 645.56 грн
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 682.94 грн
4+ 645.56 грн
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 851.05 грн
4+ 774.67 грн
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1279.26 грн
2+ 851.05 грн
4+ 774.67 грн
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.05 грн
2+ 682.94 грн
4+ 645.56 грн
TK5283206QF
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5283206QF-12TOKO9900+
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5283206QF-12INDONESIAQFP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5310InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5310 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5310
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK5401
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5402
на замовлення 30972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK553MDescription: 3M PELTOR REMOTE RING FI
товар відсутній
TK5530HM-232-PPAtmelDescription: IC RFID 125KHZ READ ONLY TAG
товар відсутній
TK5530HM-232-PPMicrochip TechnologyIC RFID 125KHZ READ ONLY TAG
товар відсутній
TK5544TOKO2002 SMD
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5550F-PP
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5551A-PPMicrochip TechnologySTANDARD READ/WRITE ID TRANSPONDER WITH ANTICOLLISION
товар відсутній
TK5551MMicrochip TechnologyMicrochip Technology ROOT PART NUMBER
товар відсутній
TK5551M-PPMicrochip TechnologyNFC/RFID Tag and Transponder Chip 120kHz to 130kHz 264bit Automotive
товар відсутній
TK5551M-PP
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5551M-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 224b (User)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TK5551M-PPMicrochip TechnologyRF Wireless Misc Universal R/W Transponder
товар відсутній
TK5552A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 100-150KHZ
Packaging: Bulk
Frequency: 100kHz ~ 150kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Technology: Passive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TK5552A-PPMicrochip TechnologyRead/Write Transponder
товар відсутній
TK5561A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
товар відсутній
TK55D10J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
товар відсутній
TK55S10N1ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK55S10N1,LQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.73 грн
10+ 169.84 грн
100+ 117.32 грн
250+ 111.8 грн
500+ 99.38 грн
1000+ 84.89 грн
2000+ 80.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK55S10N1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
товар відсутній
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
товар відсутній
TK55S10N1,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.71 грн
10+ 170.32 грн
100+ 125.42 грн
500+ 105.68 грн
1000+ 76.98 грн
5000+ 75.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.71 грн
10+ 170.32 грн
100+ 125.42 грн
500+ 105.68 грн
1000+ 76.98 грн
5000+ 75.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
товар відсутній
TK55S10N1,LXHQToshibaMOSFET 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 10084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.58 грн
10+ 98.41 грн
100+ 66.11 грн
500+ 55.9 грн
1000+ 45.55 грн
2000+ 42.86 грн
4000+ 40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
товар відсутній
TK55S10N1,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK55S10N1,LXHQ(OToshibaTK55S10N1,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+113.45 грн
111+ 108.38 грн
250+ 104.03 грн
500+ 96.7 грн
1000+ 86.61 грн
Мінімальне замовлення: 106
TK560A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.62 грн
10+ 85.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.5 грн
10+ 88.89 грн
100+ 60.25 грн
500+ 51.07 грн
1000+ 41.61 грн
2500+ 39.13 грн
5000+ 37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK560A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товар відсутній
TK560A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.55 грн
10+ 92.13 грн
100+ 67.66 грн
500+ 60.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK560A65Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.16 грн
10+ 105.56 грн
100+ 73.84 грн
500+ 60.32 грн
1000+ 46.51 грн
5000+ 44.86 грн
10000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK560A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.1 грн
10+ 96 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560A65Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.66 грн
10+ 66.27 грн
100+ 47.96 грн
500+ 40.58 грн
1000+ 36.65 грн
2000+ 35.61 грн
4000+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.74 грн
10+ 94.61 грн
100+ 73.79 грн
500+ 57.2 грн
1000+ 45.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.81 грн
10+ 86.71 грн
100+ 63.25 грн
500+ 49.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.25 грн
500+ 49.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK560P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.29 грн
10+ 85.76 грн
100+ 66.84 грн
500+ 51.82 грн
1000+ 40.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK560P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.4 грн
10+ 75.32 грн
100+ 50.86 грн
500+ 43.13 грн
1000+ 35.2 грн
2000+ 32.99 грн
4000+ 32.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.61 грн
10+ 82.06 грн
100+ 60 грн
500+ 47.23 грн
1000+ 40.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK56A12N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.52 грн
10+ 156.35 грн
50+ 127.67 грн
100+ 109.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK56A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK56A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.15 грн
10+ 62.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK56A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.58 грн
10+ 103.17 грн
100+ 68.05 грн
250+ 65.49 грн
500+ 57.42 грн
1000+ 47.48 грн
2500+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK56E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 56A TO-220
товар відсутній
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1X(STOSHIBATK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.44 грн
10+ 107.83 грн
26+ 101.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK56E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.48 грн
10+ 106.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK57353M (TC)Description: CRAFTING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (52)
Tape Type: Household
Tape Included: 17002, 3903, 4032, 4658F, 850, 9629PC, CM592, SJ3530, SJ3531
товар відсутній
TK57V161610DTC-7
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK57V161610TC-7
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK58A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.57 грн
10+ 79.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK58A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.84 грн
10+ 88.89 грн
100+ 60.11 грн
500+ 49.69 грн
1000+ 39.2 грн
2500+ 36.58 грн
10000+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK58E06N1ToshibaToshiba
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58E06N1,S1XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaMOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
4+105.47 грн
10+ 80.95 грн
100+ 55.83 грн
500+ 47.27 грн
1000+ 36.85 грн
2500+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.68 грн
10+ 96.77 грн
100+ 72 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58E06N1S1X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK58E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK59593M (TC)Description: MRO TAPE KIT - STANDARD
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (42)
Tape Type: Maintenance Repair
Tape Included: 17002, 3900, 4032, 425, 4941, 5151, 610, 9629PC, SJ3000, SJ3550, SJ3560
товар відсутній
TK5A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
товар відсутній
TK5A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
товар відсутній
TK5A50D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5A50DToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A50D (Q,M)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A50D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5A50D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
товар відсутній
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-CH 500V, 5A
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.32 грн
10+ 76.03 грн
100+ 54.93 грн
500+ 40.65 грн
1000+ 32.51 грн
2500+ 31.61 грн
5000+ 30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 135758		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK5A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
товар відсутній
TK5A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
товар відсутній
TK5A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
товар відсутній
TK5A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60DToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.5 грн
10+ 87.3 грн
100+ 58.87 грн
500+ 50.59 грн
1000+ 42.1 грн
2500+ 39.34 грн
5000+ 37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.39 грн
10+ 126.98 грн
100+ 87.65 грн
250+ 78.67 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 56.87 грн
5000+ 56.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK5A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товар відсутній
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK5A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60W5,S5VXToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
товар відсутній
TK5A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK5A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
товар відсутній
TK5A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5A60W5S5VX(MToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5A65DToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A65D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.5 грн
10+ 92.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.97 грн
10+ 105.56 грн
100+ 73.84 грн
500+ 55.28 грн
1000+ 45.62 грн
5000+ 43.96 грн
10000+ 43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A65D,S5Q(JToshibaTK5A65D,S5Q(J
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
товар відсутній
TK5A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.26 грн
10+ 91.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.36 грн
10+ 90.48 грн
100+ 62.11 грн
500+ 47.9 грн
1000+ 39.54 грн
5000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.36 грн
12+ 52.78 грн
100+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
TK5A80E,S4XToshibaMOSFET PWR MOS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.06 грн
10+ 69.13 грн
100+ 51.28 грн
500+ 46.45 грн
1000+ 44.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.81 грн
50+ 73.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.03 грн
11+ 72.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5A80E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5A80ES4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5A90E,S4XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.67 грн
10+ 84.92 грн
100+ 57.14 грн
500+ 47.2 грн
1000+ 38.99 грн
2500+ 36.58 грн
5000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK5A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.58 грн
10+ 87.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5A90ES4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5E18N32MPN-SPCLITT CannonCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
TK5P-3.5TraktronixDescription: 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5P-3.81TraktronixDescription: 5PIN 3.81MM SPEAKR MIC CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5P-5.00TraktronixDescription: 5PIN 5.00MM PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5P-5.08TraktronixDescription: 5PIN 5.08MM/PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5P-7.5TraktronixDescription: 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.77 грн
TK5P50D
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.79 грн
10+ 74.52 грн
100+ 50.79 грн
500+ 43 грн
1000+ 35.06 грн
2000+ 32.99 грн
4000+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.85 грн
10+ 67.5 грн
100+ 52.51 грн
500+ 41.78 грн
1000+ 34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
товар відсутній
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.09 грн
10+ 69.01 грн
100+ 53.66 грн
500+ 42.68 грн
1000+ 34.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+129.27 грн
10+ 115.87 грн
25+ 114.8 грн
100+ 88.54 грн
250+ 77.59 грн
500+ 64.27 грн
1000+ 54.94 грн
3000+ 52.32 грн
6000+ 51.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK5P60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.43 грн
10+ 107.14 грн
100+ 73.84 грн
250+ 69.7 грн
500+ 62.39 грн
1000+ 52.93 грн
2000+ 50.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+139.21 грн
96+ 124.78 грн
97+ 123.63 грн
122+ 95.35 грн
250+ 83.56 грн
500+ 69.22 грн
1000+ 59.17 грн
3000+ 56.35 грн
6000+ 55.79 грн
Мінімальне замовлення: 86
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.69 грн
10+ 97.12 грн
100+ 77.3 грн
500+ 61.39 грн
1000+ 52.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK5P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.34 грн
10+ 68.58 грн
100+ 53.33 грн
500+ 42.42 грн
1000+ 34.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK5P60W5,RVQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.01 грн
10+ 76.75 грн
100+ 52.38 грн
500+ 44.44 грн
1000+ 36.16 грн
2000+ 34.02 грн
4000+ 32.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P60W5,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A
товар відсутній
TK5P60W5RVQ(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5P60WRVQ(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5P65W,RQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.2 грн
10+ 76.75 грн
100+ 51.69 грн
500+ 43.82 грн
1000+ 35.68 грн
2000+ 33.54 грн
4000+ 32.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.09 грн
10+ 69.66 грн
100+ 54.16 грн
500+ 43.08 грн
1000+ 35.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P65W,RQ
Код товару: 184247		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK5P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товар відсутній
TK5P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5P65WRQ(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK5Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.66 грн
10+ 103.97 грн
75+ 74.53 грн
300+ 71.08 грн
525+ 63.63 грн
1050+ 51.83 грн
5025+ 50.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.69 грн
75+ 93.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK5Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.81 грн
10+ 81.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
TK5R1A08QMToshibaToshiba
товар відсутній
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.7 грн
10+ 102.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R1A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.86 грн
10+ 92.86 грн
100+ 63.91 грн
500+ 53 грн
1000+ 40.72 грн
5000+ 38.72 грн
10000+ 38.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK5R1A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.64 грн
50+ 127.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK5R1A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5R1E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.97 грн
10+ 96.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5R1P08QMToshibaToshiba
товар відсутній
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 93.53 грн
100+ 72.92 грн
500+ 56.53 грн
1000+ 44.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R1P08QM,RQToshibaMOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
на замовлення 31518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.67 грн
10+ 84.92 грн
100+ 57.21 грн
500+ 48.45 грн
1000+ 39.54 грн
2500+ 37.13 грн
5000+ 35.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
товар відсутній
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
товар відсутній
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK5R1P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK5R3A06PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.81 грн
10+ 79.36 грн
100+ 53.49 грн
500+ 42.17 грн
1000+ 34.02 грн
5000+ 32.44 грн
10000+ 32.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.48 грн
50+ 116.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK5R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
товар відсутній
TK5R3E08QM,S1XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.58 грн
10+ 107.14 грн
100+ 75.22 грн
500+ 61.56 грн
1000+ 55.76 грн
5000+ 53.69 грн
10000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.1 грн
10+ 96 грн
Мінімальне замовлення: 7