НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TQM019NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.03 грн
10+ 183.33 грн
100+ 126.29 грн
250+ 116.63 грн
500+ 105.59 грн
1000+ 96.62 грн
2500+ 83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM019NH04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101
товар відсутній
TQM019NH04CR-VTaiwan SemiconductorTQM019NH04CR-V
товар відсутній
TQM019NH04LCRTaiwan SemiconductorTQM019NH04LCR
товар відсутній
TQM019NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.53 грн
10+ 406.35 грн
25+ 333.33 грн
100+ 285.71 грн
250+ 269.84 грн
500+ 253.28 грн
1000+ 228.43 грн
TQM019NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive 8-Pin PDFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM019NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TQM025NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.01 грн
5000+ 63.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM025NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP
товар відсутній
TQM025NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP
товар відсутній
TQM025NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TQM025NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TQM025NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.29 грн
10+ 343.74 грн
100+ 277.93 грн
500+ 236.51 грн
1000+ 187.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM025NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.04 грн
10+ 122.43 грн
100+ 97.43 грн
500+ 77.37 грн
1000+ 65.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM025NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.86 грн
10+ 136.51 грн
100+ 94.55 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 68.05 грн
2500+ 64.18 грн
5000+ 62.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM025NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+343.74 грн
100+ 277.93 грн
500+ 236.51 грн
1000+ 187.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
TQM025NH04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM025NH04CR-VTaiwan SemiconductorTQM025NH04CR-V
товар відсутній
TQM025NH04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+361.18 грн
10+ 348.24 грн
25+ 343.98 грн
50+ 326.85 грн
100+ 279.97 грн
250+ 267.9 грн
500+ 247.31 грн
1000+ 225.18 грн
3000+ 224.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM025NH04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+388.97 грн
32+ 375.02 грн
33+ 370.44 грн
50+ 351.99 грн
100+ 301.51 грн
250+ 288.51 грн
500+ 266.33 грн
1000+ 242.5 грн
3000+ 241.87 грн
Мінімальне замовлення: 31
TQM025NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.26 грн
10+ 396.03 грн
25+ 325.74 грн
100+ 278.81 грн
250+ 262.94 грн
500+ 247.76 грн
1000+ 222.91 грн
TQM025NH04LCR-V RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
товар відсутній
TQM025NH04LCR-V RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
товар відсутній
TQM025NH04LCR-V RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
TQM032NH04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 143A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM032NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.21 грн
10+ 103.97 грн
100+ 72.46 грн
250+ 66.74 грн
500+ 60.25 грн
1000+ 54.59 грн
2500+ 47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM032NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.46 грн
10+ 93.38 грн
100+ 74.37 грн
500+ 59.05 грн
1000+ 50.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM032NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.63 грн
10+ 237.3 грн
25+ 195.31 грн
100+ 167.7 грн
250+ 158.04 грн
500+ 149.07 грн
1000+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM032NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.67 грн
5000+ 48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM032NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 143A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM033NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORTQM033NB04CR-RLG SMD N channel transistors
товар відсутній
TQM033NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+242.98 грн
500+ 161.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM033NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.98 грн
10+ 88.14 грн
100+ 68.52 грн
500+ 54.51 грн
1000+ 44.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM033NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 121A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TQM033NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.26 грн
5000+ 42.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM033NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.61 грн
10+ 318.96 грн
25+ 290.32 грн
100+ 242.98 грн
500+ 161.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM033NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.07 грн
10+ 159.52 грн
100+ 80.06 грн
500+ 78.67 грн
1000+ 77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM043NH04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 113A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM043NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.19 грн
2500+ 102.38 грн
5000+ 48.72 грн
10000+ 42.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM043NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.01 грн
10+ 84.9 грн
100+ 67.53 грн
500+ 53.62 грн
1000+ 45.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM043NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 113A Automotive 8-Pin PDFN-U EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM043NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.83 грн
5000+ 44.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM043NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.99 грн
2500+ 103.97 грн
10000+ 48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM050NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
TQM050NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+123.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
TQM050NB06CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 104A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TQM050NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 8740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.21 грн
10000+ 58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM050NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.42 грн
10+ 100.5 грн
100+ 80.01 грн
500+ 63.54 грн
1000+ 53.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM050NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
TQM056NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.78 грн
10+ 178.57 грн
25+ 146.31 грн
100+ 125.6 грн
250+ 118.7 грн
500+ 111.8 грн
1000+ 101.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM056NH04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM056NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.82 грн
5000+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM056NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM056NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.17 грн
10+ 176.98 грн
25+ 145.62 грн
100+ 124.22 грн
250+ 118.01 грн
500+ 111.11 грн
1000+ 100.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM056NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.3 грн
10+ 75.84 грн
100+ 58.99 грн
500+ 46.92 грн
1000+ 38.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM070NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.15 грн
10+ 59.96 грн
100+ 46.63 грн
500+ 37.09 грн
1000+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM070NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM070NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 846-855 дні (днів)
3+122.38 грн
10+ 108.73 грн
100+ 73.84 грн
500+ 60.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM070NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.48 грн
5000+ 28.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM070NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
TQM070NH04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM070NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+ 63.19 грн
100+ 49.13 грн
500+ 39.08 грн
1000+ 31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM070NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM070NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.87 грн
10+ 163.49 грн
100+ 113.18 грн
250+ 104.9 грн
500+ 95.24 грн
1000+ 86.27 грн
2500+ 72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM070NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+ 63.19 грн
100+ 49.13 грн
500+ 39.08 грн
1000+ 31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM070NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.87 грн
10+ 163.49 грн
100+ 113.18 грн
250+ 104.9 грн
500+ 95.24 грн
1000+ 86.27 грн
2500+ 72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM070NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM070NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.16 грн
5000+ 30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM076NH04DCRTaiwan SemiconductorTQM076NH04DCR
товар відсутній
TQM076NH04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.27 грн
10+ 241.27 грн
25+ 198.07 грн
100+ 169.77 грн
250+ 160.8 грн
500+ 151.14 грн
1000+ 137.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM076NH04DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TQM076NH04DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive 8-Pin PDFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM076NH04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.98 грн
10+ 89.57 грн
100+ 71.27 грн
500+ 56.59 грн
1000+ 48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM076NH04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM076NH04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM076NH04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.98 грн
10+ 89.57 грн
100+ 71.27 грн
500+ 56.59 грн
1000+ 48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM076NH04LDCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 34A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM110NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM110NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM110NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
TQM110NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
TQM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.85 грн
10+ 67.43 грн
100+ 52.46 грн
500+ 41.73 грн
1000+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM110NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 10A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.79 грн
10+ 122.64 грн
100+ 97.63 грн
500+ 77.53 грн
1000+ 65.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM123KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.89 грн
19+ 15.53 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
TQM123KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TQM130NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.2 грн
10+ 76.03 грн
100+ 51.35 грн
500+ 43.55 грн
1000+ 36.44 грн
5000+ 31.75 грн
10000+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM130NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.6 грн
10+ 68.29 грн
100+ 53.1 грн
500+ 42.25 грн
1000+ 34.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM130NB06CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM130NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.06 грн
13+ 63.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
TQM130NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 19W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TQM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.56 грн
5000+ 25.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM150NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 19W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TQM150NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.19 грн
10+ 52.48 грн
100+ 40.83 грн
500+ 32.48 грн
1000+ 26.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
TQM150NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.43 грн
10+ 171.43 грн
25+ 140.79 грн
100+ 119.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM150NB04DCRTaiwan SemiconductorMOSFET 40V MOSFET 15 MOhms
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.23 грн
10+ 226.98 грн
25+ 186.34 грн
100+ 161.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM150NB04DCRTaiwan Semiconductor40V 39A Dual N Channel Power MOSFET
товар відсутній
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.22 грн
10+ 210.58 грн
25+ 191.22 грн
100+ 159.59 грн
500+ 126.08 грн
1000+ 106.17 грн
2500+ 100.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 16W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TQM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
товар відсутній
TQM150NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 39A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 16W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TQM150NB04DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.59 грн
500+ 126.08 грн
1000+ 106.17 грн
2500+ 100.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM150NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.58 грн
10+ 70.59 грн
100+ 54.91 грн
500+ 43.68 грн
1000+ 35.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM250NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.29 грн
10+ 178.57 грн
100+ 124.91 грн
500+ 102.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM250NB06CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN-U EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM250NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.18 грн
10+ 152.26 грн
100+ 122.41 грн
500+ 94.39 грн
1000+ 78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM250NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU
товар відсутній
TQM250NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORTQM250NB06CR-RLG SMD N channel transistors
товар відсутній
TQM250NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
TQM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.81 грн
10+ 74.62 грн
100+ 58.01 грн
500+ 46.14 грн
1000+ 37.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM250NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM250NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.94 грн
10000+ 111.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM250NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM250NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.16 грн
5000+ 35.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM2M9016QorvoSignal Conditioning 1.575GHz IL=.6dB Attenution 31dB
товар відсутній
TQM2N7002KCU RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.68 грн
100+ 8.14 грн
500+ 6.37 грн
1000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
TQM2N7002KCU RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TQM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TQM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.89 грн
19+ 15.53 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.33A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 0.33A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 18.48 грн
100+ 9.3 грн
500+ 7.12 грн
1000+ 5.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
TQM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+ 49.39 грн
100+ 38.43 грн
500+ 30.57 грн
1000+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
TQM300NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM300NB06CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM300NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM300NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
TQM300NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.85 грн
10+ 67.5 грн
100+ 52.51 грн
500+ 41.78 грн
1000+ 34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.42 грн
500+ 104.24 грн
1000+ 88.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
TQM300NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.59 грн
10+ 75.32 грн
100+ 50.86 грн
500+ 43.06 грн
1000+ 35.13 грн
2500+ 32.99 грн
5000+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM300NB06DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.45 грн
5000+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TQM300NB06DCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.64 грн
10+ 150.97 грн
100+ 125.42 грн
500+ 104.24 грн
1000+ 88.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
TQM300NB06DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TQM3M7001Triquint07+ SOT23
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM4M3019
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM4M9073QorvoAttenuators DC-6GHz IL .1dB RL >22dB
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM613016CEL-3
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613017
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613017A
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613025
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613026
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613026A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613027
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613028
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613029TRIQUINT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613030TRIQUINTQFN
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613031
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM613035
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM616017
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM616025
на замовлення 25407 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM616025QorvoRF Amplifier WCDMA US Cell-Band PA/Duplexer Module
товар відсутній
TQM616032A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM616035
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM616035A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM640002
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM653029TRIQUINT
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM656024
на замовлення 26988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM663017TRIQUINTQFN 06+
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM663017TRIQUINT09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM663017TRIQUTNT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM663017/PB
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM663017ATRIQUINT09+
на замовлення 916 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM663029QorvoRF Amplifier 1880MHz
товар відсутній
TQM663029
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM663029A
на замовлення 58139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM666017
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM666022
на замовлення 81718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM666032
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM666032A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM666032B
на замовлення 109327 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM666092
на замовлення 445289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM676001
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM676021QorvoRF Amplifier WCDMA IMT2100 Band PA/Duplexer Module
товар відсутній
TQM676021
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM676031
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM679002
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM679002AQorvoRF Front End 2400-2500MHz Pout 17dBm
товар відсутній
TQM6M4001TriQuintQFN??
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4001TRIQUINT0607+
на замовлення 16463 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4002TRIQUINTQFN??
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4002-BTRIQUINT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4002-BTRIQUINTQFN??
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4002-BTRIQUINT2007
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4002B
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4002DBTQS07+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4003TRIQUINTQFN?
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4022
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4022ETRIQUINT07+
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4028
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4028ETRIQUINTQFN??
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4028ETRIQUINT
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4028UTQMQFN??
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4029
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4038TriQuint05+
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4038ETRIQUINTQFN??
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4048TRIQUINT10+ TSSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M4050QorvoRF Transmitter GSM850/900 DCS/PCS
товар відсутній
TQM6M5001TriQuint09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M5001TriQuint
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M5003
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M5008
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M7010TRIQUINT
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M9008
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6M9014
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM6T6031
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7130124
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM713015LGA-10
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM713019QorvoRF Amplifier Cell band CDMA PAM
товар відсутній
TQM713019TQSQFN??
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM713021TRIQUINT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM713021TQS07+;
на замовлення 167500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM713024TQS07+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM71312
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM716015QorvoRF Amplifier 836MHz CDMA, WCDMA LTE
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM716015TRIQUINTQFN
на замовлення 8634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM716015 PCNTRIQUINTQFN
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM726018QorvoRF Amplifier WCDMA Bands 8
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM726018TRIQUINTQFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM763013
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM763021TRIQUINT
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM763022
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM76314TirQuint
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM766012QorvoRF Amplifier WCDMA Bands 2
товар відсутній
TQM766012
на замовлення 10968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM776003
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM776011TRIQUINTQFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM776011QorvoRF Amplifier WCDMA Band 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM7M4002TRIQUINTQFN??
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4006MANUFACT06+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4006TRIQUINT
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4007
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4014
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4014-B
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4022TRIQUINTQFN??
на замовлення 27740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4022TQMLCC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4022TRIQUINT2004
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4022TQS
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M4022-TRTQS07+;
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5002TQS07+;
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5002TriQuint0846+
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5002TRIQUINT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5003TQSQFN
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5003TRIQUINT2006
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5003TRIQUINT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5003TRIQUINTQFN??
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5003-PHILTQSQFN
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5004MANUFACT06+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5004MANUFACTURER'S0601+ QFN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5005TQM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5005HTRIQUINT 12+ QFN
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5005H
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5008TQS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5012TRIQUINT08+
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5012TRIQUINT
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5012HTRTQUINTQFN??
на замовлення 91553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5012HQorvoRF Amplifier Quadband EDGE Pola PAM Halogen-Free
товар відсутній
TQM7M5012HTRIQUINT09+ TSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5013QorvoRF Amplifier GSM850/900/DCS/PCS
товар відсутній
TQM7M5013
Код товару: 67343
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
товар відсутній
TQM7M5013TVIQUINTQFN
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5013TRIQUINTQFN
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5015
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M5022QorvoRF Modules GSM/GPRS/EDGE-Polar
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM7M5050QorvoRF Amplifier GSM/EDGE/WEDGE Quad Band
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM7M6018QorvoRF Amplifier Dual Band PA Mod. Bd 1,2,3,8,25 and 26
товар відсутній
TQM7M6125QorvoRF Amplifier Dual Band PA Mod. Bands 1,2,5 and 8
товар відсутній
TQM7M7012
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQM7M9023HRFMDDescription: MODULE GSM
товар відсутній
TQM7M9050MRFMDDescription: MODULE GSM
товар відсутній
TQM7M9053QorvoRF Amplifier Quad Band MMPA GSM/EDGE/WEDGE WCDMA
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM7M9053RFMDDescription: MODULE GSM
товар відсутній
TQM879006QorvoRF Amplifier 1.8-2.7GHz 31dB Gain 25.4dBm P1
товар відсутній
TQM879006-PCBQorvoRF Development Tools 1.8-2.7GHz Gain 31dB Eval Brd
товар відсутній
TQM879006A-PCBQorvoRF Development Tools 1.4-2.7GHz Gain 31.7 Eval Board
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM879006ATR13QorvoRF Amplifier 1.4-2.7GHz Gain 31.7 NF 1.5dB
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM879008QorvoRF Amplifier 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Gain 41.5dB
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM879008-PCBQorvoRF Development Tools 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Eval Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM879026-PCB2140QorvoRF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM879026-PCB900QorvoRF Development Tools TQM879026-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD
товар відсутній
TQM879026TR13QorvoRF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 32.5dB 1/4 Wat
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM879028-PCB2140QorvoRF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM879028-PCB900QorvoRF Development Tools TQM879028-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13913.03 грн
TQM879028TR13QorvoRF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 33dB 1/2 Watt
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM8M9075QorvoRF Amplifier 50-4000MHz NF 2.9dB Gain 18dB
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1296.3 грн
25+ 927.78 грн
100+ 654.24 грн
250+ 532.78 грн
TQM8M9075-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BRDQorvoRF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd
товар відсутній
TQM8M9076-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BOARDQorvoRF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd
товар відсутній
TQM8M9077QorvoRF Amplifier 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM8M9079QorvoRF Amplifier 500-2700MHz NF 4dB G ain 38dB Attn. 30dB
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM8M9079-PCBQorvoRF Development Tools 500-2700MHz NF 4dB Eval Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM963014QorvoSignal Conditioning Band Class 14 BAW IL 1.8dB TX 2.2dB Rx
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.55 грн
100+ 259.52 грн
250+ 168.39 грн
1000+ 142.17 грн
TQM976027QorvoSignal Conditioning Band 7 Duplexer 50 Ohm Tx/Rcv BAW
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQM9M9030
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TQMTM5W8
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)