НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UF3-70B410
Код товару: 92013
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
UF3-V2UHUDINFODescription: USB 3.0 FLASH DRIVE 16GB~ 512GB
товар відсутній
UF300
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 50V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-TDiodes IncRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3001-TDiodes ZetexRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 74
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3002LTN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3002Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 100V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3003Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3003VISHAY04+ DIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3003-A52Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-BUDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifiers 200V, 3A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 200V 3A DO-27
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 200V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-TDiodes IncRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3004MulticompDiode Switching 300V 3A 2-Pin DO-27
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3004Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3004
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004-GComchip TechnologyRectifiers 300V 3.0A
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 300V 3A DO-27
товар відсутній
UF3004-TDiodes IncRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3004-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 400V
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3004-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004BDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004B-FRDiodes IncorporatedDescription: UF3004B-FR
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004M
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3005 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300x
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3005
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005Lite-On ElectronicsDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
UF3005-GComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 600V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-TLite-On ElectronicsUF3005-T
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3006Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifiers 600V, 3A
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 600V 3A DO-27
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3006-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 800V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3006-TDiodes IncRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3006PT_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006PT_T0_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,TO-3P/TO-247AD,30A
товар відсутній
UF3007Lite-On ElectronicsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
UF3007Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3007
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
12+ 26.51 грн
100+ 16.08 грн
500+ 12.49 грн
1200+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3007-TLite-On ElectronicsUF3007-T
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 1000V
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3008
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyRectifiers 1000V, 3A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 1KV 3A DO-27
товар відсутній
UF300BNA12-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 380X98MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 9.9 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13654.88 грн
10+ 12110.85 грн
UF300BNA23-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 398X98.3MM 230VAC WIRE
Packaging: Bulk
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 10 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13654.88 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball bearing
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball bearing
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+11548.67 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball bearing
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball bearing
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9623.89 грн
UF300G_AY_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_AY_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_B0_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_B0_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF300G_R2_00001PanjitRectifiers 50V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF300G_R2_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010
Код товару: 112495
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
товар відсутній
UF3010
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3010G-AY-00001PanjitRectifiers
товар відсутній
UF3010G_AY_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_AY_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_B0_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_B0_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_000A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_000A5PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_100A1PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_100A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_R2_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3010G_R2_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_AY_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_AY_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_B0_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_B0_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF301G_R2_00001PanjitRectifiers 100V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF301G_R2_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302
Код товару: 112497
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
товар відсутній
UF302
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF302G-AY-00001PanjitRectifiers
товар відсутній
UF302G-R2-00001PanjitRectifiers DO-201AD/UF/AXIAL/UFG-30H
товар відсутній
UF302G_AY_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_000A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_100A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_B0_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_B0_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A6PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_R2_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товар відсутній
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
16+ 18.83 грн
100+ 11.31 грн
500+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
UF302G_R2_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304PanJitВипрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 400; Io, А = 3; If, A = 3; Uf (max), В = 1,1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 400; trr, нс = 50; С, пФ @ Ur, В; F, МГц = 75; Тексп, °С = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 20; DO-201AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+69.33 грн
10+ 62.4 грн
100+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF304G_AY_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_AY_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_B0_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_B0_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_F0_000A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_F0_100A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF304G_R2_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF304G_R2_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF305
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306G_AY_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_AY_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_B0_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_B0_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF306G_R2_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF306G_R2_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF307
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF308G_AY_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_AY_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_B0_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_B0_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_F0_100A1PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF308G_R2_00001PanjitRectifiers 800V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF308G_R2_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF30H04PTGeneSiC SemiconductorRectifiers 400V, 30A Ultra Fast High Effcncy Rectfer
товар відсутній
UF31
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31613-FB4
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF318AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 115VAC
товар відсутній
UF318AAA12-H1C4A-CCMechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Conformal Coating, Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16521.57 грн
UF318AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 230VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товар відсутній
UF318AAA23-H1C4A-L32Mechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 230VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товар відсутній
UF318AAA23H1C4AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; radial; 230VAC; Ø318x138mm; 1725.5m3/h; 63dBA; 1390rpm
Frequency: 50...60Hz
Type of fan: AC
Fan dimensions: Ø318x138mm
Impeller material: aluminium
Kind of Bearing: ball bearing
Fan efficiency: 1725.5m3/h
Static pressure: 30.5mm H2O
Noise level: 63dBA
Rotational rate/speed: 1390rpm
Power consumption: 115W
Kind of fan: radial
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Operating temperature: -40...70°C
Enclosure material: aluminium
Current rating: 0.6A
Supply voltage: 230V AC
Leads: lead x4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12455.08 грн
UF318AAA23H1C4AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; radial; 230VAC; Ø318x138mm; 1725.5m3/h; 63dBA; 1390rpm
Frequency: 50...60Hz
Type of fan: AC
Fan dimensions: Ø318x138mm
Impeller material: aluminium
Kind of Bearing: ball bearing
Fan efficiency: 1725.5m3/h
Static pressure: 30.5mm H2O
Noise level: 63dBA
Rotational rate/speed: 1390rpm
Power consumption: 115W
Kind of fan: radial
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Operating temperature: -40...70°C
Enclosure material: aluminium
Current rating: 0.6A
Supply voltage: 230V AC
Leads: lead x4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+14946.1 грн
UF31AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31BA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205GTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205LTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670CT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670F
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670FCT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AH
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AHLFICS09+
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BH
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BHLF
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CH
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CHLFICS09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864EHLF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32F6204ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товар відсутній
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.67 грн
10+ 309.62 грн
50+ 292.39 грн
100+ 258.26 грн
500+ 250.19 грн
1000+ 214.68 грн
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+223.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UF33ABST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33ABST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
товар відсутній
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.14 грн
10+ 364.04 грн
50+ 353.33 грн
100+ 316.52 грн
500+ 301.45 грн
1000+ 261.26 грн
UF33L2501ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товар відсутній
UF341605Celduc Inc.Description: FERRITE MAGNET DIA34X16X5MM/RED
товар відсутній
UF360AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 270W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 360mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1600 RPM
Air Flow: 1645.0 CFM (46.06m³/min)
Width: 167.3mm
Weight: 11 lbs (5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 70.0dB(A)
Static Pressure: 2.200 in H2O (548.0 Pa)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22978.36 грн
UF360AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 230VAC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21136.65 грн
UF383-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13500 RPM
Air Flow: 0.006 CFM (0.0002m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.000 lb (0.30 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 2.1dB(A)
Static Pressure: 0.006 in H2O (1.6 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товар відсутній
UF385-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X5MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.010 CFM (0.0003m³/min)
Width: 5.00mm
Weight: 0.001 lb (0.45 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 17.1dB(A)
Static Pressure: 0.012 in H2O (3.0 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 200 mW
товар відсутній
UF3ADC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3ADC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3A3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3A3-500SunonDC Fans DC Fan, 10x3mm, 3VDC, 3.43CFM, 0.29W, 27.3/10cm dBA, 17000RPM, 10.44inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3A3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 10x10x3mm; 0.21m3/h; 6.8dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 10x10x3mm
Power consumption: 290mW
Current rating: 96mA
Fan efficiency: 0.21m3/h
Noise level: 6.8dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 17000 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 500MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
товар відсутній
UF3A3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 10x10x3mm; 0.21m3/h; 6.8dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 10x10x3mm
Power consumption: 290mW
Current rating: 96mA
Fan efficiency: 0.21m3/h
Noise level: 6.8dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 17000 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 500MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3A3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3A3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3A3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1684.93 грн
10+ 1482.27 грн
25+ 1425.98 грн
50+ 1250.2 грн
100+ 1153.36 грн
250+ 1135.75 грн
500+ 1108.47 грн
UF3A3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3A3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.73 грн
10+ 1329.94 грн
25+ 1279.47 грн
50+ 1121.74 грн
100+ 1034.83 грн
UF3A3-700SunonDC Fan Vapo Bearing 3V 0.096A 0.29W 17000RPM 0.12CFM Flange Mount
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2696.78 грн
10+ 2557.07 грн
20+ 2351.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
UF3A3-700SunonDC Fans Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 3.43 L/min, 0.29W, 27.3/10cm dBA, Vapo, 2 Wire, IP55
товар відсутній
UF3A3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
товар відсутній
UF3A3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3A3-700 TC
Код товару: 158621
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
UF3A3-700-TCSunon FansDescription: Power Supply
Packaging: Bulk
товар відсутній
UF3A3-700-TCSunon6 Poles Brushless DC Motor Fan
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2245.13 грн
25+ 1839.52 грн
100+ 1556.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
UF3A3-700BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3A3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1668.51 грн
10+ 1467.25 грн
25+ 1411.52 грн
50+ 1237.52 грн
100+ 1141.65 грн
250+ 1124.22 грн
500+ 1097.22 грн
UF3A3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3A3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1488.59 грн
10+ 1309.38 грн
25+ 1259.63 грн
50+ 1104.34 грн
100+ 1018.8 грн
250+ 1003.24 грн
500+ 979.15 грн
UF3A_R1_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3A_R2_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3BDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3BDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3B_R1_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3B_R2_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3C065030B3
Код товару: 198848
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.82 грн
10+ 1085.37 грн
100+ 938.7 грн
UF3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1477.14 грн
50+ 1300.46 грн
100+ 1135.4 грн
250+ 1069.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065030B3QorvoMOSFET 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1531.4 грн
25+ 1330.95 грн
100+ 1003.45 грн
250+ 848.86 грн
500+ 804 грн
2400+ 788.82 грн
4800+ 763.97 грн
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+883.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1607.21 грн
5+ 1542.18 грн
10+ 1477.14 грн
50+ 1300.46 грн
100+ 1135.4 грн
250+ 1069.7 грн
UF3C065030K3SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC FET
товар відсутній
UF3C065030K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.21 грн
5+ 1422.95 грн
10+ 1333.92 грн
50+ 1155.97 грн
100+ 990.74 грн
250+ 838.77 грн
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4131.36 грн
UF3C065030K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1665.86 грн
10+ 1509.52 грн
30+ 1108.35 грн
270+ 990.34 грн
510+ 989.65 грн
1020+ 971.7 грн
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3442.8 грн
UF3C065030K3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1439.61 грн
25+ 1411.11 грн
100+ 1061.42 грн
250+ 953.07 грн
600+ 939.96 грн
3000+ 935.82 грн
5400+ 930.99 грн
UF3C065030K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.46 грн
30+ 745.46 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3852.34 грн
3+ 3564.96 грн
5+ 3439.87 грн
UF3C065030K4SUnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1497.58 грн
10+ 1357.14 грн
120+ 997.24 грн
270+ 976.53 грн
510+ 872.32 грн
1020+ 857.14 грн
UF3C065030K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.33 грн
30+ 1036.66 грн
120+ 975.68 грн
510+ 829.8 грн
UF3C065030K4SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC Cascode
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.6 грн
17+ 922.99 грн
44+ 899.06 грн
107+ 846.77 грн
UF3C065030K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1731.85 грн
5+ 1602.56 грн
10+ 1472.5 грн
50+ 1286.81 грн
100+ 1112.84 грн
250+ 964.86 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4622.81 грн
3+ 4442.48 грн
5+ 4127.84 грн
UF3C065030K4SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1591.79 грн
25+ 1384.92 грн
100+ 1043.48 грн
250+ 984.13 грн
600+ 836.44 грн
3000+ 819.18 грн
5400+ 793.65 грн
UF3C065030T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.58 грн
50+ 726.1 грн
UF3C065030T3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1801.13 грн
25+ 1509.52 грн
100+ 1157.35 грн
250+ 1003.45 грн
500+ 848.86 грн
1000+ 804 грн
5000+ 763.97 грн
UF3C065030T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065030T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1731.85 грн
5+ 1602.56 грн
10+ 1472.5 грн
50+ 1286.81 грн
100+ 1112.84 грн
UF3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1623.19 грн
10+ 1470.63 грн
50+ 1278.12 грн
100+ 1079.36 грн
500+ 964.8 грн
1000+ 947.55 грн
2500+ 946.86 грн
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.8 грн
10+ 767.2 грн
100+ 663.51 грн
UF3C065040B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 176
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+908.89 грн
50+ 781.43 грн
100+ 663.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3QorvoMOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+991.14 грн
25+ 966.67 грн
100+ 727.4 грн
250+ 680.47 грн
500+ 663.22 грн
800+ 629.4 грн
2400+ 623.19 грн
UF3C065040B3United Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+558.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065040B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.92 грн
5+ 953.8 грн
10+ 908.89 грн
50+ 781.43 грн
100+ 663.59 грн
UF3C065040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.63 грн
5+ 930.57 грн
10+ 872.51 грн
50+ 747.64 грн
100+ 631.73 грн
250+ 619.13 грн
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3186.54 грн
3+ 3037.8 грн
5+ 2845.06 грн
UF3C065040K3SQorvoMOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+987.12 грн
25+ 894.44 грн
100+ 657 грн
600+ 586.61 грн
UF3C065040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2655.45 грн
3+ 2437.74 грн
5+ 2370.89 грн
UF3C065040K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.48 грн
30+ 717.69 грн
120+ 675.47 грн
510+ 574.48 грн
1020+ 526.93 грн
UF3C065040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065040K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.39 грн
30+ 731.56 грн
120+ 688.53 грн
510+ 585.58 грн
1020+ 537.12 грн
UF3C065040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.41 грн
5+ 1031.21 грн
10+ 952.25 грн
50+ 825.28 грн
100+ 707.38 грн
250+ 603.86 грн
UF3C065040K4SQorvoMOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.38 грн
25+ 976.19 грн
100+ 735.68 грн
250+ 623.19 грн
600+ 590.06 грн
3000+ 577.64 грн
5400+ 560.39 грн
UF3C065040T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.8 грн
50+ 704.97 грн
100+ 663.51 грн
500+ 564.3 грн
1000+ 517.6 грн
UF3C065040T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.73 грн
5+ 994.05 грн
10+ 876.38 грн
50+ 790.06 грн
100+ 706.72 грн
250+ 693.45 грн
UF3C065040T3SQorvoMOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1125.6 грн
25+ 898.41 грн
100+ 734.99 грн
250+ 733.61 грн
500+ 660.45 грн
1000+ 605.93 грн
5000+ 603.17 грн
UF3C065040T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080B3UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.96 грн
10+ 523.02 грн
100+ 376.12 грн
500+ 328.5 грн
800+ 302.28 грн
2400+ 297.45 грн
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.3 грн
10+ 303.23 грн
100+ 261.67 грн
UF3C065080B3QorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.36 грн
25+ 539.68 грн
100+ 394.06 грн
250+ 383.02 грн
500+ 381.64 грн
800+ 312.63 грн
2400+ 294.69 грн
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+476.12 грн
50+ 409.76 грн
100+ 347.72 грн
250+ 313.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+271.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.56 грн
10+ 549.21 грн
100+ 398.21 грн
800+ 316.08 грн
2400+ 296.07 грн
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.32 грн
5+ 527.22 грн
10+ 476.12 грн
50+ 409.76 грн
100+ 347.72 грн
250+ 313.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.88 грн
10+ 510.34 грн
100+ 425.3 грн
UF3C065080B7SQorvoMOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.98 грн
25+ 567.46 грн
100+ 427.88 грн
250+ 362.32 грн
500+ 342.99 грн
2400+ 336.78 грн
4800+ 326.43 грн
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+389.7 грн
1600+ 337.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+784.22 грн
10+ 698.41 грн
100+ 503.11 грн
500+ 438.23 грн
800+ 410.63 грн
2400+ 403.04 грн
UF3C065080K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.8 грн
5+ 560.51 грн
10+ 502.45 грн
50+ 435.64 грн
100+ 373.6 грн
250+ 315.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.17 грн
30+ 303.27 грн
120+ 281.02 грн
UF3C065080K3SQorvoMOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.79 грн
25+ 515.08 грн
100+ 388.54 грн
250+ 328.5 грн
600+ 311.25 грн
3000+ 305.04 грн
5400+ 296.07 грн
UF3C065080K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1830.95 грн
2+ 1620.37 грн
3+ 1570.77 грн
UF3C065080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.15 грн
5+ 578.32 грн
10+ 519.48 грн
50+ 450.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.61 грн
30+ 313.27 грн
120+ 290.27 грн
UF3C065080K4SQorvoMOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.92 грн
25+ 532.54 грн
100+ 400.97 грн
250+ 338.85 грн
600+ 322.29 грн
3000+ 315.39 грн
5400+ 305.73 грн
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2197.14 грн
2+ 2019.23 грн
3+ 1884.92 грн
5+ 1869.39 грн
UF3C065080T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.54 грн
5+ 602.32 грн
10+ 530.32 грн
50+ 463.68 грн
100+ 401.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.3 грн
50+ 282.39 грн
100+ 261.67 грн
UF3C065080T3SUnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.49 грн
10+ 514.29 грн
50+ 446.51 грн
100+ 369.91 грн
500+ 321.6 грн
1000+ 302.28 грн
2500+ 297.45 грн
UF3C065080T3SQorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+648.95 грн
25+ 543.65 грн
100+ 417.53 грн
250+ 361.63 грн
500+ 306.42 грн
1000+ 289.85 грн
5000+ 275.36 грн
UF3C065080T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.64 грн
10+ 590.48 грн
50+ 512.77 грн
100+ 425.12 грн
500+ 369.91 грн
1000+ 347.14 грн
2500+ 341.61 грн
UF3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2432.36 грн
10+ 2211.11 грн
30+ 1641.13 грн
270+ 1489.99 грн
UF3C120040K3SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2447.66 грн
25+ 2129.36 грн
100+ 1604.55 грн
250+ 1358.18 грн
600+ 1285.71 грн
3000+ 1259.49 грн
5400+ 1221.53 грн
UF3C120040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2353.52 грн
5+ 2215.72 грн
10+ 2077.14 грн
50+ 1800.09 грн
100+ 1542.84 грн
UF3C120040K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.11 грн
30+ 1161.1 грн
UF3C120040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120040K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2338.97 грн
10+ 2049.2 грн
30+ 1557.62 грн
270+ 1329.88 грн
UF3C120040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2353.52 грн
5+ 2215.72 грн
10+ 2077.14 грн
50+ 1800.09 грн
100+ 1542.84 грн
UF3C120040K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1854.39 грн
30+ 1480.35 грн
120+ 1387.85 грн
510+ 1111.42 грн
UF3C120040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1233.49 грн
Мінімальне замовлення: 600
UF3C120040K4SQorvoMOSFET 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2447.66 грн
25+ 2129.36 грн
100+ 1604.55 грн
250+ 1358.18 грн
600+ 1285.71 грн
3000+ 1259.49 грн
5400+ 1221.53 грн
UF3C120080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1147.34 грн
10+ 1039.68 грн
100+ 763.97 грн
500+ 681.85 грн
800+ 669.43 грн
UF3C120080B7SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1082.12 грн
25+ 941.27 грн
100+ 709.45 грн
250+ 599.72 грн
500+ 568.67 грн
2400+ 557.63 грн
4800+ 540.37 грн
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.05 грн
10+ 539.31 грн
100+ 513.23 грн
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+532.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.17 грн
30+ 579.71 грн
UF3C120080K3SQorvoMOSFET 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1222.22 грн
25+ 1062.7 грн
100+ 801.24 грн
250+ 677.71 грн
600+ 642.51 грн
3000+ 629.4 грн
5400+ 610.77 грн
UF3C120080K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1351.73 грн
5+ 1296.76 грн
10+ 1241.02 грн
50+ 1062.51 грн
100+ 897.17 грн
250+ 879.92 грн
UF3C120080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120080K4SQorvoMOSFET 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1224.64 грн
25+ 1064.28 грн
100+ 801.93 грн
250+ 679.09 грн
600+ 643.2 грн
3000+ 630.09 грн
5400+ 611.46 грн
UF3C120080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.47 грн
5+ 1103.21 грн
10+ 990.96 грн
50+ 884.95 грн
UF3C120080K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.12 грн
30+ 778.43 грн
120+ 732.65 грн
510+ 623.11 грн
1020+ 571.54 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+361.1 грн
1600+ 312.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.69 грн
10+ 653.17 грн
100+ 469.98 грн
500+ 427.19 грн
800+ 389.23 грн
UF3C120150B7SQorvoMOSFET 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.47 грн
25+ 526.19 грн
100+ 396.82 грн
250+ 335.4 грн
500+ 318.15 грн
2400+ 314.7 грн
9600+ 292.62 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.34 грн
10+ 472.88 грн
100+ 394.09 грн
UF3C120150K3SUnitedSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
товар відсутній
UF3C120150K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.11 грн
30+ 520.55 грн
120+ 465.75 грн
UF3C120150K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+751.73 грн
5+ 685.15 грн
10+ 618.57 грн
50+ 536.29 грн
100+ 459.87 грн
250+ 389.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150K4SQorvoMOSFET 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+714.98 грн
25+ 621.43 грн
100+ 468.6 грн
250+ 396.82 грн
600+ 375.43 грн
3000+ 368.53 грн
5400+ 356.8 грн
UF3C120150K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C120150K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+903.38 грн
10+ 804.76 грн
120+ 579.02 грн
510+ 503.8 грн
1020+ 456.87 грн
2520+ 448.58 грн
UF3C120400B7SQorvoMOSFET 1200V/400mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.26 грн
25+ 362.7 грн
100+ 273.29 грн
250+ 231.19 грн
500+ 219.46 грн
2400+ 214.63 грн
4800+ 207.73 грн
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.71 грн
10+ 355.49 грн
100+ 287.57 грн
UF3C120400B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+265.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400K3SQorvoMOSFET 1200V/400mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.57 грн
25+ 458.73 грн
100+ 345.07 грн
250+ 291.93 грн
600+ 277.43 грн
3000+ 271.22 грн
5400+ 262.94 грн
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120400K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+601.54 грн
5+ 565.93 грн
10+ 529.54 грн
50+ 481.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.42 грн
10+ 642.06 грн
100+ 463.08 грн
600+ 402.35 грн
1200+ 338.85 грн
3000+ 325.74 грн
UF3C120400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.43 грн
30+ 383.62 грн
120+ 343.24 грн
510+ 284.22 грн
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.35 грн
10+ 427.16 грн
100+ 355.96 грн
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+326.16 грн
1600+ 282.67 грн
2400+ 264.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7SQorvoMOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
товар відсутній
UF3C170400B7SUnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
на замовлення 800 шт:
термін постачання 50-59 дні (днів)
1+570.85 грн
10+ 508.73 грн
100+ 365.77 грн
500+ 318.84 грн
1000+ 298.83 грн
2500+ 289.16 грн
UF3C170400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.63 грн
10+ 700.79 грн
100+ 504.49 грн
250+ 439.61 грн
600+ 382.33 грн
1200+ 368.53 грн
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
товар відсутній
UF3C170400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.76 грн
30+ 328.7 грн
120+ 304.57 грн
UF3C170400K3SQorvoMOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.21 грн
25+ 419.05 грн
100+ 337.47 грн
600+ 336.78 грн
10200+ 336.09 грн
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 12x12x3mm
Power consumption: 0.3W
Current rating: 97mA
Fan efficiency: 0.36m3/h
Noise level: 14dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
товар відсутній
UF3C3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товар відсутній
UF3C3-500SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 12x12x3mm
Power consumption: 0.3W
Current rating: 97mA
Fan efficiency: 0.36m3/h
Noise level: 14dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3C3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3C3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3C3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1753.61 грн
UF3C3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3C3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1290.01 грн
10+ 1134.55 грн
25+ 1091.44 грн
50+ 956.89 грн
100+ 882.77 грн
250+ 869.29 грн
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 12x12x3mm
Power consumption: 0.3W
Current rating: 97mA
Fan efficiency: 0.36m3/h
Noise level: 14dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2514.86 грн
10+ 2102.54 грн
50+ 1704.62 грн
UF3C3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 12x12x3mm
Power consumption: 0.3W
Current rating: 97mA
Fan efficiency: 0.36m3/h
Noise level: 14dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2095.72 грн
UF3C3-700SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3C3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2279.17 грн
10+ 2004.25 грн
25+ 1928.14 грн
50+ 1690.42 грн
100+ 1559.49 грн
250+ 1535.67 грн
UF3C3-700BSunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3C3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3C3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1275.08 грн
10+ 1121.39 грн
25+ 1078.82 грн
50+ 945.8 грн
100+ 872.54 грн
250+ 859.22 грн
500+ 838.58 грн
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3D-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3D-R2-00001PanjitRectifiers
товар відсутній
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товар відсутній
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товар відсутній
UF3D_R1_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
14+ 22.94 грн
100+ 12.01 грн
500+ 11.11 грн
800+ 6.9 грн
2400+ 6.63 грн
9600+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.63 грн
100+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3D_R2_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3F3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1685.68 грн
UF3F3-500SunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3F3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1025.76 грн
10+ 965.08 грн
25+ 789.51 грн
50+ 759.83 грн
100+ 699.79 грн
250+ 654.93 грн
500+ 644.58 грн
UF3F3-500BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3F3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3F3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 15x15x3mm
Power consumption: 100mW
Current rating: 36mA
Fan efficiency: 0.53m3/h
Noise level: 20.2dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 2.08mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3F3-700
Код товару: 129707
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товар відсутній
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 15x15x3mm
Power consumption: 100mW
Current rating: 36mA
Fan efficiency: 0.53m3/h
Noise level: 20.2dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 2.08mm H2O
Version: Might&Mini
товар відсутній
UF3F3-700SunonDC Fans Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75 L/min, 0.1W, Vapo, Leads, IP55, MagLev, Mighty Mini
товар відсутній
UF3F3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
товар відсутній
UF3F3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP55
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1252.82 грн
10+ 1153.17 грн
25+ 954.45 грн
50+ 902.69 грн
100+ 830.92 грн
250+ 796.41 грн
500+ 775.02 грн
UF3F3-700-TCSunon FansDescription: Thermal Products
Features: Auto Restart
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-700BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3F3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2171.67 грн
10+ 1909.94 грн
25+ 1837.41 грн
50+ 1610.91 грн
100+ 1486.13 грн
250+ 1463.43 грн
UF3F3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3F3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.89 грн
10+ 1110.46 грн
25+ 1044.37 грн
50+ 942.89 грн
100+ 868.44 грн
250+ 812.61 грн
500+ 787.09 грн
UF3GDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3GDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3GL-5700/22T
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3G_R1_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.45 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3G_R2_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3H3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3H3-500SunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3H3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
на замовлення 942 шт:
термін постачання 231-240 дні (днів)
1+987.92 грн
10+ 929.36 грн
25+ 760.52 грн
50+ 731.54 грн
100+ 674.26 грн
250+ 630.09 грн
500+ 620.43 грн
UF3H3-500BSunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32.0/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3H3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1606.54 грн
10+ 1412.47 грн
25+ 1358.84 грн
50+ 1191.32 грн
UF3H3-500B TCSunonDC Fans Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 16.27 L/min, 0.1W, 32.0/30cm dBA, Vapo, Tach, 3 Wire, IP58
товар відсутній
UF3H3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.97 грн
10+ 847.42 грн
25+ 796.99 грн
50+ 719.55 грн
100+ 662.75 грн
250+ 620.14 грн
UF3H3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.41 грн
10+ 759.14 грн
25+ 713.97 грн
50+ 644.6 грн
100+ 593.71 грн
250+ 555.54 грн
500+ 538.09 грн
UF3H3-700SunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3H3-700 /Sunon
Код товару: 113662
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товар відсутній
UF3H3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3H3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1592.36 грн
10+ 1400.61 грн
25+ 1347.48 грн
50+ 1181.35 грн
100+ 1089.84 грн
250+ 1073.2 грн
500+ 1047.42 грн
UF3H3-700BSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3H3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3H3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1191.47 грн
10+ 1095.22 грн
25+ 1030.08 грн
50+ 929.99 грн
100+ 856.57 грн
250+ 801.5 грн
500+ 776.32 грн
UF3H3-710Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.62 грн
10+ 718.38 грн
30+ 675.63 грн
60+ 609.96 грн
120+ 561.81 грн
270+ 525.69 грн
510+ 509.18 грн
UF3H3-710 V2Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Position Rectangular Connector
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3JDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3JDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3J_R1_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.45 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3J_R2_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3KDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
UF3KDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3K_R1_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.16 грн
13+ 25.87 грн
100+ 16.77 грн
500+ 13.25 грн
800+ 10.14 грн
2400+ 9.25 грн
4800+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.45 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3MDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.19 грн
78+ 4.63 грн
216+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 63
UF3MDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 446 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+7.43 грн
50+ 5.77 грн
216+ 4.67 грн
593+ 4.42 грн
1000+ 4.41 грн
3000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 38
UF3M-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3M-R2-00001PanjitRectifiers SMC/UF/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
12+ 26.1 грн
100+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF3M_R1_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+15.04 грн
1600+ 9.85 грн
2400+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3M_R2_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3N170400B7SUnited Silicon CarbideUF3N170400B7S
товар відсутній
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 13820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.43 грн
10+ 502.07 грн
100+ 418.36 грн
UF3N170400B7SQorvo / UnitedSiCJFET 1700V/400mOhm, SiC, N-ON JFET, G3 Fast, reduced Rth, D2PAK-7L
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+779.39 грн
10+ 693.65 грн
100+ 499.65 грн
500+ 453.42 грн
800+ 438.23 грн
2400+ 430.64 грн
UF3N170400B7SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.18 грн
5+ 737.8 грн
10+ 676.64 грн
50+ 574.39 грн
100+ 480.44 грн
250+ 471.15 грн
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+383.34 грн
1600+ 332.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3N170400B7SUnited Silicon Carbide1700V - 400mW SiC Normally-on JFET
товар відсутній
UF3N170400B7SQorvoMOSFET 1700V/400mOhms,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.71 грн
25+ 558.73 грн
100+ 420.98 грн
250+ 356.11 грн
500+ 337.47 грн
2400+ 331.26 грн
4800+ 320.22 грн
UF3SC065007K4SQorvoMOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6599.83 грн
25+ 6180.95 грн
100+ 5105.58 грн
250+ 4529.33 грн
600+ 4289.16 грн
3000+ 4203.58 грн
5400+ 4075.22 грн
UF3SC065007K4SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC065007K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6597.42 грн
10+ 6178.57 грн
120+ 5146.3 грн
510+ 5053.14 грн
UF3SC065007K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5200.37 грн
30+ 4381.87 грн
120+ 4068.88 грн
UF3SC065007K4SQORVODescription: QORVO - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6345.99 грн
5+ 6188.06 грн
10+ 6029.35 грн
50+ 5318.32 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.32 грн
10+ 1038.72 грн
100+ 898.3 грн
UF3SC065030B7SQorvoMOSFET 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+966.99 грн
100+ 907.14 грн
800+ 788.13 грн
2400+ 779.85 грн
4800+ 766.04 грн
9600+ 746.72 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+845.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065030B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1605.47 грн
10+ 1454.76 грн
100+ 1068.32 грн
500+ 952.38 грн
800+ 934.44 грн
UF3SC065030B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товар відсутній
UF3SC065030D8SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 18A 5-Pin DFN
товар відсутній
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товар відсутній
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.67 грн
10+ 518.1 грн
100+ 493.04 грн
UF3SC065040B7SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.63 грн
5+ 959.21 грн
10+ 881.8 грн
50+ 764.18 грн
100+ 654.96 грн
250+ 554.76 грн
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+512 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065040B7SQorvoMOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1039.45 грн
25+ 903.97 грн
100+ 681.16 грн
250+ 576.95 грн
500+ 546.58 грн
2400+ 534.85 грн
4800+ 519.67 грн
UF3SC065040D8SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3SC065040D8SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3SC065040D8SUnitedSiCMOSFET 650V/40mOhm SiC STACKED FAST CASCODE G3 DFN8 REDUCED Rth
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3SC120009K4SQorvoMOSFET 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6930.75 грн
25+ 6188.88 грн
100+ 4824.7 грн
250+ 4593.51 грн
3000+ 4501.03 грн
5400+ 4363.69 грн
10200+ 4227.05 грн
UF3SC120009K4SQORVODescription: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6664.18 грн
5+ 6350.64 грн
10+ 6037.09 грн
50+ 5025.73 грн
UF3SC120009K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4306.76 грн
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
товар відсутній
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4315.55 грн
UF3SC120016K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3401.96 грн
30+ 2745.11 грн
120+ 2562.12 грн
UF3SC120016K3SQorvoMOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4231.88 грн
25+ 3496.03 грн
100+ 2836.44 грн
250+ 2812.97 грн
600+ 2774.32 грн
1200+ 2772.94 грн
3000+ 2765.35 грн
UF3SC120016K3SUnited Silicon Carbide1200V 16mOhm SiC MOSFETs
товар відсутній
UF3SC120016K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4539.45 грн
10+ 4175.39 грн
120+ 3158.73 грн
510+ 3104.21 грн
5010+ 3103.52 грн
UF3SC120016K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 107
Verlustleistung Pd: 517
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 517
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3856.99 грн
5+ 3685.89 грн
10+ 3514.8 грн
50+ 2900.7 грн
UF3SC120016K4SQORVODescription: QORVO - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4317.63 грн
5+ 4119.44 грн
10+ 3921.25 грн
50+ 3281 грн
UF3SC120016K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2707.68 грн
UF3SC120016K4SQorvoMOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4490.33 грн
25+ 4019.84 грн
100+ 3149.76 грн
250+ 2992.41 грн
600+ 2887.51 грн
UF3SC120016K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1722.26 грн
10+ 1473.64 грн
100+ 1288.95 грн
UF3SC120040B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2203.7 грн
10+ 2003.97 грн
100+ 1487.92 грн
500+ 1449.96 грн
800+ 1423.74 грн
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1142.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC120040B7SQorvoMOSFET 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2242.35 грн
25+ 1950 грн
100+ 1469.98 грн
250+ 1242.92 грн
500+ 1177.36 грн
2400+ 1154.59 грн
4800+ 1119.39 грн
UF3SC120040B7SUnited Silicon Carbide1200V-35mW SiC FET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1431.76 грн
12+ 1301.28 грн
31+ 1250.09 грн
75+ 1150.87 грн
UF3SC120040B7SQORVODescription: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2118.94 грн
5+ 2036.88 грн
10+ 1954.82 грн
50+ 1682.91 грн
100+ 1430.69 грн
UF3SC170400B7SUnited Silicon CarbideUF3SC170400B7S
товар відсутній