Продукція > YJG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
YJG100N04AYangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG100N04AYangjie TechnologyDescription: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.2 грн
25000+ 19.34 грн
50000+ 18.19 грн
100000+ 15.99 грн
200000+ 14.37 грн
500000+ 13.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG105N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.57 грн
25000+ 15.98 грн
50000+ 15.04 грн
100000+ 13.22 грн
200000+ 11.9 грн
500000+ 11.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG150N03AYangjie TechnologyDescription: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.95 грн
25000+ 19.99 грн
50000+ 18.83 грн
100000+ 16.53 грн
200000+ 14.91 грн
500000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG15GP10AYangjie TechnologyDescription: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.38 грн
25000+ 18.55 грн
50000+ 17.47 грн
100000+ 15.38 грн
200000+ 13.83 грн
500000+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG15N15BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJG15N15BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJG15N15B-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L
товар відсутній
YJG15N15B-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L
товар відсутній
YJG20N06AYangjie TechnologyDescription: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.6 грн
25000+ 9.63 грн
50000+ 9.06 грн
100000+ 8.03 грн
200000+ 7.22 грн
500000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG30N06AYangjie TechnologyDescription: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.74 грн
25000+ 12.51 грн
50000+ 11.79 грн
100000+ 10.32 грн
200000+ 9.31 грн
500000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG30N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V
товар відсутній
YJG30N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V
товар відсутній
YJG30N06A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJG30N06A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJG40G10AYangjie TechnologyDescription: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.96 грн
25000+ 17.25 грн
50000+ 16.25 грн
100000+ 14.3 грн
200000+ 12.82 грн
500000+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40G10AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.48 грн
25000+ 34.08 грн
50000+ 32.06 грн
100000+ 28.2 грн
200000+ 25.37 грн
500000+ 23.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40N03AYangjie TechnologyDescription: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.05 грн
25000+ 10.06 грн
50000+ 9.42 грн
100000+ 8.3 грн
200000+ 7.49 грн
500000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40P03AYangjie TechnologyDescription: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.17 грн
25000+ 12.03 грн
50000+ 11.3 грн
100000+ 9.93 грн
200000+ 8.94 грн
500000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG50N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V
товар відсутній
YJG50N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V
товар відсутній
YJG50N03A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJG50N03A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJG50N03BYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.47 грн
25000+ 11.36 грн
50000+ 10.71 грн
100000+ 9.38 грн
200000+ 8.43 грн
500000+ 7.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG53G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJG53G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJG53G06A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJG53G06A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJG60G10A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
товар відсутній
YJG60G10A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
товар відсутній
YJG70G06AYANGJIE TECHNOLOGYYJG70G06A-YAN SMD N channel transistors
товар відсутній
YJG80G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.52 грн
12+ 31.42 грн
25+ 28.25 грн
40+ 21.14 грн
108+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
YJG80G06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.22 грн
7+ 39.15 грн
25+ 33.9 грн
40+ 25.36 грн
108+ 23.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
YJG95G06A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJG95G06A-F1-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L-
товар відсутній
YJGD20G10AYangjie TechnologyDescription: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.71 грн
25000+ 32.52 грн
50000+ 30.58 грн
100000+ 26.87 грн
200000+ 24.21 грн
500000+ 22.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000