Продукція > IPN

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN102

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2022.1 грн

IPN103

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2888.71 грн

IPN104

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN10EL-S

Gate Drivers MOSFET

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPN10ELSXUMA1

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

на замовлення 237500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

473+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 473

IPN10ELSXUMA1

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

товар відсутній

IPN10ELSXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP

товар відсутній

IPN2120A

INPROVOMM

TQFP128

на замовлення 17290 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN2220

INPROCOMM

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN50R1K4CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.22 грн
11+	30.48 грн
100+	19.23 грн
500+	15.56 грн
1000+	13.02 грн
3000+	11.15 грн
9000+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN50R1K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm

на замовлення 2759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	29.73 грн
50+	24.86 грн
100+	20 грн
500+	13.28 грн
1500+	12 грн

Мінімальне замовлення: 26

IPN50R1K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R1K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

на замовлення 17309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.44 грн
10+	33.31 грн
100+	23.18 грн
500+	16.99 грн
1000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R1K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R1K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.66 грн
6000+	12.48 грн
9000+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm

на замовлення 2759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20 грн
500+	13.28 грн
1500+	12 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm

на замовлення 3172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.94 грн
500+	15.99 грн
1000+	10.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R2K0CEATMA1

на замовлення 3172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.17 грн
23+	32.73 грн
100+	21.94 грн
500+	15.99 грн
1000+	10.4 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 2680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

373+	31.43 грн
408+	28.75 грн
409+	28.64 грн
503+	22.45 грн
1000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 373

IPN50R2K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

на замовлення 4835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.5 грн
11+	27.12 грн
100+	18.82 грн
500+	13.79 грн
1000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN50R2K0CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.52 грн
11+	29.79 грн
100+	18.09 грн
500+	14.22 грн
1000+	11.55 грн
3000+	9.61 грн
9000+	9.08 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

товар відсутній

IPN50R2K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R3K0CE

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R3K0CE

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm

на замовлення 7690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.9 грн
500+	10.57 грн
1500+	9.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R3K0CEATMA1
Код товару: 193023

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 12067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.89 грн
12+	23.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN50R3K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

на замовлення 7690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.76 грн
50+	23.37 грн
100+	17.9 грн
500+	10.57 грн
1500+	9.56 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPN50R3K0CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.72 грн
6000+	8.88 грн
9000+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R3K0CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 4057 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.16 грн
12+	26.33 грн
100+	15.96 грн
500+	12.48 грн
1000+	10.15 грн
3000+	8.55 грн
9000+	7.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN50R3K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	21.97 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN50R650CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN50R650CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 961-970 дні (днів)

6+	52.57 грн
10+	45.99 грн
100+	31.78 грн
500+	26.77 грн
1000+	22.23 грн
3000+	21.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN50R650CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.98 грн
16+	48.68 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN50R800CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm

на замовлення 3138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.95 грн
25+	30.03 грн
100+	20.82 грн
500+	17.25 грн
1000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 21

IPN50R800CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.61 грн
10+	48.06 грн
100+	32.05 грн
500+	25.37 грн
1000+	20.3 грн
3000+	18.36 грн
6000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN50R800CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.68 грн
6000+	14.31 грн
9000+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R800CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	35.61 грн
25+	32.13 грн
26+	31.09 грн
72+	29.42 грн
500+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R800CEATMA1

на замовлення 2906 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	57.52 грн
6+	44.37 грн
25+	38.55 грн
26+	37.3 грн
72+	35.3 грн
500+	33.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN50R800CEATMA1

на замовлення 3138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.82 грн
500+	17.25 грн
1000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R800CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 15140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.89 грн
10+	34.42 грн
100+	23.85 грн
500+	18.7 грн
1000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R800CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.77 грн
14+	43.64 грн
25+	42.14 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN50R950CE

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	30.56 грн
25+	26.43 грн
50+	19.53 грн
137+	18.44 грн
3000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.33 грн
50+	27.49 грн
100+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPN50R950CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.44 грн
10+	32.89 грн
100+	22.88 грн
500+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R950CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.98 грн
10+	30.86 грн
100+	19.49 грн
500+	15.36 грн
1000+	13.35 грн
3000+	11.95 грн
9000+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R950CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R950CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	25.46 грн
25+	21.21 грн
50+	16.27 грн
137+	15.37 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN5320

INPROCOMM

04+

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN5330

INPROCOMM

на замовлення 79 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.49 грн
500+	21.42 грн
1000+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 14950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.58 грн
6000+	15.13 грн
9000+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.54 грн
6000+	18.37 грн
15000+	17.76 грн
30000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.68 грн
13+	25.41 грн
100+	18.09 грн
500+	16.49 грн
1000+	14.62 грн
3000+	13.95 грн
9000+	13.69 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN60R1K0CEATMA1

на замовлення 1154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.4 грн
18+	43.89 грн
100+	27.49 грн
500+	21.42 грн
1000+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.33 грн
17+	36.17 грн
25+	35.81 грн
100+	29.18 грн
250+	26.9 грн
500+	21.6 грн
1000+	18.04 грн
3000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

277+	42.35 грн

Мінімальне замовлення: 277

IPN60R1K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 14950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.05 грн
10+	36.37 грн
100+	25.21 грн
500+	19.77 грн
1000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.96 грн
6000+	18.77 грн
15000+	18.15 грн
30000+	17.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.2 грн
500+	26.43 грн
1000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R1K0PFD7SATMA1

RECP ASSY

товар відсутній

IPN60R1K0PFD7SATMA1

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.47 грн
17+	45.98 грн
100+	35.2 грн
500+	26.43 грн
1000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN60R1K0PFD7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 13112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.89 грн
10+	41 грн
100+	27.24 грн
500+	22.77 грн
1000+	19.36 грн
3000+	16.76 грн
6000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R1K5CE

Infineon technologies

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	22.04 грн
29+	20.38 грн
30+	19.85 грн
100+	17.2 грн
250+	15.77 грн
500+	13.74 грн
1000+	12.29 грн
3000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPN60R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 5851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.33 грн
10+	35.47 грн
100+	24.66 грн
500+	18.07 грн
1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

548+	21.37 грн
610+	19.21 грн
616+	19.03 грн
678+	16.65 грн
1000+	13.79 грн
3000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 548

IPN60R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 20625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.57 грн
500+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.23 грн
6000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.34 грн
11+	28.18 грн
100+	19.09 грн
500+	16.02 грн
1000+	13.62 грн
3000+	11.75 грн
24000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN60R1K5CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.18 грн
6000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

на замовлення 20625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.18 грн
30+	25.24 грн
100+	18.57 грн
500+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPN60R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

622+	18.82 грн

Мінімальне замовлення: 622

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K5PFD7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.34 грн
10+	38.46 грн
100+	24.3 грн
500+	20.23 грн
1000+	17.29 грн
3000+	15.09 грн
6000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	51.59 грн
340+	34.42 грн
365+	32.08 грн
366+	30.84 грн
500+	24.03 грн
1000+	21.82 грн
2000+	21.73 грн
3000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 227

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.05 грн
10+	36.79 грн
100+	25.48 грн
500+	19.98 грн
1000+	17 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.82 грн
22+	35.2 грн
100+	21.79 грн
500+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K5PFD7SATMA1

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.79 грн
500+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R2K0PFD7S

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN60R2K0PFD7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 352-361 дні (днів)

8+	44.16 грн
10+	37.93 грн
100+	22.83 грн
500+	19.09 грн
1000+	16.29 грн
3000+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	80.76 грн
298+	39.39 грн
325+	36.1 грн
326+	34.62 грн
500+	26.11 грн
1000+	23.44 грн
3000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 145

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

на замовлення 15430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.44 грн
10+	34.08 грн
100+	23.6 грн
500+	18.5 грн
1000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R2K0PFD7SATMA1

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.61 грн
19+	40.97 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.52 грн
6000+	14.16 грн
9000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K1CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R2K1CE

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.64 грн
500+	18.01 грн
1000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R2K1CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.28 грн
10+	33.86 грн
100+	20.83 грн
500+	16.36 грн
1000+	12.95 грн
3000+	11.02 грн
9000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.96 грн
21+	36.7 грн
100+	24.64 грн
500+	18.01 грн
1000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPN60R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 6919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.89 грн
10+	53.51 грн
100+	36.18 грн
500+	30.64 грн
1000+	24.97 грн
3000+	23.5 грн
6000+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.16 грн
6000+	68.49 грн
12000+	67.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360P7SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1
Код товару: 133578

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.69 грн
6000+	67.03 грн
12000+	66.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.6 грн
6000+	27.15 грн
9000+	25.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.36 грн
500+	48.54 грн
1000+	35.43 грн
3000+	30.17 грн
6000+	29.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	106.18 грн
10+	91.62 грн
25+	88.99 грн
100+	70.14 грн
250+	63.69 грн
500+	49.22 грн
1000+	39.86 грн
3000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

товар відсутній

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

1+	534.91 грн

IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

товар відсутній

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	267.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPN60R360PFD7SATMA1

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.1 грн
10+	85.38 грн
100+	63.36 грн
500+	48.54 грн
1000+	35.43 грн
3000+	30.17 грн
6000+	29.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R360PFD7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 4828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.5 грн
10+	61.73 грн
100+	42.39 грн
500+	35.92 грн
1000+	27.84 грн
3000+	27.11 грн
6000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R360PFD7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

на замовлення 13404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.5 грн
10+	56.4 грн
100+	43.86 грн
500+	34.89 грн
1000+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R360PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	98.67 грн
123+	95.83 грн
150+	78.33 грн
250+	74.08 грн
500+	55.21 грн
1000+	42.93 грн
3000+	38.91 грн

Мінімальне замовлення: 119

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 47 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	34.46 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPN60R3K4CE

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R3K4CE

Infineon technologies

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 20307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.52 грн
11+	29.71 грн
100+	17.96 грн
500+	14.02 грн
1000+	11.42 грн
3000+	9.61 грн
9000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN60R3K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.08 грн
6000+	10.13 грн
9000+	9.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R3K4CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm

на замовлення 6336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.64 грн
500+	12.24 грн
1500+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R3K4CEATMA1

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1
Код товару: 143229

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	41.98 грн

Мінімальне замовлення: 279

IPN60R3K4CEATMA1

на замовлення 6336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	32.95 грн
50+	27.34 грн
100+	21.64 грн
500+	12.24 грн
1500+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

на замовлення 22634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.22 грн
11+	27.12 грн
100+	18.81 грн
500+	13.78 грн
1000+	11.2 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN60R3K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R600P7S

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R600P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.43 грн
10+	49.98 грн
100+	29.64 грн
500+	24.77 грн
1000+	21.03 грн
3000+	18.76 грн
6000+	17.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN60R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPN60R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

на замовлення 2193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.46 грн
500+	33.94 грн
1000+	25.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	57.59 грн
239+	49.04 грн
279+	41.98 грн
295+	38.36 грн
500+	33.3 грн
1000+	30.01 грн
3000+	27.53 грн
6000+	26.34 грн

Мінімальне замовлення: 204

IPN60R600P7SATMA1

на замовлення 2193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.64 грн
12+	64.11 грн
100+	45.46 грн
500+	33.94 грн
1000+	25.1 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN60R600P7SATMA1

товар відсутній

IPN60R600PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.13 грн
500+	37.76 грн
1000+	26.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R600PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.66 грн
10+	50.35 грн
100+	34.85 грн
500+	27.33 грн
1000+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R600PFD7SATMA1

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

товар відсутній

IPN60R600PFD7SATMA1

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.92 грн
6000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R600PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.1 грн
12+	62.98 грн
100+	49.13 грн
500+	37.76 грн
1000+	26.7 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN60R600PFD7SATMA1

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

товар відсутній

IPN60R600PFD7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 2790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.25 грн
10+	50.13 грн
100+	31.51 грн
500+	26.7 грн
1000+	23.17 грн
3000+	20.56 грн
6000+	20.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN65R1K5CE

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN65R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN65R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.23 грн
18+	42.16 грн
100+	26.59 грн
500+	19.26 грн
1000+	13.16 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN65R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN65R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN65R1K5CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 1973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.52 грн
10+	42.46 грн
100+	25.24 грн
500+	21.03 грн
1000+	17.89 грн
3000+	16.22 грн
6000+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN65R1K5CEATMA1

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.59 грн
500+	19.26 грн
1000+	13.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R1K0CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN70R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K0CEATMA1

товар відсутній

IPN70R1K0CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K0CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

499+	23.49 грн
587+	19.95 грн
599+	19.56 грн
648+	17.44 грн
1000+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 499

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.61 грн
21+	37.15 грн
100+	25.69 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.34 грн
3000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPN70R1K2P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 3934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.4 грн
10+	33.01 грн
100+	20.36 грн
500+	17.29 грн
1000+	13.82 грн
3000+	13.69 грн
6000+	12.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.69 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.34 грн
3000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	56.75 грн
248+	47.19 грн
295+	39.78 грн
321+	35.17 грн
500+	30.56 грн
1000+	22.99 грн
2000+	21.9 грн
3000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 207

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.72 грн
10+	33.1 грн
100+	22.91 грн
500+	17.97 грн
1000+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	23.32 грн
27+	21.81 грн
100+	17.86 грн
250+	16.21 грн
500+	14.39 грн
1000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPN70R1K4P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.74 грн
500+	18.5 грн
1000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R1K4P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.3 грн
6000+	13.07 грн
9000+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K4P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K4P7SATMA1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R1K4P7SATMA1

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.47 грн
22+	34.3 грн
100+	23.74 грн
500+	18.5 грн
1000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPN70R1K4P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.64 грн
10+	38.31 грн
100+	23.23 грн
500+	18.16 грн
1000+	14.69 грн
3000+	12.42 грн
9000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

на замовлення 10788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.61 грн
10+	34.91 грн
100+	24.28 грн
500+	17.79 грн
1000+	14.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R1K5CE

Infineon technologies

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R1K5CE

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.94 грн
100+	24.84 грн
500+	21.36 грн
1000+	18.16 грн
3000+	16.29 грн
6000+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN70R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 10566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.43 грн
500+	22.81 грн
1000+	15.66 грн
5000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN70R1K5CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	26.24 грн
465+	25.19 грн
500+	24.28 грн
1000+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 446

IPN70R1K5CEATMA1

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

на замовлення 10566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.92 грн
17+	46.73 грн
100+	29.43 грн
500+	22.81 грн
1000+	15.66 грн
5000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPN70R1K5CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R2K0P7S

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.21 грн
20+	38.34 грн
100+	24.12 грн
500+	17.46 грн
1000+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 17

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.08 грн
6000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.61 грн
17+	34.72 грн
25+	34.33 грн
100+	23.76 грн
250+	21.76 грн
500+	15.78 грн
1000+	13.54 грн
3000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN70R2K0P7SATMA1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R2K0P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.98 грн
10+	35.47 грн
100+	21.43 грн
500+	16.76 грн
1000+	13.69 грн
3000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 844

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.12 грн
500+	17.46 грн
1000+	13.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

на замовлення 8598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39 грн
10+	31.92 грн
100+	22.21 грн
500+	16.27 грн
1000+	13.23 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R2K0P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R2K1CEATMA1

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN70R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R2K1CEATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R2K1CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R360P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.99 грн
13+	57.67 грн
100+	41.27 грн
500+	32.48 грн
1000+	24.33 грн
5000+	21.7 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.9 грн
11+	54.24 грн
25+	53.7 грн
100+	40.94 грн
250+	37.52 грн
500+	29.43 грн
1000+	23.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	58.41 грн
203+	57.83 грн
256+	45.72 грн
259+	43.64 грн
500+	33.01 грн
1000+	25.62 грн

Мінімальне замовлення: 201

IPN70R360P7SATMA1

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 5279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.71 грн
10+	51.67 грн
100+	35.38 грн
500+	30.11 грн
1000+	24.5 грн
3000+	23.83 грн
6000+	22.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R360P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

на замовлення 3733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.11 грн
10+	48.89 грн
100+	38.03 грн
500+	30.25 грн
1000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R360P7SATMA1

на замовлення 6562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.27 грн
500+	32.48 грн
1000+	24.33 грн
5000+	21.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R360P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.13 грн
12+	67.63 грн
100+	48.9 грн
500+	37.55 грн
1000+	27.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R450P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.85 грн
10+	58.58 грн
100+	35.25 грн
500+	29.51 грн
1000+	25.1 грн
3000+	22.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R450P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.9 грн
500+	37.55 грн
1000+	27.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	75.69 грн
182+	64.45 грн
212+	55.2 грн
224+	50.44 грн
500+	43.69 грн
1000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 155

IPN70R450P7SATMA1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.94 грн
16+	37.16 грн
25+	37.1 грн
100+	30.36 грн
250+	27 грн
500+	24.42 грн
1000+	22.17 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN70R450P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	39.96 грн
346+	33.9 грн
360+	31.4 грн
500+	27.39 грн
1000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 293

IPN70R450P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65 грн
10+	53.97 грн
100+	37.37 грн
500+	29.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.89 грн
10+	45.34 грн
100+	31.4 грн
500+	24.63 грн
1000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN70R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

на замовлення 6640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.42 грн
500+	27.47 грн
1000+	18.68 грн
5000+	18.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.92 грн
50+	44.64 грн
100+	35.35 грн
500+	23.37 грн
1500+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPN70R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 5870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.95 грн
10+	47.68 грн
100+	30.31 грн
500+	25.3 грн
1000+	21.56 грн
3000+	18.49 грн
6000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN70R750P7S

Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R750P7SATMA1
Код товару: 193676

товар відсутній

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	93.99 грн
256+	45.85 грн
279+	41.98 грн
281+	40.28 грн
500+	30.37 грн
1000+	27.28 грн
3000+	25.58 грн

Мінімальне замовлення: 125

IPN70R750P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.07 грн
6000+	16.49 грн
9000+	15.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.75 грн
22+	26.87 грн
25+	26.35 грн
100+	22.1 грн
250+	20.34 грн
500+	17.91 грн
1000+	14.7 грн

Мінімальне замовлення: 21

IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.21 грн
500+	22.88 грн
1000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R750P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 13522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.1 грн
10+	33.7 грн
100+	22.37 грн
500+	19.56 грн
1000+	16.56 грн
3000+	15.89 грн
6000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.15 грн
17+	44.64 грн
100+	29.21 грн
500+	22.88 грн
1000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPN70R750P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

на замовлення 14189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.66 грн
10+	39.71 грн
100+	27.48 грн
500+	21.55 грн
1000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

413+	28.38 грн
475+	24.68 грн
477+	24.53 грн
521+	21.69 грн
1000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 413

IPN70R750P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R900P7S

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.61 грн
10+	35.47 грн
100+	24.54 грн
500+	19.25 грн
1000+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R900P7SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R900P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.9 грн
500+	23.92 грн
1000+	17.65 грн
3000+	15.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R900P7SATMA1

MOSFET CONSUMER

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.64 грн
10+	39.39 грн
100+	23.7 грн
500+	19.83 грн
1000+	16.82 грн
3000+	15.02 грн
6000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R900P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

на замовлення 3007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.53 грн
19+	41.57 грн
100+	31.9 грн
500+	23.92 грн
1000+	17.65 грн
3000+	15.86 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPN80R1K2P7

MOSFET LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPN80R1K2P7
Код товару: 144481

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	94.58 грн
137+	85.93 грн
163+	72.11 грн
200+	65.8 грн
500+	54.7 грн
1000+	44.16 грн
3000+	39.47 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.13 грн
12+	64.26 грн
100+	47.03 грн
500+	37 грн
1000+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN80R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

на замовлення 5962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.77 грн
10+	55.77 грн
100+	43.39 грн
500+	34.52 грн
1000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R1K2P7ATMA1

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.03 грн
500+	37 грн
1000+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R1K2P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 2968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.1 грн
10+	60.96 грн
100+	41.93 грн
500+	35.52 грн
1000+	28.91 грн
3000+	27.24 грн
6000+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R1K2P7ATMA1

товар відсутній

IPN80R1K4P7

Rochester Electronics, LLC

Infineon LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPN80R1K4P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 1931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.11 грн
10+	48.82 грн
100+	37.94 грн
500+	30.18 грн
1000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R1K4P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 15905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.49 грн
10+	53.44 грн
100+	35.78 грн
500+	30.38 грн
1000+	25.5 грн
3000+	24.3 грн
6000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1
Код товару: 148097

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.12 грн
10+	77.14 грн
100+	57.29 грн
500+	44.02 грн
1000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN80R1K4P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	83.55 грн
165+	71.11 грн
192+	60.97 грн
203+	55.72 грн
500+	48.22 грн
1000+	43.47 грн
3000+	39.9 грн

Мінімальне замовлення: 141

IPN80R1K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	60.02 грн
12+	50.97 грн
25+	50.45 грн
100+	39.16 грн
250+	34.96 грн
500+	28.56 грн
1000+	25.21 грн
3000+	24.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	54.89 грн
216+	54.33 грн
268+	43.74 грн
278+	40.67 грн
500+	32.04 грн
1000+	27.15 грн
3000+	26 грн

Мінімальне замовлення: 214

IPN80R1K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R1K4P7ATMA1

на замовлення 4893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.29 грн
500+	44.02 грн
1000+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.98 грн
500+	38.04 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

P7 Power Transistor

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.63 грн
12+	67.78 грн
100+	48.98 грн
500+	38.04 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN80R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.37 грн
10+	53.28 грн
100+	35.05 грн
500+	29.24 грн
1000+	24.9 грн
3000+	22.57 грн
6000+	20.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.43 грн
10+	52.44 грн
100+	31.11 грн
500+	25.97 грн
1000+	22.1 грн
3000+	19.96 грн
6000+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm

на замовлення 2454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.9 грн
500+	27.05 грн
1000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

на замовлення 11665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.61 грн
10+	46.04 грн
100+	31.88 грн
500+	25 грн
1000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.34 грн
205+	57.29 грн
239+	49.14 грн
252+	44.88 грн
500+	38.9 грн
1000+	35.04 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPN80R2K4P7ATMA1

на замовлення 2454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.31 грн
15+	52.05 грн
100+	34.9 грн
500+	27.05 грн
1000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.97 грн
6000+	19.13 грн
9000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R2K4P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.82 грн
6000+	17.17 грн
9000+	15.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

на замовлення 11402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.11 грн
10+	41.38 грн
100+	28.62 грн
500+	22.44 грн
1000+	19.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R3K3P7ATMA1

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 189-198 дні (днів)

6+	52.89 грн
10+	46.6 грн
100+	27.64 грн
500+	23.1 грн
1000+	19.63 грн
3000+	17.83 грн
6000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	109.64 грн
6+	48.36 грн
20+	41.64 грн
29+	34.08 грн
78+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN80R4K5P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	42.17 грн
304+	38.59 грн
305+	38.39 грн
500+	30.11 грн
1000+	26.11 грн
3000+	23.53 грн

Мінімальне замовлення: 278

IPN80R4K5P7ATMA1

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	91.37 грн
9+	38.8 грн
20+	34.7 грн
29+	28.4 грн
78+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R4K5P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 11960 шт:

термін постачання 547-556 дні (днів)

7+	49.23 грн
10+	42.15 грн
100+	25.37 грн
500+	21.16 грн
1000+	18.09 грн
3000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN80R4K5P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.77 грн
500+	29.97 грн
1000+	22.15 грн
3000+	19.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.61 грн
6000+	17.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

на замовлення 5293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.78 грн
10+	37.55 грн
100+	25.96 грн
500+	20.36 грн
1000+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.49 грн
6000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.75 грн
14+	56.69 грн
100+	39.77 грн
500+	29.97 грн
1000+	22.15 грн
3000+	19.58 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN80R600P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.17 грн
10+	96.74 грн
100+	65.23 грн
500+	55.55 грн
1000+	45.26 грн
3000+	42.59 грн
6000+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN80R600P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.79 грн
10+	115.33 грн
100+	91.37 грн
500+	69.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R600P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	83.55 грн
155+	75.96 грн
156+	75.19 грн
177+	64.05 грн
250+	58.71 грн
500+	51.69 грн

Мінімальне замовлення: 141

IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.37 грн
500+	69.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R600P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

на замовлення 2894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.94 грн
10+	88.46 грн
100+	68.81 грн
500+	54.73 грн
1000+	44.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.59 грн
10+	70.53 грн
25+	69.82 грн
100+	59.48 грн
250+	54.52 грн
500+	48 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN80R750P7

MOSFET LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	92.65 грн
10+	78.14 грн
25+	77.36 грн
100+	60.09 грн
250+	55.08 грн
500+	45.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN80R750P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.25 грн
10+	82.15 грн
100+	55.88 грн
500+	47.4 грн
1000+	38.59 грн
3000+	36.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	84.16 грн
141+	83.31 грн
175+	67.11 грн
250+	64.07 грн
500+	51.53 грн

Мінімальне замовлення: 140

IPN80R900P7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	85.33 грн
151+	77.68 грн
185+	63.26 грн
200+	57.06 грн
1000+	46.8 грн
2000+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 138

IPN80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.82 грн
10+	103.35 грн
100+	77.14 грн
500+	59.25 грн
1000+	43.14 грн
5000+	42.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R900P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

на замовлення 5760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.33 грн
10+	64.54 грн
100+	50.18 грн
500+	39.91 грн
1000+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R900P7ATMA1

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R900P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 18880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.79 грн
10+	70.56 грн
100+	48.47 грн
500+	41.12 грн
1000+	33.45 грн
3000+	31.24 грн
6000+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN80R900P7ATMA1

P7 Power Transistor

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.14 грн
500+	59.25 грн
1000+	43.14 грн
5000+	42.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R900P7ATMA1

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.05 грн
10+	102.88 грн
100+	69.43 грн
500+	56.21 грн
1000+	44.33 грн
3000+	40.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN95R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

на замовлення 5868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.22 грн
10+	66.97 грн
100+	52.04 грн
500+	41.39 грн
1000+	33.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN95R1K2P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R2K0P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.9 грн
10+	75.32 грн
100+	50.81 грн
500+	41.99 грн
1000+	33.18 грн
3000+	29.31 грн
9000+	28.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN95R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.17 грн
500+	43.05 грн
1000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN95R2K0P7ATMA1

IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPN95R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.35 грн
6000+	25.08 грн
9000+	23.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R2K0P7ATMA1

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.39 грн
11+	72.12 грн
100+	56.17 грн
500+	43.05 грн
1000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN95R2K0P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.57 грн
11+	52.97 грн
25+	52.44 грн
50+	50.06 грн
100+	35.06 грн
250+	32.44 грн
500+	28.45 грн
1000+	24 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN95R2K0P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

на замовлення 23606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.72 грн
10+	52.09 грн
100+	40.52 грн
500+	32.23 грн
1000+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN95R3K7P7ATMA1

950V Power Transistor

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	52.21 грн
13+	44.61 грн
25+	43.79 грн
100+	26.76 грн
250+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN95R3K7P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.63 грн
500+	36.51 грн
1000+	26.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN95R3K7P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN95R3K7P7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.85 грн
10+	55.28 грн
100+	37.39 грн
500+	31.71 грн
1000+	25.84 грн
3000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN95R3K7P7ATMA1

950V Power Transistor

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R3K7P7ATMA1

на замовлення 1595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.39 грн
12+	65.98 грн
100+	47.63 грн
500+	36.51 грн
1000+	26.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN95R3K7P7ATMA1

950V Power Transistor

товар відсутній

IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPN95R3K7P7ATMA1