Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R360P7SATMA1
IPN70R360P7SATMA1

IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPN70R360P7SATMA1 за ціною від 21.93 грн до 74.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2718780.pdf Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.71 грн
500+ 32.83 грн
1000+ 24.59 грн
5000+ 21.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+58.41 грн
203+ 57.83 грн
256+ 45.72 грн
259+ 43.64 грн
500+ 33.01 грн
1000+ 25.62 грн
Мінімальне замовлення: 201
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN70R360P7S_DS_v02_02_EN-1709872.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.49 грн
10+ 50.37 грн
100+ 34.82 грн
500+ 30.03 грн
1000+ 24.77 грн
3000+ 24.09 грн
6000+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.51 грн
10+ 50.12 грн
100+ 38.98 грн
500+ 31 грн
1000+ 25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+65.9 грн
11+ 54.24 грн
25+ 53.7 грн
100+ 40.94 грн
250+ 37.52 грн
500+ 29.43 грн
1000+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2718780.pdf Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.8 грн
13+ 58.29 грн
100+ 41.71 грн
500+ 32.83 грн
1000+ 24.59 грн
5000+ 21.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній