Продукція > IPP

RF HYBRID COUPLER

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	26940.06 грн

IPP-2014

Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	5210.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2031

IPP-2031

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	4789.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2254

IPP-2254

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19306.98 грн

IPP-3175

Directional Couplers With Connectors

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	105888.06 грн

IPP-7006

100W SMD coupler operating in the frequency range 2000 - 6000 MH, Ins. loss:

на замовлення 40 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	2674.56 грн

IPP011N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.92 грн
10+	209.6 грн
25+	172.24 грн
100+	147.54 грн
250+	139.53 грн
500+	131.52 грн
1000+	110.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.6 грн
10+	196.97 грн
100+	159.52 грн
500+	139.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	140.74 грн

Мінімальне замовлення: 84

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	81.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.54 грн
50+	177.78 грн
100+	152.38 грн
500+	127.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	143.1 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	130.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.82 грн
50+	129.34 грн
100+	106.42 грн
500+	84.51 грн
1000+	71.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.04 грн
10+	150.48 грн
100+	104.15 грн
250+	96.14 грн
500+	87.46 грн
1000+	74.11 грн
2000+	70.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.47 грн
10+	146.79 грн
100+	107.85 грн
500+	91.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP013N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	167.47 грн
10+	153.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.09 грн
10+	202.96 грн
100+	164.01 грн
500+	143.26 грн
1000+	112.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP014N06NF2SAKMA2

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.6 грн
10+	219.58 грн
25+	180.92 грн
100+	154.89 грн
250+	146.21 грн
500+	137.53 грн
1000+	116.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	185.27 грн
71+	165.77 грн
100+	164.79 грн
200+	156.09 грн
500+	139.3 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

SP005742469

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	187.44 грн

Мінімальне замовлення: 63

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	143.24 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.71 грн
50+	189 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP014N08NM6AKSA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP015N04N G

на замовлення 3550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04N G

MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP015N04N G

Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	328.03 грн
10+	295.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.49 грн
50+	105.58 грн
100+	86.87 грн
500+	68.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.43 грн
10+	119.77 грн
100+	83.45 грн
250+	76.78 грн
500+	70.1 грн
1000+	59.42 грн
2000+	56.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.52 грн
10+	118.33 грн
100+	86.13 грн
500+	73.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP015N04NG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.87 грн
5+	189.16 грн
12+	179.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP015N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	369.22 грн
10+	212.69 грн
100+	192.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.8 грн
10+	240.39 грн
25+	198.48 грн
50+	190.82 грн
100+	160.33 грн
250+	152.26 грн
500+	132.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

на замовлення 28 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	319.04 грн
5+	235.72 грн
12+	215.31 грн
500+	206.96 грн

IPP015N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	345.82 грн
10+	286.37 грн
25+	186.93 грн
100+	172.24 грн
500+	146.87 грн
1000+	144.2 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	186.91 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	323.54 грн
50+	246.66 грн
100+	211.42 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	272.43 грн
49+	240.06 грн
60+	190.56 грн
100+	160.11 грн
250+	152.06 грн
500+	132.75 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	107.69 грн
119+	98.98 грн
134+	87.66 грн
500+	80.03 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	100 грн
10+	91.91 грн
100+	81.4 грн
500+	74.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

103+	114.15 грн

Мінімальне замовлення: 103

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	90.61 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	195.47 грн
10+	144.54 грн
100+	131.81 грн
500+	111.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	56.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.92 грн
10+	148.18 грн
100+	102.14 грн
250+	94.13 грн
500+	85.45 грн
1000+	72.77 грн
2000+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	141.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	110.45 грн

Мінімальне замовлення: 106

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.89 грн
10+	223.18 грн
25+	199.21 грн
100+	162.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N08NF2SAKMA1

SP005548844

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.8 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.44 грн
10+	220.35 грн
25+	160.89 грн
100+	139.53 грн
250+	138.2 грн
500+	125.51 грн
1000+	118.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.75 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1
Код товару: 183516

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
Монтаж: THT

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	163.11 грн
73+	162.12 грн
100+	158.14 грн
1000+	151.53 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240.49 грн
50+	183.86 грн
100+	157.59 грн
500+	131.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	127.15 грн
95+	123.64 грн
96+	123.02 грн
100+	113.59 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	118.07 грн
10+	114.81 грн
25+	114.23 грн
100+	105.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP017N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	376.15 грн
33+	358.52 грн
34+	349.09 грн
50+	296.6 грн
100+	255.13 грн
250+	238.04 грн

Мінімальне замовлення: 32

IPP018N10N5AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	408.03 грн
50+	311.44 грн
100+	266.96 грн

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	349.29 грн
10+	332.92 грн
25+	324.15 грн
50+	275.41 грн
100+	236.9 грн
250+	221.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	372.96 грн
10+	326.53 грн
100+	270.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP018N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.81 грн
50+	315.79 грн
100+	270.69 грн
500+	225.8 грн

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	300.87 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP018N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	487.55 грн
10+	351.25 грн
100+	297.32 грн
500+	234.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	443.18 грн
10+	366.99 грн
25+	301.09 грн
100+	258.37 грн
250+	255.03 грн
500+	216.31 грн

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	315.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	78.4 грн

Мінімальне замовлення: 150

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	65.95 грн
184+	63.74 грн
194+	60.59 грн
500+	56.99 грн

Мінімальне замовлення: 178

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	72.9 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.51 грн
10+	122.82 грн
100+	89.87 грн
500+	75.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP019N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.88 грн
10+	125.14 грн
100+	86.12 грн
250+	80.11 грн
500+	72.77 грн
1000+	61.75 грн
2000+	58.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.19 грн
100+	56.26 грн
500+	52.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.27 грн
50+	109.75 грн
100+	90.31 грн
500+	71.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	73.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	66.17 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.04 грн
50+	142.86 грн
100+	122.44 грн
500+	102.14 грн
1000+	87.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	190.96 грн
67+	177.04 грн
100+	166.09 грн
200+	159.21 грн
500+	134.98 грн
1000+	121.91 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	99 грн
2000+	98.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.43 грн
10+	61.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP019N08NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 764A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	102.84 грн
750+	93.97 грн
1500+	87.44 грн
2250+	79.52 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	192.47 грн
10+	173.75 грн
25+	158.77 грн
100+	133.52 грн
500+	107.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.29 грн
10+	125.91 грн
25+	93.47 грн
100+	84.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06N

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.03 грн
10+	212.67 грн
25+	174.25 грн
100+	149.55 грн
250+	140.87 грн
500+	132.85 грн
1000+	113.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	320.81 грн
44+	271.08 грн
57+	206.72 грн
100+	198.4 грн
200+	173.25 грн
500+	146.26 грн
1000+	142.92 грн

Мінімальне замовлення: 37

IPP020N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.02 грн
10+	224.95 грн
25+	174.25 грн
100+	146.87 грн
250+	145.54 грн
500+	130.18 грн
1000+	106.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	222.83 грн
58+	205.18 грн
63+	187.13 грн
100+	152.44 грн
250+	138.74 грн

Мінімальне замовлення: 53

IPP020N06NAKSA1

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	207.2 грн
10+	190.79 грн
25+	174 грн
100+	141.76 грн
250+	129.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.99 грн
50+	178.91 грн
100+	153.34 грн
500+	127.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP020N06NXKSA1

SP005573707

товар відсутній

IPP020N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	434.62 грн
10+	360.08 грн
25+	295.08 грн
100+	253.03 грн
250+	239.01 грн
500+	224.99 грн
1000+	192.27 грн

IPP020N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 12 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	612.92 грн
3+	406.44 грн
7+	369.69 грн
250+	366.35 грн

IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.1 грн
10+	310.8 грн
100+	272.61 грн
500+	226.71 грн
1000+	177.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	337.83 грн
10+	321.8 грн
25+	267.8 грн
100+	237.47 грн
250+	210.66 грн
500+	185.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.79 грн
10+	373.13 грн
25+	259.03 грн
100+	235.67 грн
250+	226.32 грн
500+	207.63 грн
1000+	181.59 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	205.86 грн
58+	203.13 грн
62+	191.51 грн
100+	179.4 грн
250+	163.61 грн
500+	151.98 грн

Мінімальне замовлення: 57

IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.86 грн
50+	309.81 грн
100+	265.55 грн
500+	221.52 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	127.08 грн
100+	121.4 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	363.35 грн
34+	346.1 грн
41+	288.03 грн
100+	255.41 грн
250+	226.57 грн
500+	199.5 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.16 грн
10+	188.62 грн
25+	177.83 грн
100+	166.59 грн
250+	151.92 грн
500+	141.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP020N08N5AKSA1

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	510.77 грн
3+	326.16 грн
7+	308.08 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	548.01 грн
30+	398.82 грн
50+	353.96 грн
100+	320.63 грн
200+	280.34 грн
500+	250.74 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.11 грн
10+	395.39 грн
25+	311.78 грн
100+	286.41 грн
250+	269.72 грн
500+	253.03 грн
1000+	226.99 грн

IPP023N04NG

на замовлення 405 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

товар відсутній

IPP023N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	138.14 грн
10+	74.85 грн
100+	74.14 грн
500+	70.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	139.03 грн
156+	75.32 грн
157+	74.61 грн

Мінімальне замовлення: 85

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.36 грн
10+	76.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	140.15 грн
91+	129.43 грн
107+	110.23 грн
500+	91.42 грн

Мінімальне замовлення: 84

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP023N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	193.97 грн
10+	79.39 грн
100+	77.89 грн
500+	70.93 грн
1000+	63.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	200.91 грн
72+	163.11 грн
100+	152.17 грн
500+	130.43 грн

Мінімальне замовлення: 59

IPP023N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP023N08N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.41 грн
10+	176.75 грн
100+	159.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	141.9 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.98 грн
10+	199.27 грн
25+	173.92 грн
50+	166.03 грн
100+	139.76 грн
250+	132.81 грн
500+	104.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.86 грн
10+	198.85 грн
25+	153.55 грн
100+	140.87 грн
250+	140.2 грн
500+	129.52 грн
1000+	114.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	433.92 грн
31+	386.14 грн
50+	352.99 грн
100+	309.35 грн
200+	284.69 грн
500+	244.89 грн
1000+	213.13 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.93 грн
50+	184.66 грн
100+	158.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	225.05 грн
55+	214.6 грн
63+	187.3 грн
64+	178.8 грн
100+	150.51 грн
250+	143.02 грн
500+	112.47 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	150.09 грн
10+	146.47 грн
25+	136.18 грн
50+	129.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

SP005573709

товар відсутній

IPP023N10N5

на замовлення 21500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N10N5

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.57 грн
10+	397.7 грн
25+	325.8 грн
100+	279.73 грн
250+	263.71 грн
500+	212.97 грн

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	593.84 грн
26+	459.27 грн
50+	415.39 грн
100+	379.87 грн
200+	334.32 грн
500+	302.56 грн
1000+	285.84 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 750 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	479.79 грн
10+	396.93 грн
25+	280.4 грн
100+	249.02 грн
250+	237.67 грн
500+	225.65 грн
1000+	199.62 грн

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	589.4 грн
10+	529.49 грн
100+	434.38 грн
500+	343.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.25 грн
50+	337.06 грн
100+	288.91 грн

IPP023N10N5XKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

товар відсутній

IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.43 грн
10+	383.88 грн
25+	315.11 грн
100+	270.38 грн
250+	255.03 грн
500+	239.67 грн
1000+	212.97 грн

IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP023NE7N3G

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	345.09 грн
10+	322.34 грн
100+	280.62 грн
500+	242.33 грн
1000+	203.14 грн
2500+	192.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	428.38 грн
10+	396.16 грн
25+	324.46 грн
100+	279.06 грн
250+	263.04 грн
500+	243.68 грн

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.53 грн
50+	326.07 грн
100+	279.5 грн

IPP023NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	99.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	534.28 грн
25+	480.08 грн
100+	393.32 грн
500+	322.86 грн
1000+	262.63 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	420.06 грн
10+	383.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	98.76 грн

Мінімальне замовлення: 201

IPP024N06N3G

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	423.29 грн
3+	350.98 грн
5+	234.5 грн
12+	221.98 грн
250+	219.48 грн

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	198.8 грн

Мінімальне замовлення: 102

IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	352.74 грн
3+	281.65 грн
5+	195.42 грн
12+	184.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 256000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.49 грн
10+	165.51 грн
25+	151.28 грн
100+	125.87 грн
500+	101.43 грн
1000+	79.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.1 грн
50+	136.71 грн
100+	117.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.72 грн
10+	175.82 грн
25+	132.19 грн
100+	113.49 грн
250+	111.49 грн
500+	102.81 грн
1000+	88.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	158.25 грн
85+	139.13 грн
88+	133.46 грн
102+	111.22 грн
250+	97.98 грн
500+	89.76 грн

Мінімальне замовлення: 74

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	197.92 грн
74+	160.13 грн
100+	149.19 грн
500+	127.56 грн
1000+	110.12 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	71.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.5 грн
10+	92.9 грн
100+	62.69 грн
500+	52.87 грн
1000+	42.99 грн
2000+	40.52 грн
5000+	38.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N04NF2SAKMA1

SP005632915

товар відсутній

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.07 грн
10+	94.36 грн
100+	70.32 грн
500+	55.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.33 грн
10+	85.05 грн
100+	66.13 грн
500+	52.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	96.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	184.65 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	384.2 грн
10+	274.86 грн
100+	233.66 грн
500+	207.93 грн
1000+	164.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	171.7 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	241.43 грн
10+	235.71 грн
25+	211.08 грн
100+	186.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	369.75 грн
50+	282.58 грн
100+	242.21 грн
500+	202.05 грн
1000+	173 грн

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	260 грн
47+	253.84 грн
52+	227.32 грн
100+	200.84 грн

Мінімальне замовлення: 46

IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	359.06 грн
10+	348.56 грн
25+	245.01 грн
100+	206.29 грн
250+	205.62 грн
500+	198.28 грн
1000+	170.24 грн

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	217.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	482.67 грн
29+	408.57 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	292.48 грн
10+	236.31 грн
100+	191.17 грн
500+	159.47 грн

IPP027N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.15 грн
10+	302.5 грн
100+	214.97 грн
500+	182.93 грн
1000+	146.21 грн

IPP027N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP027N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP028N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.87 грн
25+	355.47 грн
100+	259.7 грн
500+	230.33 грн
1000+	185.6 грн

IPP028N08N3 G

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3G

IFX

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3GHKSA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.25 грн
10+	430.56 грн
25+	402.16 грн
50+	360.7 грн
100+	309.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	497.29 грн
10+	399.93 грн
25+	361.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP028N08N3GXKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP029N06N

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP029N06N

MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.28 грн
10+	161.23 грн
100+	111.49 грн
250+	102.81 грн
500+	78.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.75 грн
10+	158.77 грн
25+	143.79 грн
100+	118.92 грн
500+	89.87 грн
1000+	69.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.73 грн
10+	165.84 грн
100+	114.83 грн
250+	113.49 грн
500+	93.47 грн
1000+	75.44 грн
5000+	73.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.82 грн
10+	102.6 грн
100+	77.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP030N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	31.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	47.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.82 грн
10+	89.06 грн
100+	60.35 грн
500+	51.14 грн
1000+	41.66 грн
2000+	39.19 грн
5000+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

товар відсутній

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.19 грн
100+	45.32 грн
500+	41.09 грн
1000+	33.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	49.99 грн

Мінімальне замовлення: 235

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.83 грн
50+	78.76 грн
100+	62.42 грн
500+	49.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	52.98 грн
240+	48.8 грн
500+	45.88 грн
1000+	39.53 грн

Мінімальне замовлення: 221

IPP030N10N

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3 G

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	543.05 грн
30+	395.85 грн
50+	351.1 грн
100+	318.41 грн
200+	277.95 грн
500+	248.93 грн
1000+	233.59 грн
2000+	232.74 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.83 грн
10+	260.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	504.78 грн
10+	346.75 грн
100+	286.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	361.85 грн
10+	321.26 грн
25+	255.71 грн
50+	245.93 грн
100+	209.93 грн
250+	201.08 грн
500+	178.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	324.28 грн
3+	270.52 грн
4+	261.48 грн
9+	246.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 1748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.53 грн
50+	336.37 грн
100+	288.31 грн
500+	240.51 грн
1000+	205.93 грн

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	354.85 грн
38+	315.04 грн
47+	250.76 грн
50+	241.17 грн
100+	205.86 грн
250+	197.19 грн
500+	175.02 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N3GXKSA1

на замовлення 34 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	389.14 грн
3+	337.11 грн
4+	313.78 грн
9+	296.25 грн
50+	284.57 грн

IPP030N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 491 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

1+	444.74 грн
10+	400.77 грн
25+	302.43 грн
100+	263.04 грн
250+	255.7 грн
500+	235.67 грн
1000+	199.62 грн

IPP030N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	476.82 грн
32+	368.59 грн
50+	333.48 грн
100+	304.65 грн
200+	268.15 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPP030N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 476 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	369.19 грн
10+	332.44 грн
25+	243.68 грн
100+	215.64 грн
250+	208.3 грн
500+	194.94 грн
1000+	158.22 грн

IPP030N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	156.15 грн
87+	135.27 грн
100+	129.3 грн
500+	114.13 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPP032N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 51 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	136.6 грн
5+	118.73 грн
12+	87.43 грн
31+	82.67 грн
500+	81.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	173.06 грн
84+	140.23 грн
100+	131.29 грн
500+	111.25 грн

Мінімальне замовлення: 68

IPP032N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 2879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.71 грн
50+	121.26 грн
100+	99.76 грн
500+	79.22 грн
1000+	67.22 грн
2000+	63.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	87.36 грн
10+	80.38 грн
100+	74.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP032N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 1251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	171.35 грн
10+	140.5 грн
100+	96.8 грн
250+	89.46 грн
500+	81.45 грн
1000+	69.43 грн
2500+	66.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	100.9 грн
121+	97.01 грн
134+	87.56 грн
500+	77.43 грн
1000+	60.89 грн

Мінімальне замовлення: 116

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	85.76 грн
10+	78.76 грн
100+	72.58 грн
500+	66.45 грн
1000+	50.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	362.18 грн

IPP032N06N3GXKSA1
Код товару: 192070

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	86.31 грн
148+	79.26 грн
161+	73.05 грн
500+	66.87 грн
1000+	51.32 грн

Мінімальне замовлення: 136

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	94.08 грн
136+	86.57 грн
147+	79.92 грн

Мінімальне замовлення: 125

IPP032N06N3GXKSA1

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.84 грн
5+	95.27 грн
12+	72.86 грн
31+	68.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

7+	101.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

IPP033N04NF2SAKMA1

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.38 грн
12+	65.68 грн
100+	47.41 грн
500+	37.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.77 грн
10+	55.5 грн
100+	43.12 грн
500+	34.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

MOSFET

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.5 грн
10+	62.42 грн
100+	42.26 грн
500+	35.85 грн
1000+	29.11 грн
2000+	27.44 грн
5000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	91.36 грн
100+	63.36 грн
500+	57.82 грн
1000+	42.99 грн
5000+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

437+	46.95 грн

Мінімальне замовлення: 437

IPP034N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	88.94 грн
10+	81.98 грн
100+	69.68 грн
500+	57.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	82.51 грн
167+	70.12 грн
500+	60.36 грн

Мінімальне замовлення: 142

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.44 грн
10+	84.08 грн
100+	66.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	61.12 грн
201+	58.39 грн
250+	56.05 грн

Мінімальне замовлення: 192

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	123.33 грн
105+	112.39 грн
128+	91.5 грн
200+	82.48 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPP034N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.07 грн
11+	71.67 грн
100+	53.17 грн
500+	45.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	195.4 грн
67+	175.37 грн
100+	146.05 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	145.31 грн
10+	136.83 грн
25+	136.47 грн
100+	120.35 грн
250+	110.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.82 грн
10+	166.49 грн
100+	134.7 грн
500+	112.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.93 грн
10+	150.48 грн
100+	109.49 грн
250+	108.15 грн
500+	100.14 грн
1000+	78.11 грн
5000+	76.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	103.32 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	446.58 грн
42+	284.46 грн
51+	230.75 грн
100+	208.12 грн
500+	170.5 грн
1000+	152.6 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP034N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.25 грн
10+	130.31 грн
100+	95.11 грн
500+	79.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	181.44 грн
10+	163.53 грн
25+	162.84 грн
100+	135.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	156.48 грн
80+	146.97 грн
100+	129.61 грн
250+	119.24 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPP034N08N5XKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

SP005573713

товар відсутній

IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT

у наявності 35 шт:

33 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	124 грн
10+	113 грн

IPP034NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.26 грн
10+	249.52 грн
25+	173.58 грн
100+	149.55 грн
250+	148.21 грн
500+	132.19 грн
1000+	109.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3 G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP034NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.84 грн
10+	200.71 грн
100+	169.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	327.63 грн
43+	277.9 грн
56+	211.6 грн
100+	203.1 грн
200+	176.74 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.93 грн
50+	184.9 грн
100+	158.49 грн
500+	132.21 грн
1000+	113.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	206.88 грн
50+	132.24 грн
100+	120.03 грн
500+	107.44 грн
1000+	76.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.21 грн
3+	165.51 грн
6+	143.95 грн
10+	143.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

на замовлення 13 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	242.65 грн
3+	206.25 грн
6+	172.74 грн
10+	171.91 грн
16+	162.73 грн
250+	156.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	222.63 грн
83+	142.3 грн
100+	129.17 грн
500+	115.62 грн
1000+	82.25 грн

Мінімальне замовлення: 53

IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.54 грн
10+	117.47 грн
100+	81.45 грн
500+	74.77 грн
1000+	55.21 грн
5000+	53.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	111.04 грн
10+	102.78 грн
100+	87.65 грн
500+	70.07 грн
1000+	54.72 грн
2500+	50.6 грн
5000+	47.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.32 грн
10+	107.86 грн
100+	85.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.26 грн
10+	104.85 грн
100+	89.12 грн
500+	70.24 грн
1000+	57.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	111.75 грн
114+	103.44 грн
133+	88.2 грн
500+	70.52 грн
1000+	55.07 грн
2500+	50.92 грн
5000+	48.17 грн

Мінімальне замовлення: 105

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP037N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3 G E8181

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP037N08N3G

Rochester Electronics, LLC

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP037N08N3GHKSA1

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	326.66 грн
57+	208.67 грн
70+	168.69 грн
100+	152.32 грн
200+	140.17 грн
500+	119.52 грн
1000+	112 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.93 грн
10+	168.14 грн
25+	136.19 грн
100+	116.16 грн
500+	103.48 грн
1000+	86.12 грн
2500+	84.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.95 грн
10+	149.04 грн
100+	125.07 грн
500+	107.79 грн
1000+	82.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.54 грн
50+	137.79 грн
100+	118.11 грн
500+	98.53 грн
1000+	84.36 грн
2000+	79.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N08N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	210.3 грн
3+	181.99 грн
8+	134.36 грн
20+	126.85 грн
250+	125.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	305.21 грн
60+	195.02 грн
75+	157.97 грн
100+	141.98 грн
200+	130.59 грн
500+	112 грн

Мінімальне замовлення: 39

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	105.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP037N08N3GXKSA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.04 грн
8+	111.96 грн
20+	105.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.37 грн
10+	82.92 грн
100+	57.01 грн
500+	53.41 грн
1000+	43.8 грн
5000+	41.73 грн
10000+	39.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP039N04LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.33 грн
10+	69.44 грн
100+	58.22 грн
500+	55.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	47.65 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N04LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 45 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	90.13 грн
10+	76.78 грн
15+	66.76 грн
40+	62.59 грн
500+	61.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.32 грн
10+	63.98 грн
15+	55.63 грн
40+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	74.68 грн
187+	62.61 грн
500+	61.99 грн

Мінімальне замовлення: 157

IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.05 грн
50+	74.36 грн
100+	58.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

на замовлення 3086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.8 грн
10+	113.84 грн
100+	86.13 грн
500+	53.97 грн
1000+	39.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.56 грн
10+	217.19 грн
100+	185.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.4 грн
10+	275.62 грн
25+	190.94 грн
100+	163.57 грн
500+	122.17 грн
1000+	116.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	180.61 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

IPP039N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP03N03LAG

08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP03N03LB G

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товар відсутній

IPP03N03LBG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	37.59 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	37.59 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP040N06N

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.87 грн
10+	119 грн
100+	82.78 грн
250+	78.11 грн
500+	65.83 грн
1000+	58.88 грн
2500+	55.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3 G

на замовлення 147000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.44 грн
10+	125.91 грн
100+	86.79 грн
250+	80.11 грн
500+	72.77 грн
1000+	62.09 грн
2500+	59.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3G

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3GXK

на замовлення 424 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.8 грн
10+	69.54 грн
13+	66.07 грн
34+	62.59 грн
250+	59.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.99 грн
50+	111.13 грн
100+	91.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.09 грн
10+	89.87 грн
100+	64.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	75.28 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.38 грн
183+	64.26 грн
205+	57.34 грн
213+	53.12 грн
500+	49.1 грн
1000+	43.88 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPP040N06N3GXKSA1

Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C

на замовлення 83 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

3+	111.44 грн
10+	93.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.91 грн
10+	76.39 грн
100+	57.82 грн
250+	57.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.53 грн
10+	74.27 грн
100+	58.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	94.46 грн
10+	83.45 грн
13+	79.28 грн
34+	75.11 грн
250+	71.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	89.01 грн
147+	80.11 грн
185+	63.26 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 202066

очікується 20 шт:

20 шт - очікується

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	123.84 грн
102+	115.06 грн
120+	97.51 грн
200+	88.95 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	88.46 грн
145+	80.76 грн
159+	73.73 грн
500+	63.83 грн

Мінімальне замовлення: 133

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.26 грн
10+	75.09 грн
100+	68.55 грн
500+	59.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.05 грн
50+	104.58 грн
100+	86.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.02 грн
10+	119.08 грн
100+	89.12 грн
500+	70.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	70.22 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06NAKSA1

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.87 грн
10+	115.16 грн
100+	83.45 грн
500+	69.43 грн
1000+	56.35 грн
2500+	56.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
50+	67.23 грн
100+	53.28 грн
500+	42.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

на замовлення 47000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	40.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.6 грн
10+	86.88 грн
100+	64.71 грн
500+	49.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

товар відсутній

IPP040N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.91 грн
10+	75.01 грн
100+	50.81 грн
500+	42.99 грн
1000+	35.05 грн
2000+	32.98 грн
5000+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

на замовлення 827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.24 грн
12+	48.84 грн
100+	43.29 грн
500+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP040N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Tube

на замовлення 827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	52.59 грн
252+	46.62 грн
500+	42.69 грн

Мінімальне замовлення: 223

IPP040N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	81.4 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	57.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.8 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	88.82 грн
134+	87.33 грн
200+	82 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	96.89 грн
200+	94.08 грн
750+	91.97 грн

Мінімальне замовлення: 121

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.88 грн
50+	122.94 грн
100+	101.15 грн
500+	80.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	69.79 грн

Мінімальне замовлення: 168

IPP040N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.32 грн
10+	121.31 грн
100+	86.79 грн
250+	85.45 грн
500+	75.44 грн
1000+	72.1 грн
2000+	64.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 208000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.33 грн
10+	99.61 грн
25+	89.12 грн
100+	72.32 грн
500+	59.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 990 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

4+	99.7 грн
10+	79.08 грн
100+	54.48 грн
500+	46.13 грн
1000+	35.32 грн
5000+	33.65 грн
10000+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP041N04N G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04NG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 773500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	43.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	66.49 грн
208+	56.3 грн
500+	49.86 грн

Мінімальне замовлення: 176

IPP041N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.84 грн
10+	86.13 грн
100+	63.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP041N04NGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.72 грн
50+	71.03 грн
100+	56.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.8 грн
10+	61.82 грн
100+	52.35 грн
500+	44.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP041N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	445.52 грн
10+	376.2 грн
25+	297.09 грн
100+	273.05 грн
250+	257.03 грн
500+	240.34 грн

IPP041N12N3G

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N12N3GXK

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	349 грн
10+	266.62 грн
100+	230.67 грн
500+	200.28 грн
1000+	158.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	260.25 грн
48+	246.64 грн
49+	242.5 грн
100+	210.04 грн
500+	186.42 грн
1000+	168.58 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.44 грн
10+	275.62 грн
25+	270.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP041N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.36 грн
50+	334.49 грн
100+	286.7 грн
500+	239.17 грн

IPP041N12N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.47 грн
10+	358.54 грн
25+	306.43 грн
100+	273.05 грн
500+	240.34 грн
1000+	206.29 грн

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	290.58 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	600.74 грн
28+	420.72 грн
50+	372.97 грн
100+	344.31 грн
200+	300.16 грн
500+	260.01 грн
1000+	236.15 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.6 грн
10+	245.07 грн
25+	240.96 грн
100+	208.71 грн
500+	185.24 грн
1000+	167.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 11741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.59 грн
10+	83.69 грн
100+	56.48 грн
500+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP042N03LG

Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 71180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03LG

TO-220 0741+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP042N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 172 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	98.86 грн
5+	85.19 грн
16+	59.67 грн
44+	56.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

236+	49.61 грн
262+	44.71 грн
500+	41.33 грн

Мінімальне замовлення: 236

IPP042N03LGXKSA1

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.38 грн
6+	68.36 грн
16+	49.72 грн
44+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.49 грн
10+	76.98 грн
100+	59.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP042N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.09 грн
10+	86.13 грн
100+	63.28 грн
500+	36.09 грн
1000+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.32 грн
12+	49.29 грн
100+	44.43 грн
500+	39.6 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP045N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.97 грн
10+	178.12 грн
25+	146.21 грн
100+	125.51 грн
250+	119.5 грн
500+	108.15 грн
1000+	94.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3 G

на замовлення 86450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	185.76 грн
66+	178.69 грн
100+	172.62 грн
250+	161.4 грн
500+	145.38 грн

Мінімальне замовлення: 63

IPP045N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3G

на замовлення 254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.46 грн
3+	166.9 грн
7+	127.96 грн
18+	121 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	157.14 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	225.25 грн
58+	201.85 грн
100+	184.29 грн
200+	176.77 грн
500+	145.39 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP045N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 7655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.48 грн
10+	175.82 грн
25+	118.84 грн
100+	111.49 грн
500+	100.81 грн
1000+	89.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.99 грн
10+	129.56 грн
100+	119.08 грн
500+	103.62 грн
1000+	86.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.15 грн
50+	150.71 грн
100+	129.19 грн
500+	107.77 грн
1000+	92.28 грн
2000+	86.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	115.82 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	119.37 грн
10+	115.97 грн
25+	101.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	126.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	239.87 грн
55+	214.52 грн
100+	196.97 грн
200+	188.06 грн

Мінімальне замовлення: 49

IPP045N10N3GXKSA1

на замовлення 51 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	241.75 грн
3+	207.99 грн
7+	153.55 грн
18+	145.21 грн
250+	143.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N04N G
Код товару: 83952

товар відсутній

IPP048N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP048N04NG

Description: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	54.5 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	58.41 грн
500+	57.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.16 грн
10+	92.13 грн
100+	63.96 грн
250+	58.82 грн
500+	51.61 грн
1000+	50.61 грн
2500+	50.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 187

IPP048N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP048N06LG

08+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.63 грн
10+	245.68 грн
25+	181.59 грн
100+	168.24 грн
500+	167.57 грн
1000+	138.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	261.14 грн
10+	239.76 грн
25+	236.92 грн
50+	219.59 грн
100+	184.91 грн
250+	163.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	262.81 грн
49+	241.29 грн
50+	238.43 грн
52+	220.99 грн
100+	186.08 грн
250+	164.39 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	218.42 грн
57+	206.41 грн
59+	194.45 грн
100+	169.18 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	139.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP048N12N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.87 грн
10+	254.81 грн
100+	206.11 грн
500+	171.94 грн
1000+	147.22 грн

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	180.26 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	202.82 грн
10+	192.61 грн
25+	191.67 грн
50+	180.56 грн
100+	157.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP048N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.6 грн
10+	253.14 грн
25+	230.67 грн
100+	192.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	305.56 грн
3+	260.85 грн
5+	206.13 грн
13+	195.28 грн

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	439.73 грн
30+	392.55 грн
31+	383.63 грн
50+	361.4 грн
100+	280.33 грн
500+	215.07 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP04CN10NG

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP04CN10NG

07+ DIP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	419.04 грн
10+	370.83 грн
100+	264.37 грн
500+	214.97 грн

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Description: MV POWER MOS

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LBG

INF

07+;

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP050N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.18 грн
10+	161.77 грн
100+	134.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP050N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.07 грн
10+	171.98 грн
25+	140.2 грн
100+	119.5 грн
250+	118.84 грн
500+	106.15 грн
1000+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.21 грн
25+	388.48 грн
100+	279.06 грн
500+	245.68 грн
1000+	219.64 грн

IPP051N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	535.33 грн
29+	413.44 грн
50+	374.44 грн
100+	342.26 грн
200+	301.24 грн
500+	272.47 грн
1000+	257.43 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	418.86 грн
10+	345.7 грн
100+	288.05 грн

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	418.23 грн
33+	362.32 грн
100+	313.65 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP051N15N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	389.23 грн
10+	337.2 грн
100+	291.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 210 шт:

термін постачання 285-294 дні (днів)

3+	119.95 грн
10+	99.04 грн
100+	68.1 грн
250+	63.36 грн
500+	57.15 грн
1000+	49.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N06L3G

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP052N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 120 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	90.99 грн
10+	77.61 грн
15+	67.6 грн
40+	64.26 грн
250+	62.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	102.72 грн
139+	84.37 грн
500+	68.72 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	116.44 грн
10+	95.51 грн
50+	95.13 грн
100+	75.35 грн
500+	58.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP052N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 115
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	108.24 грн
119+	98.49 грн
146+	80.35 грн
200+	72.5 грн
500+	66.86 грн
1000+	57 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPP052N06L3GXKSA1

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.02 грн
10+	64.68 грн
15+	56.33 грн
40+	53.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP052N08N5

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.85 грн
10+	102.11 грн
100+	75.44 грн
500+	66.43 грн
1000+	59.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	204.89 грн
71+	166.09 грн
100+	155.16 грн

Мінімальне замовлення: 58

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	109 грн
10+	102.48 грн
100+	91.25 грн
250+	87.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	155.03 грн
10+	113.84 грн
100+	83.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	184.64 грн
100+	148.39 грн
500+	121.91 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP052N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 4463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.77 грн
10+	129.7 грн
100+	103.26 грн
500+	81.99 грн
1000+	69.57 грн
2000+	66.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.39 грн
107+	110.36 грн
120+	98.27 грн
250+	93.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPP052NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.73 грн
10+	189.64 грн
25+	137.53 грн
100+	118.17 грн
250+	116.83 грн
500+	102.14 грн
1000+	84.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP052NE7N3G

Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP052NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052NE7N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP052NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	110.05 грн

Мінімальне замовлення: 107

IPP052NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.7 грн
8+	106.4 грн
21+	100.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP052NE7N3GXKSA1

на замовлення 98 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	177.94 грн
3+	151.66 грн
8+	127.68 грн
21+	120.17 грн
250+	116 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	109.23 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.32 грн
50+	142.13 грн
100+	121.84 грн
500+	101.63 грн
1000+	87.02 грн
2000+	81.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	102.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.97 грн
10+	138.55 грн
100+	116.83 грн
500+	93.88 грн
1000+	72.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP054NE8NGHKSA2

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.46 грн
10+	69.41 грн
100+	47 грн
500+	39.72 грн
1000+	32.38 грн
2500+	30.51 грн
5000+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LG

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.91 грн
10+	72.09 грн
100+	48.94 грн
500+	40.59 грн
1000+	30.51 грн
2500+	30.31 грн
5000+	29.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.62 грн
11+	72.42 грн
100+	52.65 грн
500+	41.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 57 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	98.86 грн
5+	73.66 грн
20+	49.24 грн
54+	46.48 грн
500+	46.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N03LGXKSA1

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.38 грн
6+	59.11 грн
20+	41.03 грн
54+	38.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.38 грн
50+	97.47 грн
100+	80.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.82 грн
10+	116.83 грн
100+	94.36 грн
500+	73.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 353000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	66.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 295000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	66.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	149.19 грн
87+	135.27 грн
106+	110.4 грн
200+	99.74 грн
1000+	81.79 грн

Мінімальне замовлення: 79

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.51 грн
10+	75.36 грн
100+	66.1 грн
500+	60.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	80.74 грн
200+	78.63 грн
750+	76.53 грн

Мінімальне замовлення: 145

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

на замовлення 607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	87.78 грн
145+	81.16 грн
165+	71.18 грн
500+	64.79 грн

Мінімальне замовлення: 134

IPP055N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.29 грн
10+	107.49 грн
100+	75.44 грн
250+	72.77 грн
500+	66.76 грн
1000+	55.61 грн
2000+	52.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3
Код товару: 113416

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
Монтаж: THT

товар відсутній

IPP057N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.84 грн
10+	101.34 грн
100+	70.1 грн
250+	68.1 грн
500+	58.95 грн
1000+	50.47 грн
2500+	47.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP057N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.1 грн
10+	61.66 грн
100+	57.21 грн
250+	54.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.84 грн
10+	102.11 грн
100+	70.77 грн
250+	66.76 грн
500+	58.95 грн
1000+	47.93 грн
2500+	47.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 233 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	97.06 грн
10+	82.62 грн
15+	67.6 грн
40+	64.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.1 грн
50+	88.44 грн
100+	72.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	43.17 грн
285+	41.18 грн
289+	40.58 грн

Мінімальне замовлення: 272

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.89 грн
10+	68.85 грн
15+	56.33 грн
40+	53.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.56 грн
10+	80.13 грн
100+	65.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	62.06 грн
204+	57.58 грн
250+	57.24 грн

Мінімальне замовлення: 189

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	54.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.94 грн
10+	158.93 грн
100+	110.82 грн
250+	102.14 грн
500+	92.13 грн
1000+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP057N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	103.95 грн
130+	90.08 грн
137+	85.52 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	165.1 грн
88+	133.28 грн
100+	125.32 грн
500+	106.45 грн
1000+	92.36 грн
2000+	86.1 грн

Мінімальне замовлення: 71

IPP057N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm

на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.97 грн
10+	137.05 грн
100+	113.09 грн
500+	95.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.48 грн
10+	140.5 грн
100+	100.81 грн
500+	94.8 грн
1000+	78.78 грн
2500+	72.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.93 грн
50+	136.9 грн
100+	112.65 грн
500+	89.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	126.37 грн
120+	98.29 грн
500+	83.55 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	153.09 грн
10+	138.55 грн
100+	90.11 грн
250+	86.03 грн
500+	78.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	96.53 грн
10+	83.64 грн
100+	79.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP05CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10N

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

на замовлення 687 шт:

термін постачання 325-334 дні (днів)

2+	250.02 грн
10+	221.88 грн
100+	158.22 грн
500+	153.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP05CN10NG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

товар відсутній

IPP05CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

товар відсутній

IPP05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP05N03LBG

07+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP060N06N

MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.72 грн
10+	92.13 грн
100+	62.69 грн
500+	53.01 грн
1000+	43.13 грн
2500+	42.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06N

Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.16 грн
10+	89.83 грн
100+	63.36 грн
250+	59.02 грн
500+	49.47 грн
1000+	43.6 грн
2500+	43.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.44 грн
50+	81.46 грн
100+	67.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	42.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	54.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	95.08 грн
136+	86.59 грн
167+	70.4 грн
200+	63.56 грн
500+	58.68 грн
1000+	49.98 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.82 грн
10+	93.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP062NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.04 грн
10+	149.71 грн
100+	103.48 грн
250+	95.47 грн
500+	86.79 грн
1000+	74.77 грн
2500+	70.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP062NE7N3G

Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP062NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP065N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

866+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 866

IPP065N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 16500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

742+	26.68 грн

Мінімальне замовлення: 742

IPP065N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N04N G

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP065N04N G

MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPP065N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 952

IPP065N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N06LG

INF

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP065N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP065N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP069N20NM6AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 833 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	609.09 грн
10+	514.4 грн
25+	405.24 грн
100+	372.53 грн
250+	350.5 грн
500+	329.13 грн
1000+	296.42 грн

IPP069N20NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	561.13 грн
10+	463.02 грн
100+	385.84 грн
500+	319.5 грн

IPP069N20NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP06CN10L

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP06CN10L G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	95.79 грн

Мінімальне замовлення: 208

IPP06CN10LGHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP06CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	66.15 грн
10+	58.14 грн
25+	50.96 грн
50+	46.07 грн
100+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP06CN10LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP06CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

товар відсутній

IPP06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP06N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP06N03LAHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06L G

MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

товар відсутній

IPP070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06LG

INF

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LG

08+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06N G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N06NGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06NGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPP070N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP070N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP070N08N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 400

IPP070N08N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	64.69 грн

Мінімальне замовлення: 310

IPP072N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.56 грн
10+	128.22 грн
100+	88.79 грн
250+	82.12 грн
500+	74.77 грн
1000+	65.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP072N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXK

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 140 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	179.74 грн
3+	156.86 грн
9+	108.97 грн
24+	103.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	121.93 грн
111+	106.22 грн
132+	89.05 грн
500+	68.81 грн
1000+	55.73 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP072N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.98 грн
10+	149.78 грн
25+	134.81 грн
100+	111.96 грн
500+	82.17 грн
1000+	63.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 218000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	96.9 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP072N10N3GXKSA1

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.87 грн
9+	90.81 грн
24+	85.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	121.16 грн
10+	105.54 грн
100+	88.48 грн
500+	68.37 грн
1000+	55.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	157.33 грн
10+	128.98 грн
100+	89.46 грн
500+	74.77 грн
1000+	60.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	146.6 грн
50+	113.62 грн
100+	93.49 грн
500+	74.24 грн
1000+	62.99 грн
2000+	59.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	182.02 грн
80+	147.2 грн
100+	138.25 грн
500+	117.96 грн
1000+	102.13 грн
2000+	95.48 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPP073N13NM6AKSA1

MOSFET

на замовлення 500 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

2+	201.73 грн
10+	165.84 грн
100+	114.83 грн
250+	105.48 грн
500+	96.14 грн
1000+	82.12 грн
2500+	78.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP073N13NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP075N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.03 грн
10+	341.65 грн
25+	279.73 грн
100+	240.34 грн
250+	233.66 грн
500+	198.28 грн

IPP075N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	427.27 грн
29+	408.9 грн
50+	393.32 грн
100+	366.41 грн
250+	328.98 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP075N15N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3G

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	437.37 грн
10+	313.8 грн
100+	262.12 грн
500+	206.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3GXKSA1
Код товару: 122947

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP075N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 3066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.67 грн
10+	362.38 грн
25+	271.72 грн
100+	235 грн
250+	229.66 грн
500+	208.96 грн
1000+	175.58 грн

IPP075N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	442.98 грн
32+	367.46 грн
100+	290.53 грн
500+	238.42 грн
1000+	199.52 грн
2500+	184.18 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP075N15N3GXKSA1

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.14 грн
50+	289.47 грн
100+	248.1 грн
500+	206.97 грн

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.2 грн
10+	377.36 грн
25+	372.63 грн
100+	294.62 грн
500+	241.77 грн
1000+	202.33 грн
2500+	186.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	526.55 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP076N12N3 G

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.75 грн
10+	197.31 грн
25+	128.18 грн
100+	119.5 грн
1000+	98.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3G

Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	226.49 грн
56+	210.01 грн
100+	179.84 грн
500+	156.1 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	423.7 грн
44+	269.53 грн
54+	217.82 грн
100+	196.62 грн
500+	145.64 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	231.06 грн
57+	208.91 грн
100+	173.65 грн

Мінімальне замовлення: 51

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	214.56 грн
10+	193.98 грн
100+	161.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	189.76 грн
10+	173.94 грн
100+	148.67 грн
500+	141.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.88 грн
10+	181.51 грн
100+	146.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	190.97 грн
67+	175.05 грн
100+	149.62 грн
500+	142.73 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP076N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP076N15N5

на замовлення 38500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	275.91 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	268.88 грн
10+	247.37 грн
25+	244.98 грн
100+	215.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	401.42 грн
10+	306.31 грн
100+	253.89 грн
500+	211.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	446.58 грн
31+	378.95 грн
50+	288.43 грн
200+	260.87 грн
500+	212.24 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	289.57 грн
44+	266.4 грн
45+	263.82 грн
100+	232.51 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP076N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.81 грн
50+	276.25 грн
100+	236.79 грн
500+	197.53 грн
1000+	169.13 грн

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	391.87 грн
36+	332.2 грн
50+	252.63 грн
200+	229.22 грн
500+	186.49 грн
1000+	174.77 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	243.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	549.02 грн
24+	494.56 грн
25+	492.59 грн
50+	450.17 грн
100+	344.34 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP076N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.52 грн
10+	342.42 грн
25+	255.7 грн
100+	224.32 грн
500+	202.95 грн
1000+	164.23 грн

IPP07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP07N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03L G

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP080N03LG

07+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP080N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	108.42 грн
119+	99.06 грн
146+	80.57 грн
200+	72.7 грн

Мінімальне замовлення: 108

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	75.12 грн
200+	71.61 грн
750+	68.45 грн

Мінімальне замовлення: 156

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	83.24 грн
170+	69.12 грн
500+	58.83 грн
1000+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 141

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.17 грн
10+	60.73 грн
100+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

241+	48.58 грн

Мінімальне замовлення: 241

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.49 грн
50+	85.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.59 грн
10+	82.71 грн
100+	68.68 грн
500+	56.37 грн
1000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.3 грн
10+	107.49 грн
100+	75.44 грн
500+	63.36 грн
1000+	51.47 грн
5000+	49.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP083N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	88.15 грн
143+	81.91 грн
170+	69.04 грн
200+	62.91 грн
500+	58.07 грн

Мінімальне замовлення: 133

IPP083N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	87.7 грн
10+	78.83 грн
100+	70.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP083N10N5AKSA1
Код товару: 166075

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	94.44 грн
138+	84.9 грн
154+	76.42 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP084N06L3GXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	83.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 1664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

380+	53.42 грн

Мінімальне замовлення: 380

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	83.82 грн

Мінімальне замовлення: 140

IPP085N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	51.36 грн

Мінімальне замовлення: 385

IPP085N06LGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP085N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP086N10N3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP086N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.08 грн
10+	112.86 грн
100+	84.12 грн
250+	78.11 грн
500+	69.43 грн
1000+	57.75 грн
2500+	55.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP086N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

товар відсутній

IPP086N10N3G

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP086N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP086N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	108.06 грн
10+	99.74 грн
100+	84.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.9 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	137.26 грн
94+	125.32 грн
116+	101.45 грн
200+	92.17 грн

Мінімальне замовлення: 86

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP086N10N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP086N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	155.78 грн
10+	116.83 грн
100+	91.37 грн
500+	75.11 грн
1000+	57.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP08CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3

товар відсутній

IPP08CN10LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP08CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 95A TO-220

товар відсутній

IPP08CNE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	59.89 грн

Мінімальне замовлення: 341

IPP093N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.18 грн
500+	110.56 грн
1000+	50.61 грн
2500+	47.2 грн
5000+	44.8 грн
10000+	43.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP093N06N3G

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP093N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	107.48 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPP093N06N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP093N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 71
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

товар відсутній

IPP093N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	54.04 грн

Мінімальне замовлення: 150

IPP096N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP096N03LG

TO220 10+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP096N03LGHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

на замовлення 13100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

831+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 831

IPP09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP09N03LA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP09N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP09N03LAHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP100N04S2-04

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP100N04S204AKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP100N04S204AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP100N04S204AKSA2

товар відсутній

IPP100N04S204AKSA2