на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 473.2 грн |
| 10+ | 399.69 грн |
| 25+ | 315.16 грн |
| 100+ | 289.52 грн |
| 250+ | 272.65 грн |
| 500+ | 255.78 грн |
| 1000+ | 229.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP022N12NM6AKSA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V.
Інші пропозиції IPP022N12NM6AKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP022N12NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 TRENCH >=100V |
товар відсутній |
||
 |
IPP022N12NM6AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V |
товар відсутній |