2N5190G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 59.13 грн |
| 10+ | 46.05 грн |
| 100+ | 35.84 грн |
| 500+ | 28.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5190G onsemi
Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2N5190G за ціною від 20.99 грн до 69.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5190G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5190G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5190G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5190G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
2N5190G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
2N5190G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |