APT1204R7SFLLG Microchip Technology
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 864.1 грн |
| 100+ | 734.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1204R7SFLLG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK, Case: D3PAK, Mounting: SMD, Technology: POWER MOS 7®, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 4.7Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 135W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 31nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 14A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1204R7SFLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1204R7SFLLG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT1204R7SFLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT1204R7SFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK Case: D3PAK Mounting: SMD Technology: POWER MOS 7® Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A On-state resistance: 4.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 14A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT1204R7SFLLG | Виробник : MICROSEMI |
D3PAK 3/3.5 A, 1200 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT1204 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT1204R7SFLLG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3.5A D3PAK |
товар відсутній |
|
|
|
APT1204R7SFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK Case: D3PAK Mounting: SMD Technology: POWER MOS 7® Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A On-state resistance: 4.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 14A |
товар відсутній |