DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3168.32 грн |
10+ | 2718.74 грн |
30+ | 2556.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 26Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series, productTraceability: No, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 за ціною від 2092.77 грн до 4527.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 500A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 960mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 26Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series productTraceability: No Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP005613027 |
товар відсутній |