на замовлення 1309500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 12.01 грн |
| 3000+ | 11.37 грн |
| 7500+ | 10.7 грн |
| 10500+ | 9.92 грн |
| 37500+ | 9.1 грн |
| 49500+ | 8.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGF1T-E3/67A Vishay
Description: VISHAY - EGF1T-E3/67A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 3 V, 75 ns, 20 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214BA, Durchlassstoßstrom: 20A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 3V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.3kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EGF1T, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції EGF1T-E3/67A за ціною від 9.32 грн до 41.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 1309500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.3KV 75ns 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 3376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R |
на замовлення 3376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
EGF1T-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.3kV; 1A; 75ns; DO214BA; Ufmax: 3V; Ifsm: 20A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.3kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214BA Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0 Amp 1300 Volt |
на замовлення 50925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.3kV; 1A; 75ns; DO214BA; Ufmax: 3V; Ifsm: 20A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.3kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214BA Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
EGF1T-E3/67A | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - EGF1T-E3/67A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 3 V, 75 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.3kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1T productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V |
на замовлення 4909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Виробник : Vishay Semiconductors |
DO-214 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |