FF150R12KE3GHOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7803.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF150R12KE3GHOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF150R12KE3GHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 225A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 780W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FF150R12KE3GHOSA1 за ціною від 7827.93 грн до 8688.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF150R12KE3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12KE3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FF150R12KE3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF150R12KE3GHOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF150R12KE3GHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 780W euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FF150R12KE3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FF150R12KE3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W |
товар відсутній |