Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G120N03D32
G120N03D32

G120N03D32 Goford Semiconductor

GOFORD-G120N03D32.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.77 грн
10+ 27.75 грн
100+ 19.3 грн
500+ 14.14 грн
1000+ 11.49 грн
2000+ 10.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G120N03D32 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05).

Інші пропозиції G120N03D32 за ціною від 11.25 грн до 11.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G120N03D32 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G120N03D32.pdf G120N03D32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G120N03D32 G120N03D32 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товар відсутній