Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R40MT12D
G3R40MT12D

G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

G3R40MT12D.pdf Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1009.69 грн
3+ 887.06 грн
30+ 874.61 грн
120+ 849.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції G3R40MT12D за ціною від 816.68 грн до 3252.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1156.14 грн
10+ 1015.9 грн
25+ 979.48 грн
100+ 870.64 грн
250+ 839.46 грн
500+ 816.68 грн
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1211.63 грн
3+ 1105.41 грн
30+ 1049.53 грн
120+ 1019.64 грн
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1246.85 грн
10+ 1140.18 грн
30+ 1099.82 грн
120+ 1004.94 грн
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D-2448735.pdf MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1254.67 грн
10+ 1129.8 грн
30+ 947.23 грн
120+ 896.08 грн
270+ 864.2 грн
510+ 841.61 грн
1020+ 836.97 грн
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+1342.76 грн
10+ 1227.89 грн
30+ 1184.42 грн
120+ 1082.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+2148.6 грн
10+ 2083.03 грн
20+ 1954.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3252.63 грн
5+ 2846.52 грн
G3R40MT12D
Код товару: 177790 		G3R40MT12D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R40MT12D G3R40MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній