GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.18 грн |
| 10+ | 195.58 грн |
| 25+ | 161.97 грн |
| 100+ | 149.82 грн |
| 250+ | 143.07 грн |
| 500+ | 137 грн |
| 1000+ | 132.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Інші пропозиції GE10MPS06E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GE10MPS06E | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 GE10MPS06E SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||
| GE10MPS06E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товар відсутній |