IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 479.88 грн |
| 5+ | 409.84 грн |
| 10+ | 339.05 грн |
| 50+ | 293.38 грн |
| 100+ | 251.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKW25N120CS7XKSA1 за ціною від 224.74 грн до 647.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005419560 |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IKW25N120CS7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |