Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW25N120H3FKSA1
IKW25N120H3FKSA1

IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 290 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns, Switching Energy: 2.65mJ, Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 326 W.

Інші пропозиції IKW25N120H3FKSA1 за ціною від 205.26 грн до 608.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+377.39 грн
10+ 365.98 грн
25+ 293.84 грн
100+ 209.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+405.54 грн
30+ 393.29 грн
37+ 315.77 грн
100+ 225.54 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.88 грн
30+ 318.17 грн
120+ 284.68 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.91 грн
10+ 409.45 грн
25+ 292.27 грн
100+ 264.37 грн
240+ 263.71 грн
480+ 215.22 грн
1200+ 205.26 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON 611659.pdf Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+493.3 грн
5+ 421.02 грн
10+ 347.99 грн
50+ 301.68 грн
100+ 258.04 грн
250+ 218.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+506.71 грн
3+ 359.81 грн
7+ 340.43 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+524.88 грн
31+ 382.26 грн
50+ 339.57 грн
100+ 306.86 грн
200+ 268.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.05 грн
3+ 448.37 грн
7+ 408.52 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній