IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 56 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1268.62 грн |
| 10+ | 1101.54 грн |
| 100+ | 828.33 грн |
| 500+ | 750.61 грн |
| 1000+ | 688.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMBG65R022M1HXTMA1 за ціною від 1176.96 грн до 1868.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005539143 |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IMBG65R022M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V |
товар відсутній |