IPW65R019C7 Infineon Technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1577.06 грн |
10+ | 1381.46 грн |
25+ | 1120.96 грн |
50+ | 1085.87 грн |
100+ | 1050.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R019C7 Infineon Technologies
Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R019C7 за ціною від 1611.32 грн до 2084.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPW65R019C7 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPW65R019C7 | Виробник : Infineon |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPW65R019C7 | Виробник : Infineon technologies |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPW65R019C7 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V |
товар відсутній |