IQDH88N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4690 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	308.64 грн
10+	255.34 грн
25+	209.88 грн
100+	180.19 грн
250+	170.07 грн
500+	159.94 грн
1000+	137 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQDH88N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQDH88N06LM5ATMA1 за ціною від 126.64 грн до 287.63 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IQDH88N06LM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V	на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 287.63 грн 10+  232.76 грн 100+  188.3 грн 500+  157.08 грн 1000+  134.5 грн 2000+  126.64 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IQDH88N06LM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V	товар відсутній	купити