IXBH20N300 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2950.28 грн |
| 5+ | 2711.81 грн |
| 10+ | 2472.58 грн |
| 50+ | 2219.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH20N300 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXBH20N300 за ціною від 1991.54 грн до 3185.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH20N300 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXBH20N300 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXBH20N300 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 105nC Technology: BiMOSFET™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 130A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXBH20N300 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 3000V 50A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 105 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A Power - Max: 250 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXBH20N300 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 105nC Technology: BiMOSFET™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 130A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W |
товар відсутній |