NE3503M04-T2-A
Виробник:
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE3503M04-T2-A
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 12dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3503M04-T2-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NE3503M04-T2-A Код товару: 191033 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
 |
NE3503M04-T2-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 70mA Frequency: 12GHz Gain: 12dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.45dB Supplier Device Package: M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |
|
| NE3503M04-T2-A | Виробник : Renesas Electronics | Renesas Electronics |
товар відсутній |
||
 |
NE3503M04-T2-A | Виробник : CEL |
 RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
товар відсутній |