NSS60200LT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS60200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NSS60200LT1G за ціною від 6.46 грн до 33.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS60200LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 11950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G Код товару: 121380 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |