NX138BKWX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 266mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.49 грн |
| 6000+ | 2.23 грн |
| 9000+ | 1.85 грн |
| 30000+ | 1.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX138BKWX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX138BKWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NX138BKWX за ціною від 1.96 грн до 17.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX138BKWX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 266mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX138BKWX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 266mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX138BKWX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 266mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V |
на замовлення 36355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX138BKWX | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX138BKW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 36823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NX138BKWX Код товару: 144248 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
NX138BKWX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135mA; Idm: 855A; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 135mA Pulsed drain current: 855A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NX138BKWX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135mA; Idm: 855A; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 135mA Pulsed drain current: 855A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |