NXH010P120MNF1PNG onsemi
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11462.55 грн |
10+ | 10581.5 грн |
28+ | 8906.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH010P120MNF1PNG onsemi
Description: SIC 2N-CH 1200V 114A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 250W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA.
Інші пропозиції NXH010P120MNF1PNG за ціною від 9651.34 грн до 10700.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXH010P120MNF1PNG | Виробник : onsemi |
Description: SIC 2N-CH 1200V 114A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 250W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
NXH010P120MNF1PNG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive |
товар відсутній |