Продукція > ONSEMI > NXH160T120L2Q2F2S1G
NXH160T120L2Q2F2S1G

NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi

nxh160t120l2q2f2s1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10193.37 грн
12+ 9086.43 грн
36+ 8754.77 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi

Description: PIM POWER MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 181 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V.

Інші пропозиції NXH160T120L2Q2F2S1G за ціною від 8347.46 грн до 10918.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXH160T120L2Q2F2S1G Виробник : onsemi NXH160T120L2Q2F2S1_D-2319873.pdf IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10918.15 грн
10+ 9963.57 грн
25+ 8661.95 грн
36+ 8347.46 грн
NXH160T120L2Q2F2S1G Виробник : ON Semiconductor nxh160t120l2q2f2s1-d.pdf Power IGBT Module Transistor
товар відсутній