NXH35C120L2C2ESG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5981.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH35C120L2C2ESG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 35A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NXH35C120L2C2ESG за ціною від 4384.63 грн до 6220.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH35C120L2C2ESG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
NXH35C120L2C2ESG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
NXH35C120L2C2ESG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG Packaging: Tube Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Mounting Type: Through Hole Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 26-DIP Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V |
товар відсутній |