Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8J13TR
QS8J13TR

QS8J13TR Rohm Semiconductor

qs8j13.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
518+22.62 грн
586+ 19.99 грн
589+ 19.89 грн
2000+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 518
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J13TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QS8J13TR за ціною від 18.56 грн до 66.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j13.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
294+39.87 грн
306+ 38.27 грн
500+ 36.89 грн
Мінімальне замовлення: 294
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.21 грн
10+ 46.47 грн
100+ 32.16 грн
500+ 25.22 грн
1000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.07 грн
10+ 51.69 грн
100+ 31.04 грн
500+ 25.91 грн
1000+ 22.07 грн
3000+ 19.64 грн
6000+ 18.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : ROHM qs8j13.pdf Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.77 грн
14+ 55.87 грн
100+ 39.29 грн
500+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
QS8J13TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -5.5A; Idm: -18A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QS8J13TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -5.5A; Idm: -18A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній