RTR025P02HZGTL

RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.87 грн
6000+ 18.13 грн
9000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTR025P02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RTR025P02HZGTL за ціною від 17.54 грн до 65.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.34 грн
500+ 25.08 грн
1000+ 17.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.09 грн
10+ 43.66 грн
100+ 30.22 грн
500+ 23.69 грн
1000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL Виробник : ROHM datasheet?p=RTR025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.55 грн
15+ 51.21 грн
100+ 32.34 грн
500+ 25.08 грн
1000+ 17.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
RTR025P02HZGTL RTR025P02HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor rtr025p02hzgtl-e-1873435.pdf MOSFET Pch -20V -2.5A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR025P02HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.68 грн
10+ 56.94 грн
100+ 37.98 грн
500+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 5