RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1692+ | 6.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RUC002N05HZGT116 за ціною від 1.9 грн до 17.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RUC002N05HZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUC002N05HZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUC002N05HZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23 |
на замовлення 247107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RUC002N05HZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 800A; 350mW; SST3 Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SST3 On-state resistance: 7.2Ω Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
RUC002N05HZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RUC002N05HZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 800A; 350mW; SST3 Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SST3 On-state resistance: 7.2Ω Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
товар відсутній |