SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 444.85 грн |
10+ | 367.87 грн |
25+ | 301.67 грн |
100+ | 259.15 грн |
250+ | 244.98 грн |
500+ | 230.13 грн |
1000+ | 196.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHF35N60EF-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIHF35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||
SIHF35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||
SIHF35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||
SIHF35N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 134nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SIHF35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||
SIHF35N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220FP Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 134nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |