Продукція > VISHAY > SQ3418AEEV-T1_GE3
SQ3418AEEV-T1_GE3

SQ3418AEEV-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+47.76 грн
500+ 37.92 грн
1000+ 29.13 грн
3000+ 23.25 грн
6000+ 22.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3418AEEV-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ3418AEEV-T1_GE3 за ціною від 21.52 грн до 78.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ3418AEEV-T1_GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.28 грн
10+ 40.26 грн
100+ 28.63 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 23.25 грн
3000+ 21.79 грн
6000+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3418AEEV-T1_GE3 SQ3418AEEV-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.24 грн
13+ 61.48 грн
100+ 47.76 грн
500+ 37.92 грн
1000+ 29.13 грн
3000+ 23.25 грн
6000+ 22.74 грн
Мінімальне замовлення: 10