TP65H035G4WS Transphorm
Виробник: TransphormDescription: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1226.45 грн |
| 30+ | 956.09 грн |
| 120+ | 899.86 грн |
| 510+ | 765.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H035G4WS Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 0 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H035G4WS за ціною від 658 грн до 1313.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H035G4WS | Виробник : TRANSPHORM |
Description: TRANSPHORM - TP65H035G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 22nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TP65H035G4WS | Виробник : Transphorm |
MOSFET 650V, 35mOhm |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|