Продукція > TOSHIBA > TPHR6503PL1,LQ
TPHR6503PL1,LQ

TPHR6503PL1,LQ Toshiba

tphr6503pl1_datasheet_en_20200626.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+135.35 грн
10+ 115.13 грн
100+ 93.76 грн
250+ 88.04 грн
500+ 69.8 грн
1000+ 54.37 грн
2500+ 53.7 грн
5000+ 52.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR6503PL1,LQ Toshiba

Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPHR6503PL1,LQ за ціною від 56.13 грн до 150.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.81 грн
10+ 111.92 грн
100+ 89.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba tphr6503pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+145.76 грн
95+ 123.99 грн
116+ 100.98 грн
250+ 94.81 грн
500+ 75.17 грн
1000+ 58.55 грн
2500+ 57.83 грн
5000+ 56.13 грн
Мінімальне замовлення: 81
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626-2449209.pdf MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
на замовлення 43093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.01 грн
10+ 123.09 грн
100+ 84.82 грн
500+ 72.03 грн
1000+ 57.96 грн
2500+ 57.89 грн
5000+ 57.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba tphr6503pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товар відсутній
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba tphr6503pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товар відсутній
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba tphr6503pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 420A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товар відсутній
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній