на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 240.56 грн |
| 10+ | 199.68 грн |
| 100+ | 139.72 грн |
| 250+ | 131.58 грн |
| 500+ | 124.12 грн |
| 1000+ | 105.81 грн |
| 2500+ | 99.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TRS12E65H,S1Q Toshiba
Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.
Інші пропозиції TRS12E65H,S1Q за ціною від 143.23 грн до 219.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TRS12E65H,S1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 778pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|